図1　NexperiaのGeneral Managers；Julian Humphreys��（左）とAchim Kempe��（��）

戦�Sを語ったのは、同社MOS Discrete Business GroupのGeneral ManagerであるJulian Humphreys��（図1左）とBipolar Discrete Business GroupのGeneral ManagerのAchim Kempe��(図1��)。Nexperiaの�eつ����はディスクリートが中心なため、��争��を�啣修垢襪海箸��Mしい。例えば、�@��の小信�･肇薀鵐献好燭蓮屮優検廚筺屮�ギ」の類であり、ほとんど��ての�v路に使える反�C、独�O性を�eたせることは�Mしい。

そこで、�O社の価値を�Z載�x場に��くことにした。�Z載向けでは20%��度の����ポートフォリオを�eつが、この比率を40%まで高めていく。クルマ�x場��の������格AEC-Q100/101に��拠するだけではなく、その実��は2倍の信頼性試�xに耐える����もあるからだ。加えて、����は����レベルでもボードに実�△靴織譽戰襪任�ppm（parts per million）レベルだとしている。この実��は、クルマメーカーとの�咾ざ�調・長い歴史のたまものだという。��社で1万もの���|を�eつ����を提供しており、ほぼ������がAEC-Q101/100の��格に��拠しているとしている。

�i工��の���]拠点を英国のマンチェスターとドイツのハンブルグに�eち、フィリピン、マレーシア、中国広東省にある後工��工場は�O動化を進めており、�O社開発の����を使っている。�i工��では、6インチから8インチへウェーハプロセスの転換を図っており、このために投�@�Yを�\やしていく予定だ。�Z載プロセス向けの���]����へも投�@する。後工��では、チップマウンタや新しいパッケージに投�@する。投�@�Yは��らかにしないが、2014�Qの設��投�@に比べて2017�Qは2.5倍に�\やす。

新しいパッケージは、クリップボンド・パッケージ（Clip-bond Package）と�}び、ワイヤーボンドを��く使わずに平らなCu（銅）��で接��する(図2)。インダクタンスによる影�xの�jきなパワーMOSFETと�D流ダイオードに使う。図2はMOSFETの例だが、�堙賄徹気離圈璽�に影�xするインダクタンスが低く、�X�B�^の低いCuを使っており、パワーを出��する����に向く。ゲート端子もCuで接��する。

図2　Nexperiaが開発したパワー半導��向けのパッケージ　ボンディングワイヤーを使わない　出�Z：Nexperia

Nexperia社のもう�kつの��長は、当初Philipsとして創業して以来65�Q�`を2018�Qに迎えるが、量������の�W定供給でもあり、今でも50�Q間�攵�し��けている����があるという。

Nexperiaは、NXPから分�`独立したとき、中国のファンド2社（Beijing Jianguang Asset Management Co. Ltd.およびWise Road Capital Ltd.）が出�@した。今やNXPの�@本はゼロで、完��に独立している。今のところ、2社の中国�@本は経営に関与してきていない、という。