図1　ICとディスクリートを含めた半導������

2011�Qの��1四半期の後に��湾半導���噞協会（TSIA）がSICAS（世�c半導���攵�キャパシティ統��）を��会したことによって、TSMCやUMCのようにウェーハを�j(lu┛)量にプロセスしているファウンドリ企業がこの統��に含まれなくなった。このため、��2四半期の�攵��ξ�、実投入数とも�j(lu┛)幅に落ちた。この�T果、連��的にデータをとってきたこれまでの実績��向が読みにくくなっている。

こういった�X況から��2四半期から��4四半期にかけての�X況を読みとることはできる。つまり�攵��ξ�は少しずつ�屬�っているが、実投入数が��4四半期で落ちてきている。このため、��4四半期で�n働率が90%を割ってしまった。リーマンショックから�v復してきて初めての90%未満となっている。

ミクロン（μm）別のMOS実投入数では、0.06μm（60nm）未満プロセスのウェーハ以外は��て、��(f┫)少��向にある。60nm未満のウェーハではTSIA��会の影�xによる落ち込みが��2四半期で見られたが、その後は�峺���向にある。

図2　ミクロン別のMOSウェーハ実投入数

ウェーハサイズ別(図3)では、300mmウェーハへのシフトが顕著になり、300mmと200mmとの差は拡�j(lu┛)している。300mmウェーハは�\加��向にある。�k��(sh┫)で、200mm未満の5-6インチウェーハの実投入数(図4)は��4四半期で20%�嗹�(f┫)少している。

図3　MOSの実ウェーハ��数では300mmと200mmの差は拡�j(lu┛)

図4　ウェーハサイズ別のMOS実投入数　300mmは�\えている。