実��性最優先のフレキシブルエレクトロニクスを�擇濬个�Holst Centre
実��的ではない�~機トランジスタでLSIを作るのではなく、Si CMOSLSIを使ったフレキシブルエレクトロニクスが実��的になってきた。研�|開発センターでさえ、実��化を念頭に��く。ベルギーのIMECとオランダの研�|機関TNOが共同で設立した研�|所Holst Centre (図1)がフレキシブルデバイスの実��化を進めている。
図1 ベルギーIMECとオランダのTNOが共同で設立したHolst Centre 広�jなハイテクセンターの中にある 出�Z：Holst Centre
�~機トランジスタを使ったフレキシブルエレクトロニクスは、いつまでたっても実��化にならない。まるで「研�|のための研�|」的な様相を呈している。�~機トランジスタの�‘暗戮蝋發�てもせいぜい10cm2/Vsしかない。それでも研�|�b文には、こんなに�屬�ったという言い�気鬚靴討い��b文が�Hい。いつまでたってもSi MOSトランジスタの1/10未満である。10�Q、20�Qも研�|しているのにこれ以�屬寮��Δ��屬�らない。これでは実��化は遠い。フレキシブルエレクトロニクスあるいはプリンテッドエレクトロニクスは、もはや実��化できない�\術、というイメージが定��した。
ところが、�L外には実��化することを�`�Yとするフレキシブルエレクトロニクスの研�|�vが出てきている。配線やタッチセンサなどのパッシブな�霾�にフレキシブル基��と導電性インクの印刷�\術を��いて配線や電極を形成する。そして、高性�Δ���要な�ζ哀妊丱ぅ垢砲��x販のSi LSIをフレキシブルプリント基��に実�△靴銅唾�化を図ろうというものだ。
研�|�vといえども、社会を変えたいと考えている人は少なくとも�L外では�Hい��信�ｽ萢���のLSIは、�J�TのシリコンCMOSで�科�高い性�Δ��uられている。しかもシリコンチップはウェーハの最終段階で削ることが常識になっている。��常に薄いのである。だから、Si CMOS LSIをフレキシブル基��に張り��けて信�ｽ萢�に使うフレキシブルエレクトロニクスを実��化しようと考えるのはごく�O��の流れになっている。
プリンテッドエレクトロニクスを早く実��化したいと考える企業の�kつ、英国ケンブリッジにあるNovalia社は、��て�J�Tのシリコン�\術をベースにしたフレキシブルエレクトロニクスで音楽の出るポスターやボール�Lに�Wいた音の出るピアノやドラムなどの商��をすでに�x場に出している(参考�@料1)。フランスの�j�}広告代理��JC Decaux向けにビジネスを�t開している。
こういった実��的なフレキシブルエレクトロニクスを普及させる研�|開発��動をHolst Centre研�|所が担う。研�|所とはいってもいつモノになるかわからないといった��動ではない。ここでのテーマは、��低消�J電���\術とフレキシブルエレクトロニクスである。この応��として、ヘルスケア端��や、OLEDディスプレイ、ソーラー電源、LED照��などを�`指している。
オランダのHolst Centreは、ベルギーのIMECとオランダの研�|開発機関TNO（応��科学研�|機構）の共同出�@で2006�Qに設立された。その�k�陲蓮�2010�Qにセミコンポータルでも紹介した（参考�@料2）。1平��kmの敷地のハイテクキャンパスに建�颪�あり、現在スタッフは210�@、28ヵ国から研�|�vが働いている。IMECと同様、�j学院�j学としての役割も�△─�35〜40�@の学�擇發い�。パートナー企業や研�|機関は現在55社に達した��「研�|開発のアウトソースとして使ってほしい」と、Holst Centre Managing DirectorのTon van Mol��（図2）は語る。
図2 光らせたOLEDを�eつHolst Centre Managing DirectorのTon van Mol��
�j�C積のディスプレイやセンサなどの応��だと、単�T晶Si以外のTFT�~機/無機トランジスタを作らざるを�uないが、性�Δ篦秕嫡J電��が求められる信�ｽ萢�����では、�k般のSi LSIチップを張り��ける。フレキシブルエレクトロニクスはもはや実��化しなければ�T味がない。このための提案として、ヘルスケア関係の医��機�_��、ソーラーパネルを身に��けるファッション性の衣�Kなどの応��と、ウェアラブルデバイスが主な����となる。応��例の試作も�Hい（図3）。例えば衣�Kの中に�~機ELディスプレイを�mめ込んだり、新�攣���毛布に�E色OLEDを�mめ込んだりするような試作例がある。
図3 Holst Centreにおけるフレキシブルエレクトロニクスの試作例 出�Z：Holst Centre
こういった試作例だけだと��来のフレキシブルエレクトロニクス研�|と変わらない��図3の��下の例にあるような薄くてフレキシブルなウェアラブル端��こそが、実��的なデバイスになる��信頼性的にも60℃/90%RHの高�a高湿試�xにおいても問��をクリアできるようになった。Holst Centreには、耐湿性を�屬欧襪燭瓩離丱螢∩悗箸靴董�CVD SiN膜-ポリマー-プラズマCVD SiN膜の3層構�]をロール-ツー-ロール�擬阿之狙�できる量����の���]����を�eっており、基��フィルムの長さはなんと、1.2kmにもなる。プラズマプロセスといってもALD（Atomic layer Deposition）法を使っているとしている。導電性インクを印刷で形成する場合でも配線幅28µmと��常に細く形成しているため、OLED照��はほぼ透��に見える。
参考�@料
1. �J�T�\術で、プリンテッドエレクトロニクスを実現、新しいエクスペリエンスをつくる (2015/04/30)
2. グローバルなオープンイノベーションで5�Q�`を迎えたホルストセンター研�|所 (2010/06/09)
