キオクシア券山陵肌ぐ、家墓蛤侖や5ビット/セルの禱窖倡券など
奠澎記メモリのキオクシアの家墓がこれまでの喇逃汞禿會から玲轟凱勺會に蛤侖することが瘋まり、その1降粗漣にはSSDフォ〖ラムを倡號するなどキオクシアが寵券に攫鼠券慨している。SSDフォ〖ラム2020では呵奪のSSDやNANDフラッシュの寵瓢を湯らかにし、NANDフラッシュメモリを5ビット/セルとして瓢侯させることに喇根したと券山した。
哭1 キオクシア洛山艱涅舔家墓に艦扦した玲轟凱勺會
1奉29泣に艦扦した洛山艱涅舔家墓の玲轟會(哭1)は、これまでの喇逃會の烯俐を苞き費ぎ、デジタル家柴ではメモリが腳妥になるとの千急を績した。NANDフラッシュ1塑で禍度を渴める謊廓に恃わりはないと山湯しており、DRAMを積たないメモリメ〖カ〖を律艱りする。2020鉗におけるNANDフラッシュのビット見妥は40%喇墓という斧數が動く、絡推翁步の數羹は驕丸奶り夸し渴める。
家墓蛤侖券山の漣に乖われたSSDフォ〖ラムでの呵絡のニュ〖スは5ビット/セル禱窖PLC∈Penta Level per Cell∷だ。これは、1改のメモリセルの1と0を山す排暗猛∈HとL∷を2の5捐尸の1、すなわち1/32に尸充し、それぞれを00000から11111まで山附する。1ビットのセルを5つのセルがあるように山すため、帽姐紛換ではひとつのメモリセルで5擒の推翁を悸附できる。これまではQLC∈4ビット/セル∷まで悸附できていた。4ビットの眷圭は16尸充して1と0を山附していたが、QLCはすでに翁緩檬超にある。
辦忍に1ビット/セルは、呵も廬いが推翁は井さく、4ビット/セルは呵も覓いが推翁は絡きい。このため、ストレ〖ジシステムの面では、1ビット/セルを光廬ˇ井推翁に、4ビット/セルは絡推翁ˇ你廬と疤彌づけている。ここに5ビット/セルが裁わることで、もっと絡推翁ˇ你廬では5ビット/セルが蝗われることになり、ストレ〖ジシステムのレベルを5レベルでシステム肋紛する澀妥に趨られる。
ただし、絡推翁の驢ビット/セルのビット眶を籠やせば籠やすほど、浮叫すべき排暗レベルの升が井さくなるため、ノイズに捐りやすく、疙り檸賴禱窖を額蝗しなければ悸附できない。你廬だが、絡推翁のストレ〖ジシステムには疙り檸賴攙烯を歡らばせるようになるかもしれない。
裁えて、キオクシアは2019鉗12奉のIEEE IEDM∈International Electron Devices Meeting∷で、3D-NANDフラッシュの僥姥みされているメモリセルを濕妄弄にまるで染尸に磊るようにすることで1ビットから2ビットに籠やす禱窖を券山していた。ここでも悸劑弄に辦つのメモリセルが2ビットに籠やせる。ただ、赦頭ゲ〖ト數及にすべきか排操トラップ數及にすべきかを浮皮しており、どちらにするかまだ瘋めていないという。
3D-NANDの霖眶に簇しては、附哼112霖のフラッシュの活侯倡券を券山しており、澎記の煌泣輝供眷を鼎票で蝗っているWestern Digitalも112霖のNANDフラッシュを券山している。
さらに糠しい奶慨プロトコルNVMeは、ストレ〖ジとメモリや件收との儡魯を光廬步するためのPCIeインタ〖フェイスをサポ〖トすることになる。また、デ〖タセンタ〖などのストレ〖ジシステムでは驕丸のSCSIプロトコルからNVMe over Fabricプロトコルへと渴むだろうと斧ている。
キオクシアはSSDフォ〖ラム2020の面で、デジタルトランスフォ〖メ〖ションにはNANDフラッシュやSSDが澀妥だと動拇していた。IoTシステムであるデジタルトランスフォ〖メ〖ションを悸附するためにハ〖ドウエア懼ではIoT眉瑣からのデ〖タを借妄して怠常池漿やディ〖プラ〖ニングを蝗って經丸を徒盧する。これまでのストレ〖ジでは、寵瓢の淡峽を瘦賂していたが、これからはデ〖タ尸老によって踏丸の徒盧に恃えることになるが、その淡峽として灘っていたデ〖タを寵脫するためにもNANDフラッシュが澀妥だと、キオクシア撅壇脊乖舔鎊でSSD禍度嬸墓の玻耐腑恢會は動拇している。
