SiC漓嚏のファウンドリ、Raytheon UKが禍度里維を湯らかに
SiC漓嚏のファウンドリが毖柜スコットランドに2013鉗1奉寐欄した。勢柜の松幣エレクトロニクスの漓嚏メ〖カ〖であるRaytheon家の毖柜恕客、Raytheon UKは、このほどSiCファウンドリの禍度里維を湯らかにした。
哭1 毖柜スコットランドのグレンロ〖ゼズに供眷を積つ 叫諾¨Raytheon UK
SiCはエネルギ〖バンドギャップが弓く、また冷憋卵暗が光いことから光補(bǔ)瓢侯材墻で、光卵暗ˇ你オン鳥鉤が材墻なパワ〖燎灰を?yàn)戨]できる。このため泣塑ではSiCパワ〖トランジスタの瀾墑步が寵券に乖われている。Raytheon∈レイセオン∷UKのファウンドリビジネスではパワ〖トランジスタだけではなく、アナログやミクストシグナルICも崔み、光補(bǔ)の昔礙茨董で瓢侯する怠達(dá)に羹けたSiCデバイスも渾填に掐れている。票家は、極瓢賈はもちろん、抱描ˇ掛鄂、孟錢玫漢、佬聽ˇガスのエネルギ〖などの炳脫尸填を鱗年している。
科柴家であるRaytheonは、もともと勢柜のDoD∈柜松另臼∷と簇犯の考い措度であり、抱描掛鄂ˇ松幣ˇ供度尸填に動い。驕度鎊6它8000客、2012鉗の息馮卿懼馳240帛ドル(2名4000帛邊)という憚滔の措度である。この毖柜恕客であるRaytheon UK∈驕度鎊500嘆笆懼∷は、SiC瀾隴に肋灑抨獲して10鉗、これまでSiCのプロセス倡券に蝸を掐れてきた。科柴家からの廟矢を減け、これまでは家柒羹けのSiCチップ(哭2)を?yàn)戨]してきた。翁緩悸烙に極慨を燒けてきたため、海鉗の1奉にファウンドリとして辦忍輝眷にも倡庶することになった。
哭2 染譬湯なSiプロセスウェ〖ハ 叫諾¨Raytheon UK
禱窖弄には、SiC答饒懼にpn儡圭を妨喇する沸賦を姥んできており、絡(luò)緘ユ〖ザ〖から墑劑を千年されたという。すでにISO/TS 16949:2009とAutomotive Standardを艱評している。だからこそ、パワ〖染瞥攣だけではなく、pn儡圭をフル寵脫するCMOS IC、それも光補(bǔ)の昔礙茨董で瓢侯するミクストシグナル攙烯も瀾隴する。センサとパワ〖トランジスタの寥み圭わせや、センサからアナログ、ドライバ檬からパワ〖との寥み圭わせなどをセットにして蝗うという脫龐でSiC染瞥攣が欄きてくる。
この供眷で附哼瀾隴しているSiCデバイスは、MOSFET、バイポ〖ラトランジスタ、ショットキダイオ〖ド、RF MESFET、パワ〖および井慨規(guī)JFETなど。プロセス劉彌としては、リソグラフィ(1μm笆懼)、ウェットおよびドライエッチング、1800☆までの橙歡惜ˇアニ〖ル惜、N2Oガスなどを崔む1200☆までの煥步惜、RTA、メタライゼ〖ションなどの劉彌を積つ。イオン慮ち哈みにはPˇNˇAlのイオンを胺い、技補(bǔ)から600☆の補(bǔ)刨で乖う。浮漢劉彌では、4kVˇ40Aのパルス磅裁、および呵絡(luò)2kVを磅裁できるウェ〖ハプロ〖バなどを?yàn)ⅳà皮い搿?/p>
泣塑に灤しては、絡(luò)きな極瓢賈輝眷があると斧るが、極瓢賈羹けだけではなく、ミクストシグナルASIC羹けも晾えるとしている。
悸狠に活侯した攙烯はまだ、尸件達(dá)や詞帽なロジック攙烯を妨喇したICにとどまっているが、アナログ紛劉アンプやパワ〖トランジスタのドライブ檬、さらにLSIやASICへとロ〖ドマップを閃いている∈哭3∷。
哭3 SiC CMOS染瞥攣の瀾墑ロ〖ドマップ 叫諾¨Raytheon UK
■納裁攫鼠
Raytheon UKから笆布のような攫鼠が流られてきました¨
ˇSiCウェ〖ハサイズ¨4インチ
ˇ欄緩墻蝸¨2,500綏/奉
ˇ6インチ步の徒年¨2015鉗稿染
ˇ欄緩している瀾墑の墑謄¨パワ〖染瞥攣がほとんど。呵介のデジタルIC≤アナログIC瀾墑はサンプル叫操面、2014鉗に翁緩?fù)侥?/p>
