Samsung、澎記とのNANDフラッシュの卿り懼げ汗を橙絡
澎記とSamsungのNANDフラッシュの卿り懼げの汗が弓がった。2014鉗媽2煌染袋におけるNANDフラッシュメ〖カ〖絡緘6家の卿り懼げを輝眷拇漢柴家DRAMeXchange∈TrendForce家の辦嬸嚏∷が券山したもの(哭1)。
哭1 トップ6家のNANDフラッシュ卿り懼げ 叫諾¨DRAMeXchange
媽1疤Samsungの卿り懼げは、漣煌染袋孺8.2%籠の23帛5390它ドルだったが、澎記のそれは票1.2%籠の15帛6630它ドルにとどまった(山1)。このため、Samsungと澎記との汗は橙絡した。この2Qで凱びた措度は、21.8%籠のSK Hynix、肌が10.5%籠のSan Diskである。しかし、3Qには澎記のストラテジック杠狄が糠瀾墑を券山するため、Samsungとの汗は低まるのではないだろうか。
絡緘6家の卿り懼げは、漣票袋孺士堆5.6%籠の76帛4900它ドルに凱びた。NANDフラッシュの帽擦は箋闖猛布がりしたが、OEMの動い見妥によって、鏈攣の卿り懼げが凱びた。
山1 NANDフラッシュメ〖カ〖のランキング 叫諾¨TrendForce
Samsungの卿り懼げを福苞した瀾墑は、パソコンとデ〖タセンタ〖のSSD(染瞥攣ディスク)であった。さらに、面柜においてeMMCやeMCP、メモリカ〖ドが凱びた。票家瀾墑のASP∈士堆帽擦∷は10×15%負ったが、そのビット推翁が漣袋孺20%笆懼凱びたため、卿り懼げも凱びた。3Qに灤してもビット推翁は票じように凱びると袋略されている。
澎記の里維弄なクライアント(おそらくApple)が驕丸瀾墑の哼桿輸郊を煎めたため、帽擦と欄緩翁を廟罷考く瓷妄することで、卿り懼げの你布を娃え、1.2%籠と夫飄した。3QにはiPhone 6が券山されると斧られており、欄緩翁、卿り懼げともに締籠すると斧られている。煌泣輝供眷の媽5棚の媽2欄緩ラインが3Qに窗喇するため、4Qから警翁欄緩を幌め、2015鉗には塑呈欄緩が幌まるだろう。
SanDiskはSSDにシフトしており、SSDの卿り懼げが漣袋孺29%籠裁、ビット推翁も票31%籠裁した。2Qでは19nmプロセス墑が卿り懼げに棺弗したが、2015鉗の1Qには15nm瀾墑が翁緩されるだろう。ウェ〖ハ欄緩墻蝸を5%懼げるだけで、SanDiskのビット推翁は2014鉗に24×35%籠裁すると斧られている。
SK Hynixの籠裁は、痰尖供眷の殘閡から窗鏈に牲寵したことを濕胳る。2Qにはそのビット推翁は漣袋孺54%籠裁した。ただし、ASPが票19%布がった。3Qにはスマホとタブレットの凱びによって20%笆懼、ビット推翁が凱びると斧られる。
