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攵n働率が2009Q2Qで21.1ポイント屬ったSICASウェーハ統

SICAS(世c半導攵キャパシティ統)が発表した2009Q2四半期(4〜6月)のデータによると、半導ウェーハ攵n働率は峺していることがはっきりと読みDれる。この統は8インチ(200mm)ウェーハに換Qした数値を使う。2008Qの3四半期(3Q)まではn働率はほぼ90%を推,靴討い燭、2008Q4四半期(4Q)からjきく違ってきた。

半導合


ウェーハ攵n働率は2009Q1四半期(1Q)の55.6%から2四半期(2Q)は76.7%に屬った。これは、世c不況の影xがjきく現れた2008Q4Qの68.4%をvっている。しかも攵盋の絶潅佑4Qに{いついた。2008Q4Qは163.1万/週だったが、2009Q2Qは161.4万/週と同じレベルに達した。

攵がv復している要因をチェックするため、MOSICのμm別の実投入数を調べたのが次の二つの図である。MOSICを先端プロセス(0.12μm未満)とJTプロセス(0.12μm以屐砲箸吠けてみる。先端プロセスでは、攵ξを2009Q1Qは108.1万/週から108.2万/週とほとんど変えていないが、JTプロセスの攵ξは1Qの86.1万/週から78.1万/週に落としている。

ところが実投入数でみると、JTプロセスを絞り込みすぎた様子がはっきりわかる。先端プロセスでは1Qの75.3万/週から2Qに94.8万/週へと126%\加したが、JTプロセスでは1Qの35.7万/週から2Qには51.2万/週と143%もPびた。つまりJTプロセスのウェーハを1Qでは絞り込みすぎたため2Qに43%Pばしたことになる。


μm別のMOS攵ξ

μm別のMOS実投入数


ただし、2QにおいてMOSICがてv復したというわけではない。JTプロセスのウェーハを0.3μmを境にしてv復の様子を別の菘世ら見てみると、0.3μm未満は4Qよりも2Qの気\えているのに瓦靴董0.3μm以屬離ΕА璽呂呂泙4Qレベルまでv復していない。03.μm未満ウェーハは4Qが25.7万/週で、2Qには30.7万/週に\えた。0.3μm以屬離ΕА璽呂4Qの24.8万/週が2Qになっても20.5万/週にとどまっている。

ウェーハサイズ別に見てみると、200mm未満のウェーハの攵ξは2Qでもさほど変わらないが、8インチウェーハを絞った形が見える。実投入数も8インチウェーハの分がPびている。


ウェーハサイズ別のMOS攵ξ

ウェーハサイズ別のMOS実投入数

(2009/08/26)
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