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次世代社会システムを議bしたシリコンシーベルト

経済発tと、エネルギーの確保、環境保というつの要素は、それぞれトレードオフの関係があるためジレンマ(Dilemma)ではなくトリレンマ(Trilemma)と、W川電機システムエンジニアリング業霙垢脳執行役^の中oは}ぶ。2月19日に九Δ燃された「シリコンシーベルトサミット福K 2013」ではトリレンマがBに屬辰拭

図 シリコンシーベルトのパネルディスカッション風景

図 シリコンシーベルトのパネルディスカッション風景


W川電機は、そのトリレンマを解するためのめ}となる再擴Ε┘優襯ーを收するためのインバータやモータドライブ、FAの省エネシステム、パワーコンディショナー、エネルギーマネジメントシステムにを入れている。もちろん、再擴Ε┘優襯ーが今すぐj(lu┛)きなビジネスとして成り立つわけではない。しかし、長期的な菘世らj(lu┛)電化、小型化、省エネ化などを進めている。

k(sh┫)、再擴Ε┘優襯ーを推進するだけがCO2削}段ではない。電のW(w┌ng)効率を屬欧襪海箸癲∋斑するエネルギーをらせるためCO2を削できる。九工業j(lu┛)学の電気電子工学研|U教bのj(lu┛)krは、エネルギー効率向屬砲茲CO2削をネガワットと}び、電收コストをソーラーや風のエネルギーと比較した。500Wクラスで効率の高いインバータを]するのに要なコストは0.15櫂疋/kWhと低く、300Wのソーラーの0.55櫂疋/kWh、5MWソーラーの0.42櫂疋/kWh、100kW風の0.2櫂疋/kWhなどと比べ、電を作りだすコストがWくなることを見積もっている。

インバータの効率を屬押▲好ぅ奪船鵐案虻遒量犠Gな電をらすことのできるデバイスがSiCパワーモジュールである。電をスイッチングさせる場合、電流そのものを流したりVめたりするためのトランジスタと、高]ダイオードを並`に接する。この高]ダイオードは、Xを切りえる時のオーバーシュート・アンダーシュートの堙賄杜(電荷)を素早くらしスイッチング電をらすために使う。ダイオード、トランジスタ(MOSFET)の二つともSiからSiCへ変えると動作周S数が屬り、ロスは少なくなる。しかも同じ耐圧ならSiCは、オンB^をSiよりもらすことができる。菱電機は、東Bメトロ銀座線の新型Z両のv撻屮譟璽システムのキモとなる、直交変換インバータにSiCのダイオードとSi IGBTを使い、電を38.6%削したという。トランジスタをSiのIGBTからSiCのMOSFETに変えるとさらにスイッチングスピードが屬りロスがり、効率はさらに屬る。しかし、SiCウェーハはSiよりも10倍以峅然覆高いため、が限られている。菱電機は、SiC MOSFETをインバータだけではなくモータドライブU御にも使うなど、さらに進化、低コスト化を進めていく。

パネルディスカッション(図)では、次世代社会システム構築とアジア地域との連携について議bした。これまで半導はIT分野でたくさん使われてきたが、そのITの役割が企業中心から社会へと変わってきた、と菱商顧問の岩野和は語った。IBMに長Q在籍した同は、クラウドがサービスの基盤になってきており、ITは個人や企業の所~から使へと変わってきており、その_要な\術となるものがY化と共~化であると述べた。社会の駘インフラやサービスの基盤としてのITが求められるようになるという。

社会インフラのD△不科な発t峭颪任蓮電がグリッドではなく地域ごとにソーラー・バッテリとのセットによって供給されるプレイス&プレイ(P&P)という考え(sh┫)を、電気通信j(lu┛)学j(lu┛)学院情報理工学研|科教bのx川晴久が提案した。いわゆるエネルギーの地栧消である。峭颪妊肇螢譽鵐泙魏鬲できる}段のkつになる。インターネットやアクセスU、基(chu┐ng)係ともP&Pの元で構築すると共に、業にはワイヤレスセンサネットワークによる収\の効率向屬鰆`指そうとしている。同の研|室ではμW以下で動作する半導チップやエネルギーハーベスティングで動く通信チップなども試作している。

キヤノン顧問の南谷崇は、次世代社会システムのための7つの提言としてプレゼンした。言の定Iについて議bがきたものの、エネルギーのトリレンマをITの最適化で解しようと提案した。

パネルディスカッションでは、IT、次世代社会、トリレンマというキーワードが議bの場に出てきたが、肝心の半導は、センシングやアクチュエータ\術しか議bに屬蕕覆った。社会システムを動かすIT、そのITに要な機Α△修竜Δ鮗存修任る半導。半導を使えば、社会システムをどう変えられるかという議bが望まれたようだ。

(2013/02/22)
ごT見・ご感[
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