シリコン半導��の�攵��ξ�はこの��3四半期に、210万400��/週となり、実投入数は182万2400��/週にまで�峺�した。それぞれの�i�Q同期比で比較するとそれぞれ、13.2%��、13.6%��といずれもまだ昨�Q同期並みには到達していないが、�n働率で見る限り、2008�Q��3四半期の�n働率が87.0%であったことからほぼ�i�Q並みの�n働率に戻ったといえる。

世�c不況に入り、実投入数はもちろん����に低下したが、�攵��ξ�は少しずつ下げてきたため、この��3四半期も�i期比1.1%��であった。実投入数が�i期比11.1%�\であったために�n働率としては1�Qぶりに86%��に�v復してきたという�lだ。

デザインルール別に見てみると、80nm以下の微細なMOSウェーハの�攵��ξ�はさほど落とさず、実投入数も2009�Q��1四半期こそ�jきく凹んだが、��2および��3四半期には���咾�戻し、この微細なルールを使う先端プロセスのウェーハが�v復を推進してきていることがうかがえる。

逆に、微細化しないシリコンウェーハは�攵欫入数をかなり絞り、��3四半期になってもさほど�v復していないように見える。60nm未満のウェーハの�n働率は93.5%、60〜80nmは95.7%、80〜120nmは84.6%、120〜160nmは86.4%、160〜200nmは82.7%、0.2〜0.3μmは81.6%、0.3〜0.4μmは73.6%、0.4〜0.7μmは68.8%、0.7μm未満は72.4%となっている。デザインルールが緩くなるにつれ、�n働率は落ちていくことを��している。

ウェーハ径についても同じことがいえる。300mmウェーハの�n働率は96.1%だが、200mmおよびそれ未満のウェーハではそれぞれ80.2%、63.7%と落ちている。