半導���噞に見られる中国の内陸都�xの成長
今日の中国の半導���噞は、���B・�W�肇妊襯臣楼�、揚子江デルタ地域、�A江デルタ地域、そして���陬妊襯臣楼茲暴言僂靴織咼献優好譽ぅ▲Ε箸鮹羶瓦箸靴討い�。それが最�Z、あらたな変化が見られだした。���Bや�帷Lのような�j(lu┛)都�xではなく、より内陸の都�x、���Wや成都志向が見られ始めている。
この背景には、��10次5カ�Q��画(2001〜2005)において、中国の科学�\術省が７つの�U(ku┛)定都�xに国家半導��デザイン集積地を構築したことがあげられる。中国���Bはインフラや財���Cでのインセンティブについての改��を約�Jした。その成果が表れ出したのである。
世�cの主要半導��企業による中国の主な投�@プロジェクト
出�Z：FSA Semiconductor Insights Asiaより
出�Z：FSA Semiconductor Insights Asiaより
国家半導��デザイン集積地域のオープンテクノロジ
出�Z：FSA Semiconductor Insights Asiaより
2005�Qの中国への投�@�Yは80億ドルと、CCIDは推定している。そのトップにあるのが��湾、次いで�盜�、�f国、欧�Δ飛�く。
＊出�ZはFSAのSemiconductor Insights Asia
