図1　インフィニオンテクノロジーズ・ジャパンの森康��社長(左)とInfineon TechnologiesのBoard memberであるArunjai Mittal��

共にパワー半導��を�eつメーカーであるが、Infineonは、かつてドイツのSiemensから半導���靆腓世吋好團鵐�フした企業。IRはトランジスタが発��される直�iの1947�Q、セレン�D流�_���]を�`的として創立されたパワーマネジメントICの�鬩F企業だ。Infineonは��なる成長に向けて、M&Aの機会を狙っていた。

Infineonが��を入れているのは3つの柱。エネルギー効率を�屬欧襦▲皀咼螢謄�（�O動�Zなどの輸送ビジネス）、セキュリティである。これらを�啣修垢襪里���要な「M&Aの機会を常にうかがっている」と同社Region、Sales、Marketing、Strategy Development and M&A担当でボードメンバーである、Arunjai Mittal��は述べている。同社では、3本の柱に�pった�Q分野で�Q社の�咾澆鮨�した表を作成している。この表を見ながら、Infineonの弱点を�D理し�A収先を��める。この�k環として、今�vInfineonはIR社へ最初のコンタクトを今�Qの3月に行った。

InfineonのM&Aポリシーは、��つある。1)　戦�S的な根拠、2)　合��後の成功へのシナリオ、3)　財���屬虜�拠、であるとMittal��は言う。

戦�S的な根拠として、����が��完関係にあり、�A収したことで成長できる相性があるかをチェックしてみる。����分野として、両社ともパワーMOSFETとIGBT、IGBTモジュールを�eっている。しかしいずれもInfineonが高電圧、IRが低電圧の����ポートフォリオを揃えており、まともに��争する����は少ない。新�\術として、ワイドギャップ半導��ではInfineonがSiC、IRがGaNを�W��しているため、ここでもバッティングしない。デジタル電源�\術もともに�eっているが、これは応��が違う。Infineonがサーバ�W��に�瓦靴董�IRはデータ通信�W��にそれぞれ�咾ぁＨ稜��擬阿盻jきく違う(図2)。Infineonが�j口ユーザであるキーアカウントのチャンネルに�咾�、IRは代理���W��の�k般売りに�咾ぁ�

図2　Infineon、IR両社の�咾漾―儘Z：Infineon Technologies

2)では、両社の����ロードマップを見直して�kつにまとめる。��に顧客が合��をネガティブに見ないように�R�Tを払っているとする。InfineonもIRもアウトソースを使っているため、これも互いに議�bし、例えばIRの����をInfineonの300mmウェーハラインで���]することでコスト��争��を��けることができる。

3)の財��に関して、IRは2011�Qに12.3%の営業�W益を�uていたが、2013�Q、13�Qとそれぞれ-6.5%、-7.7%の���Cを���屬靴討い�(図3)。しかし、14�Qにはすでに6.8%の���Cを出せるようになった。すなわち、リストラが終わり�W益を�mめる����になったとみなせる、とMittal��は言う。�`�Yは15%であるが、2017�Q度までには15%に戻せると見ている。

図3　IRはリストラ後、�W益を出せる����に　出�Z：Infineon Technologies

Infineonが開発してきたSiCデバイスはショットキダイオードとノーマリオンの接合型FET（JFET）。IRが開発しているGaNもノーマリオン。使いにくいノーマリオンFETのゲート入���v路をカスコード接��することで実��的にノーマリオフ動作が可�Δ覆海箸�Infineonは実証している。このゲートドライバは�H少改良する��要はあるものの、基本的にはノーマリオン動作のGaN FETにも使えそうだ。シナジー効果を�擇濬个擦襦�

IRは数�Q�i、経理�屬良埔裕�を��こしたことで�jきな混乱に陥った。その後、新しい���Uでリストラを行ってきた。Mittal��によれば、「デューデリジェンスを行った時にはもはや�Kい点は何も見つからなかった」と述べる。

両社とも日本法人がある。日本法人の今後については、まだ何も��まっていないという。これから徐々に��めていくとしている。