トランジスタから攙烯、デ〖タセンタ〖まで升弓く慨完拉啼瑪を的俠したIRPS 2025
IEEE 2025 International Reliability Physics Symposium (IRPS 2025)が3奉30泣から4奉3泣に勢(shì)柜カリフォルニア劍のモントレ〖で倡號(hào)され∈哭1∷、染瞥攣デバイスの慨完拉と拉墻羹懼に簇する驢呆にわたる甫墊が券山された。いくつか謄についた怪遍を?yàn)Rってみる。
哭1 IEEE 2025 International Reliability Physics Symposiumが倡號(hào)されたカリフォルニア劍モントレ〖
Keynoteでは、TSMC、Intel、Wolfspeed、Applied Materialsからのプレゼンテ〖ションがあった。庚片券山ではGaNデバイスとMOSFETのGate/MOL冷憋遂についての券山が驢く、肌いで糠憚メモリ、BEOL慨完拉、トランジスタ、攙烯、Neuromorphic、慨完拉テスト、SiCデバイスなどの券山が驢かった。
GaN、Siプロセス、デバイス、攙烯の慨完拉
GaNデバイスのセッションでは、Schottky p-GaN Gate HEMTsにおいて補(bǔ)刨とゲ〖トバイアスが風(fēng)促に涂える逼讀を尸老した甫墊などの券山があった。RTN∈Random Telegraph Noise∷豺老により、風(fēng)促の潑魔とデバイス昔步のメカニズムを豺湯し、光補(bǔ)では風(fēng)促が寵拉步し、你補(bǔ)では糠しい風(fēng)促が欄喇されることを斧叫している。(俠矢戎規(guī)8A2)
糠憚メモリのセッションでは、デ〖タ瘦積に動(dòng)投排攣遂を脫いた3D NAND房メモリにおけるメモリウィンドウとデ〖タ瘦積潑拉の猖簾に簇する券山があった。デ〖タ瘦積脫の動(dòng)投排攣遂面に賃掐した投排攣霖の疤彌が潑拉を瘋年し、トンネル投排攣霖∈TDL∷を蝗脫したFE∈ferroelectric∷FETでは奧年したデ〖タ瘦積と弓いメモリウィンドウが評(píng)られるとの鼠桂があった。(票6B1)
BEOL∈Back-End of Line∷慨完拉のセッションでは、潤(rùn)堆辦な排眷がBEOL投排攣の渡疥弄な風(fēng)促欄喇に涂える逼讀を豺老する糠しい3D TDDB∈Time Dependent Dielectric Breakdown∷モデルの券山があった。LEFAM∈Local Electric Field-Aware Model∷と鈣ばれるこの緘恕では、ラインエッジの療さやビアの疤彌ずれなどの傣部池弄恃瓢を雇胃することで、慨完拉の光い徒盧が捏丁できる。(票6C3)
トランジスタの慨完拉のセッションでは、怠常弄ストレスがIGZO泅遂トランジスタ∈TFT∷の拉墻と慨完拉に涂える逼讀を拇べた甫墊馮蔡の券山があった。この甫墊ではストレスにより、デバイスのしきい猛排暗が賴にシフトし、排灰トラップが籠裁することが斧叫されている。3D DRAM禱窖の經(jīng)丸に羹けたIGZO TFTの慨完拉羹懼への炳脫が袋略される。(票6A1)
攙烯を蝗った慨完拉のセッションでは、28nm CMOS禱窖を脫いた攙烯の慨完拉を你補(bǔ)茨董で刪擦した馮蔡の券山があった。この甫墊ではリングオシレ〖タを蝗って端你補(bǔ)でのBTI∈Bias Temperature Instability∷とHCD∈Hot Carrier Degradation∷の昔步を刪擦している。その馮蔡、端你補(bǔ)の瓢侯ではBTIとHCDによる昔步が娃擴(kuò)され攙烯の瓢侯マ〖ジンが猖簾すると鼠桂している。(票7B2)
攙烯を蝗った慨完拉に簇する甫墊では、懼淡の戮にも端你補(bǔ)瓢侯での慨完拉に簇する券山(票7B3)があり、簇看の光さを磺うことができた。
デ〖タセンタ〖での慨完拉も的俠
この戮、慨完拉テストのセッションでは、デ〖タセンタ〖などでHPC(High Performance Computing)を毀えるパワ〖デバイスの慨完拉についての券山があった。ゲ〖ト煥步遂面の風(fēng)促や冊(cè)畔附據(jù)における排暗オ〖バ〖シュ〖トなどを草瑪ととらえ、これらに簇する慨完拉啼瑪をスクリ〖ニングする緘恕について鼠桂している。(票10A2)
また、システム慨完拉のセッションでは、SDE(Silent Data Error: ユ〖ザ〖が丹づかないうちに彈きているエラ〖)を、動(dòng)步池漿を脫いて浮夢(mèng)する緘恕についての券山があった。(票8C1) 尉莢の券山からデ〖タセンタ〖における慨完拉に灤する簇看が光まっていることを炊じた。
IRPS2025は、券山に灤燙とオンラインの尉數(shù)でアクセスすることができるハイブリッドコンファレンスであり、徊裁判峽をすれば、柜狠柴的の姜位稿もしばらくの袋粗、券山柒推にオンデマンドでアクセスできる。
また、IRPS2026は2026鉗3奉22泣から26泣の袋粗に勢(shì)柜アリゾナ劍ツ〖ソンで倡號(hào)される徒年である。
徊雇獲瘟
1. M. Millesimo, et al., ∩RTN Analysis of Schottky p-GaN gate HEMTs Under Forward Gate Stress: Impact of Temperature∩, 俠矢戎規(guī)8A2, IRPS 20205, (April 2025)
2. P. Venkatesan, et al., ∪Enhanced Memory Performance in Ferroelectric NAND applications: The Role of Tunnel Dielectric position for Robust 10-year Retention∩, 票6B1, IRPS 20205, (April 2025)
3. Y. Fang, et al., ∪Local Electric Field–Aware 3D TDDB model for BEOL reliability predictions∩, 票6C3, IRPS 20205, (April 2025)
4. K. Vishwakarma, et al., ∪Impact of Mechanical Stress on IGZO TFTs: Enhancing PBTI Degradation∩, 票6A1, IRPS 20205, (April 2025)
5. J. Diaz-Fortuny, et al., ∪Investigation of Cryogenic Aging in 28 nm CMOS: Suppression of BTI and HCD in Circuits and SRAM∩, 票7B2、IRPS 20205, (April 2025)
6. T. Islam,et al., ∪Aging Characterization at Cryogenic Temperature with Synthesizable Odometers in 12nm and 28nm∩, 票7B3、IRPS 20205, (April 2025)
7. ∪J.Hao, et al., ∪Enhancing Reliability of Power IC and Power Devices for AI Hardware: Addressing Gate Oxide Defects, Transient Voltage Overshoot, and BV DSS Instability∩, 票10A2, IRPS 20205, (April 2025)
8. M. Shamsa, et al., ∪Improved Silent Data Error Detection through Test Optimization using Reinforcement Learning∩, 票8C1, IRPS 20205, (April 2025)
