四半期におけるシリコンウェーハの�C積は、史�嶌嚢發世辰�2010�Q��3四半期の24億8900万平��(sh┫)インチに次ぐ値である。SEMI SMG（Silicon Manufacturers Group）のチェアマンで、ドイツのシルトロニック（Siltronic）社コーポレート・バイス・プレジデントのフォルカー・ブレッチ (Volker Braetsch) ��はSEMIのプレスリリースの中で「日本を��った地震とそれに��く���Sの直後に、シリコン・サプライヤが半導���噞����を�Г┐襪海箸棒�功したのは、素晴らしい」、と�pめている。

�C積の数値は、ウェーハメーカーからユーザーに出荷されたバージンテストウェーハを含む���Cウェーハ、エピウェーハ、ノンポリッシュドウェーハを合��したもの。��来SEMIは、これらの内�lも発表していたが、���Cウェーハの�C積が圧倒的に�Hいため、合��の数値だけで表している。