図　エルピーダの業績　2009�Q度��3四半期（10〜12月）から�v復した

今��の売り�屬欧����i期（2010�Q1〜3月）比では28.8%と�Pばし、営業�W益も6.7%�\と�Pばした。��高の影�xで為��差��が40億����度あったものの、ドルとリンクしている��湾元のおかげで、��湾での�攵�が為��の影�xを少なくしてくれた。日本だけで�攵�すると為��の影�xをまともに�pけてしまう。

今�vの好調さは、DRAM単価が2009�Q11月〜2010�Q2月に3ドル〜2.5ドルの間にいて、2月から8月に2.45ドルと15%��度下がってきたが、こういった価格の緩やかな下落にも�官�できたこと、しかもDRAMのASP（平均単価）が9%�峺�していること、などDRAM�x場が��調な動きを��していることが�jきい。�歡��h会社のアイサプライの調べでは、DRAMの充�B率は2010�Q4〜6月は1.01とわずかに出荷量が��要量を���vったが、2010�Q7〜9月および10〜12月にはそれぞれ0.96、0.95と供給不�Bになると予�[している。同社代表�D締役社長兼CEOの�Z本�m�d��も同様の見�気鬚靴討い襦�

エルピーダ�笋猟礇灰好伐修���動も奏功した。広��の工場と��湾のレックスチップ社の工場におけるコスト差は5%にまで縮まった、と�Z本社長は語る。これまでは��湾のレックスチップがDRAMを�Wく作るためにプロセス工��の�]縮、マスク��数の削��などプロセス改��努��を行い、低コストで作るラインを構築してきた。このためレックスチップと広��工場とのコスト差はずっと�jきかったという。その間、広��工場はレックスチップの低コスト�\術を採り入れることは��くしなかった。しかし、新たに赴任した広��工場の責任�vがレックスチップの低コスト�\術を採り入れるように指導を行い、広��工場がレックスチップ社を見�{ったことでコスト差が5%まで縮まったのだと�Z本社長は言う。この5%の差こそが日本と��湾との差になる。

エルピーダは、��湾とのコラボレーションをさらに進めていく��画だ。「中国よりも��湾との関係を密にしたい」(�Z本社長)。ロジックとDRAMとの積層�\術についてウェーハファウンドリのUMC、ICパッケージングのパワーテックテクノロジー（Powertech Technology）社と共同でTSV（スルーシリコンビア）�\術を開発していくことを��めたが、その理�yを以下のように語る。「UMCはTSMCよりも協��的だったし、パワーテックは日本のアセンブリメーカーよりも��争��がある。2011�Qの��2四半期にはTSV����を出したい」。

フラッシュメモリーでも同社は�櫂好僖鵐轡腑鵑閥ζ韻�MirrorBit�\術のNANDフラッシュを開発する旨を発表したが、今後は「NORフラッシュの�W益率が圧倒的に高いので、今後NORフラッシュも開発したい」と�Z本社長は�T気込む。

広��工場では、今後モバイル機�_向けのDRAM（3xnm/40nm/50nm）に�R��するとしている。これはモバイル�x場がスマートフォンやタブレットPCが成長のエンジンになるため「この�x場は絶�瓦貌Dりたい」(�Z本社長)。今でも�攵��ξ�の2倍もの��要があると見ている。��に2011�Qの後半になると��DRAMの3割をモバイル向けが��めるようになると見ている。ただし、他社も50nm以下のモバイルDRAMを�攵�するのなら供給�埔蠅龍欧譴盻个討�る、と警��感を緩めない。パソコン��DRAMはパソコンの�Aい��え��要が2011�Qに�Pびてくると見ており、これらは��湾で�攵�する。

この�x場に向けて、MCP（マルチチップパッケージ）を進めていく。現在のモバイル��RAMはPoP（パッケージオンパッケージ）で2G/4Gビット����を�攵�しているが、チップを積層するスタック型のMCPに��を入れていく。

現在、TSVはコストが高いことが最�jの問��であるが、TSVの低コスト化に�瓦靴討蓮�2013�Q〜2014�Qごろには現在のワイヤボンディング法並みに�Wくできると考えている。コストダウンのためにはTSVを加工するためのエッチング����などを�O社で開発する�妓�だ。スループットを�屬押⊃爾す造��W定に加工できる����を開発することで、コスト的に見合うようにできると信じている。もちろん、�O社で����を���]するのではなく����メーカーに依頼する。

今後の微細化�\術には、EUVリソグラフィを����メーカーと契約し、2012�Qには納入されるという。ただし、同社内のエンジニアによってEUVかダブルパターニングかは�T見がまだ分かれている。