�j(lu┛)阪との2元中�M(f┬i)の��洋電機記�v発表会

��洋は、2�Q�iに3MWの�陵枦澱咾鬟好撻ぅ鵑法�2.5MWを��(sh━)国に設��したという実績がある。しかし、今�vの7.6MWはその��模を�j(lu┛)きく��?j┼n)vる。同社の岐阜羽��の開発センターに設��した�陵枦澱咫��屬離好薀ぅ鼻砲�12倍の��模だというから、その�j(lu┛)きさが�[�気任�るというもの。

今�v、イタリア南�陲棒���するという��画は、ドイツ銀行�@�俏��投�@�靆腓�長期的な投�@効果を狙って�陵杆�発電所を�eつことで進められた。ドイツ銀行は発電した電��を電��会社に売ることで投�@を�v収していく。この投�@�v収が�Q�W(w┌ng)率に換�Qして�科�高い�W(w┌ng)率になるとの���Qがあるのだろう。

なぜ��洋が��(li│n)ばれたか。��洋の開発したHIT（Heterojunction with Intrinsic Thin layer）構�]の�陵枦澱咾聾�率が20%と高く、ウェーハを薄くしても効率はさほど落ちない。ちなみに今�vのシリコンウェーハの厚さは200μm��度だという。HIT�陵枦澱咾��h価をドイツ銀行がドイツのフラウンホッファー研�|所に依頼した�T果、出��はカタログ値に�Zく、バラつきは他社��と比べ最も小さかったという。加えて、��洋はハンガリーに�陵枦澱咼僖優襪��攵妌場を�eつ。しかも、�O社のグローバルな工場にはインゴット（����(sh━)）からセル�攵�（日本）も可�Δ砲覆辰討�り、�陵枦澱咾離汽廛薀ぅ船А璽鵑�確立していた。すなわち�W定供給できるという��(d┛ng)みもあった。

欧�Δ離魯鵐�リーで�攵�しているHIT�陵杆�パネル

単�T晶シリコンは、設���C積当たりの発電量が�Hく、しかも�陵杆�をトラッキングすることで発電量をさらに20〜30%�\やせる。今�v、トラッキング�~動架��1��につき18��の�陵枦澱咼僖優襪鯏觝椶掘��陵杆�を日の出から日没まで最適な向きに�{いかける。この架��を1789��設��する。�陵枦澱咼僖優襪蝋膽�3万2202��にも�屬襦�パネル1��の出��電圧は35.1Vで、出��電��は235W。このパネルを18��直�`接��し、632Vまで��(j━ng)圧する。1�Qを通じて、他のトラッキングパネルが陰にならないように設��間隔を���Qしながら設��する予定だとしている。

このトラッキングシステムは、ドイツのIdeematec社��のST-25という����。1軸式で��(k┫)直��(sh┫)向には30~38度の�J(r┬n)囲で�w定されるが、水平��(sh┫)向には日が出ている限りその向きに�{��できる。�{�_角度は現地で調�Dする。

��洋電機が開発したHITは単�T晶シリコンの両�Cに、�S長の�]い�陵杆�も吸収するためアモーファスシリコン薄膜を��けている。単�T晶シリコンは�S長の長い光を吸収する。研�|レベルでは23%まで行っているが量��レベルでも20%に達しており、単�T晶シリコン�陵枦澱咾蓮�薄膜や�~機、化合�颪覆鼻���合の�陵枦澱咾犯罎戮動掬歸�に��(d┛ng)い。開発���屬��陵枦澱咾聾��|レベルと量��レベルの効率は��くと言ってよいほど違う。しかも�j(lu┛)�C積でバラつきを��(f┫)らすことは至�Mの業だ。�H�T晶シリコンはまだ単�T晶の��合相�}になるが、薄膜�Uは今のところ��く��が立たない。しかもHIT構�]は70℃の高�a(b┳)でも変換効率が20℃の時のそれと比べて1割しか落ちない。�H�T晶だと2割も落ちるという。�陵枦澱咾療徹気蓮��a(b┳)度とともに直線的に落ちていくが、元々電圧の高いアモーファスシリコンは落ち��(sh┫)のパーセンテージで表せば�H�T晶シリコンよりも落ちにくく見えるためだ。

ハンガリーで開発している?y┣n)陵枦澱咼僖優襪任蓮▲轡螢灰鵑��C積を�~効����するため、丸い5インチウェーハを、丸みを��けた六角形に加工し直し、ハニカム構�]でパネルに張り��けている。ハニカム構�]だとシリコンの切りシロが少なく、シリコン�C積を�~効に����できる。��形ウェーハで���Qするため��の�j(lu┛)きさを100とすると、ハニカムは83だが、��来の四角形は64になる。パネルに設��する��(sh┫)法が両�vで異なるため、厳格な比較���Qはしていないという。本間副社長は、2013〜14�Qごろをメドにグリッドパリティにできると見ている。