図1　�Z載向けのイメージセンサは2018�Qまで28%成長　出�Z：ON Semiconductor

アナログやミクストシグナルに��(d┛ng)いON Semiは、�Z載半導��の売�峩碌Yでは世�c7位だが、マイクロコントローラのサプライヤを除くと世�c2位だという。クルマ��のCMOSイメージセンサでは��1位だとしている。CMOSイメージセンサは数量、金�Yともソニーがトップ企業だが、ソニーのCMOSイメージセンサはもっぱらスマートフォン向けで、クルマ��では実績がほとんどない。ON Semiの狙い�`は、クルマ��のCMOSイメージセンサ。

同社は、アクティブセーフティ機�Α�ADAS（先進ドライバ�мqシステム）などにより、センサとしてのCMOSカメラ�x場は��成長すると考え、�Z載��のCMOSセンサ�x場は2014�Qから2018�Qまでの5�Q間で�Q平均28%のスピードで�Pびていくと予�Rする(図1)。ADASやビューイングだけではなく、�Z内��の後�雕太覆了匐，鮓�たり、��気防�Vのためのドライバの顔を検出したりするなどの�Z内����も�\えてくる。2019〜2020�Qには1��当たり19個のカメラやイメージセンサが使わせるだろうと予�Rする(図2)。

図2　クルマ1��当たりに使われるカメラ��数の推�　―儘Z：ON Semiconductor

�A収したAptivaが保�~していた裏�C照�o(j━)型�\術を�W(w┌ng)��したCMOSイメージセンサの新����をこのほど発表した。このAR0136は、出荷実績600万個以�屬魴eつAR0132の後�M(f┬i)チップである。画素数は120万画素で、1/3光学�U向けの����だが、性�Δ��j(lu┛)きく違う。�i機�|AR0132は表�Cから光を採り入れるタイプだったが、��2世代����は可��光感度が40%向�屬掘�低照度でのS/N比は4倍以�峺��屬靴�(表1)。加えて、�Z��(l┬)外の感度も60%高まっている。ただし、�Z��(l┬)外はナイトビジョン����ではなく、�Z内の����(j┫)�餮―个忙箸ΑＪ振囘�な暗電流(リーク電流に�Zい)を1/4を��(f┫)らしたことで、S/N比が�屬�った。

表1　�i機�|（AR0132）と新����(AR0136)の違い　出�Z：ON Semiconductor

プロセスノードは110nmであり、画素幅も3.75µmと��1世代��と変わらないが、光を採り入れる��(sh┫)法を表�Cから裏�Cに変えた。サンプル出荷は2015�Q��3四半期、量��は2016�Q��1四半期を予定している。

図3　�Z載のリアカメラシステムはほぼON Semi����で揃う　出�Z：ON Semiconductor

カメラシステムでのON Semiは、CMOSイメージセンサだけではなく、パワーマネジメントや、パワーMOSFET、CANトランシーバ、イメージプロセッサ、ESD保護�v路なども�eつ。図3で唯�k�eっていない����は、LVDSトランシーバだけ。

ON SemiはCMOSイメージセンサや画�欺萢�プロセッサなどを�u(p┴ng)�Tとするが、レーダーシステムはまだ����を�eっていない。��(j┤ng)来、�O動運転�\術が入り、レーダーやLIDAR（Light detection and ranging）がもっと��(d┛ng)く求められるようになると、光学�UのCMOSカメラと両��(sh┫)を使うことになるだろう、と同社Automotive Image Sensor Business�靆�Product Line ManagerのNarayan Purohit��(hu━)は述べている。