IntelがTowerと新提携、微細化ノードからパワー/アナログノードまで揃う
IntelがTower Semiconductorを�A収するという�Bは中国当局の��可が�uられず破�iとなったが、逆にIntelとTower両社の間で相互にファウンドリ同士での�Tび��けを�咾瓩鞫T果となった。Intelは最先端の微細化工場を運営しており、Towerは65nm以�屬離僖錙爾筌▲淵蹈鞍焼���を�攵�してきた。両社の関係�啣修凌靴燭閉鷏箸聾楜劼縫錺鵐好肇奪廚任離機璽咼皇鷆，砲弔覆�る。
図1 Intel、Towerとの提携によりファウンドリ��業を�啣宗―儘Z： Intel
今�vの提携では、�盜颯縫紂璽瓮�シコ�Δ砲△�Intelの300mm工場をTowerも使って、顧客の����を?y┐n)��]できるようになる。このためにTowerは最�j(lu┛)3億ドルを投�@し、新��に���]����を揃える。両社の投�@によって、月��60万マスク層以�屬��攵��ξ�を�eつという。これによってTowerは300mmのアナログ半導�����]ラインを�eつことになる。
Towerが投�@する3億ドルだが、昨�Qの売�幢Y16.8億ドルの同社にとっては�j(lu┛)きな出�Jとなる。しかし、合弁が解消されたときの契約解除金（違約金）3.51億ドルをIntelから�pけ�Dることになっており、この�@金を投�@に�vすことができる。
Intelのファウンドリ�靆腓任△�IFS（Intel Foundry Services）にとっては7nmや5nmといった微細なプロセスだけではなく、Towerの�eつパワー半導��のBCD（Bipolar-CMOS-DMOS）プロセスやRFのSOI�\術によるICのファウンドリサービスも顧客に提供できるようになる。RF SOIは2024�Qまでに����認定される予定だという。この提携では両社の�攵��ξ�を�屬欧襪海箸�コミットされている。
IntelはTowerの65nmのBCDプロセスを使ってPMIC（Power Management Integrated Circuit）を?y┐n)��]することもできる。�k��(sh┫)、TowerもIntelの300mmラインでアナログICを?y┐n)��]できる。
Intelは、オレゴン�Δ砲△諄J�T工場とオハイオ�Δ坊�設するための投�@に加え、アリゾナ�Δ肇縫紂璽瓮�シコ�Δ旅�場にも投�@を�M(f┬i)��してきた。また、これまでの顧客化からの微細化ニーズだけではなく、微細化チップを動作させるための電源��のPMICも同時に提供できるメリットがある。
Towerにとっても、これまでのアナログやパワー、RFなどの顧客から限られた�攵盋しか提供できなかったが、Intelの300mmラインを使えるようになることで、�攵盋を�\やしビジネスを拡�j(lu┛)できるというメリットがある。共にWin‐W(w┌ng)inの関係にあり、今�vの提携になったといえる。
ちなみにIntelのIFS�靆腓蓮�2023�Qの��2四半期に�i�Q同期比307%�\（4.3倍）の2.32億ドルを�nいでおり、ようやく順調に売り�屬欧�立てられるようになってきた。Towerの��2四半期の売り�屬欧�3.57億ドルであり、�i�Q同期比では16%��(f┫)だが、�i期比ではほぼ横ばいの0.3%�\となっている。両社の協��関係により、今後の成長が期待できる見通しができた。IFS�靆腓蓮�Intel 3およびIntel 18AのプロセスノードでSynopsysのIPを開発する契約や、5社の顧客が参加するIntel 3プロセスを使う国防総省のRAMP-C（Rapid Assured Microelectronics Prototypes - Commercial）��画の契約も�Mち�Dっている。
