SICASの媽1煌染袋デ〖タ尸老から斧えてくる、染瞥攣緩度の絡きな萎れ∈2∷
2011鉗媽1煌染袋におけるシリコンICの欄緩墻蝸ˇ悸抨掐綏眶のデ〖タにおいて、MOS ICのμm侍のデ〖タが燙球い飯羹を績していることに丹が燒いた。それは、MOS ICの欄緩墻蝸も抨掐眶も0.12μm笆懼だとほぼ玻ばいで夸敗しているのに灤して、0.06μmから0.12μm踏塔までのウェ〖ハは負筷、0.06μm踏塔のウェ〖ハは籠裁飯羹を績していることだ。
哭1 μm侍MOS ICの欄緩墻蝸と蒼漂唯 叫諾¨SICAS
哭2 MOS ICのμm侍の欄緩墻蝸と悸抨掐綏眶(懼から、呵も腮嘿な60nm踏塔、60×80nm、80×120nm、0.12×0.2μm、0.2×0.4μm、0.4×0.7μm、0.7μm笆懼の夸敗) 叫諾¨SICAS
哭1はMOS IC鏈攣の瓢羹をμm侍に欄緩墻蝸と悸抨掐綏眶でみたものだが、鏈攣弄には0.06μm(60nm)踏塔のICは欄緩墻蝸も悸抨掐綏眶も凱びている屯灰がわかる。また、60nm踏塔ではないウェ〖ハプロセスのICは鼎賂し魯けているように斧える。
しかし、μm侍デ〖タをそれぞれ斧ると(哭2)、呵介に揭べた飯羹があることが粕みとれる。リ〖マンショック稿の2009鉗媽3煌染袋笆慣では60nm踏塔のプロセスウェ〖ハだけが緬悸に凱びているが、60nm×80nmプロセス、80nm×120nmプロセスのウェ〖ハは欄緩墻蝸、悸抨掐綏眶鼎に肌媽に負っている。ところが、0.12μm×0.2μm、0.2×0.4μm、0.4×0.7μm、0.7μm笆懼のプロセスのウェ〖ハはリ〖マンショックから攙牲した稿は欄緩墻蝸、悸抨掐眶ともに拜積しているのである。
カギはArFレ〖ザ〖の僑墓
なぜか。その董謄を焊寶するのがリソグラフィ禱窖である。ArFレ〖ザ〖の僑墓は193nm、すなわち0.193μm。僑墓よりも嘿いレジストパタ〖ンを裁供する眷圭には、パタ〖ンの升數羹の各はマスクの倡庚嬸に掐りにくく、パタ〖ンの墓さ數羹は掐りやすい。このため、パタ〖ンが撅に辦年數羹に羹いていれば裁供しやすいことになる。130nm收りから僑墓の逼讀が叫幌め、90nmになるとマスクパタ〖ンを餞賴して司むようなレジストパタ〖ンが閃けるように、いわゆるOPC∈optical proximity correction∷輸賴借妄を乖う。
さらに65nm、40nmと腮嘿步され攙烯が剩花になると、プロセスバラつきと、補刨や排暗などの恃瓢が陵まって賴撅に瓢侯しなくなる恫れも籠してくる。このため、マスクパタ〖ンの餞賴はEDAの檬超から乖い、いわゆるDFM∈design for manufacturing∷としてレジストパタ〖ンがブリッジを彈こしやすい改疥など稍紊になりやすい改疥をホットスポットとして徒め肋年しておき、パタ〖ンを餞賴しておく澀妥がある。このマスクパタ〖ンの餞賴侯度は丹の斌くなるほどの剩花で四絡にあり、腮嘿步と鼎にコストや侯度翁が絡きくかかりすぎるようになる。このためEDAツ〖ルは風かせない。
40nm、32nm、28nm、20nmとさらに腮嘿步が渴むと、DFMの侯度はとてつもなく絡恃になる。しかし、28nmや20nmといった呵黎眉の腮嘿裁供禱窖は戮家には悸附できないため絡きな汗侍步禱窖となりうる。このため呵黎眉のプロセスを倡券しているIDMのインテルやサムスン、澎記などとファウンドリのTSMCやグロ〖バルファウンドリ〖ズは浪しげもなく1000帛邊帽疤の抨獲を乖い、戮家との庭疤拉を瘦とうとしている。
辦數、0.2μm笆懼のArFレ〖ザ〖の僑墓よりも墓いパタ〖ンは、このような燙泡なことは乖わなくても罷哭した奶りのマスクパタ〖ンで肋紛哭ができる。マスク肋紛の猖簾に肌ぐ猖簾に供眶を艱られることはない。その洛わり、こういった此いパタ〖ンで盡砷できる染瞥攣メ〖カ〖は燒裁擦猛の光い怠墻や措茶蝸、迫極のアルゴリズムといった禱窖マ〖ケティング蝸を卿り濕にしている。
つまり呵黎眉の腮嘿步でリ〖ドするか、腮嘿步とは痰憋の此いプロセスを蝗い怠墻や措茶蝸(マ〖ケティング蝸)で盡砷するか、いずれかの箕洛になってきたということだ。面龐染眉なプロセスこそ、65nm、90nmなどである。だからウェ〖ハ抨掐翁が布がりつつあるといえる。40nmは粗もなくこの苗粗になり布がる。
また腮嘿步プロセスは、かつての≈坤洛∽とは般う。90nm、65nm、45nm、32nm、などへと渴むはずだったが、海や面龐染眉なプロセスをスキップして、いきなり腮嘿步へと若ぶことが驢い。3×4鉗漣呵介にインテルがAtomプロセッサを叫してきた箕、Atomは45nmプロセスで肋紛されたが、そのコンパニオンチップは130nmプロセスで侯られていた。もちろんこのコンパニオンチップは90nm、65nmをスキップした。FPGAメ〖カ〖のラティスセミコンダクタ〖は65nmチップの肌には28nmチップへと若ぶ徒年だ∈徊雇獲瘟1∷。
ファブライト里維が錯ういのは、この面龐染眉なプロセスに蓋脊していることだ。腮嘿步を渴めるか、禱窖マ〖ケティング蝸を光めるか、どちらかしか染瞥攣メ〖カ〖の欄きる蘋はあり評ないことをSICASの琵紛は兜えている。
徊雇獲瘟
1. 65nmの肌は28nmデザインを夸渴するラティス、泣塑のファウンドリは輝眷劣己 (2011/05/25)
