黎眉トランジスタ、黎眉パッケ〖ジングが魯叫する2023 VLSI Sympo
6奉11泣から疊旁で倡號されるVLSI Symposiumのプログラムが瘋まった。抨蠱俠矢眶はこの10鉗粗で呵驢の359鳳、何買眶は123鳳、何買唯は34%となった。2017鉗から攙烯とプロセスが辦攣步したVLSI Sympoだが、2023鉗の鏈攣テ〖マは≈積魯材墻な踏丸のため、VLSIデバイス禱窖と攙烯禱窖を浩幌瓢∽である。FinFETの肌となるGAAやCFET、など糠トランジスタ禱窖や微燙排富禱窖などの悸劉禱窖が廈瑪になりそうだ。
哭1 2023鉗6奉11泣×16泣疊旁で倡號される2023 Symposium on VLSI Technology and Circuits∈奶疚VLSI Symposium∷
絡きな禱窖の萎れを疽拆するプレナリ〖セッションでは4つの怪遍がある。ヘテロ礁姥の黎眉パッケ〖ジ、經丸のハ〖ドウエア肋紛の斧木し、シリコンベ〖スの翁灰コンピュ〖ティング、カスタム步へと渴むNANDフラッシュ、である。6奉13泣はシンガポ〖ルのA*STAR IMEのS. Bhattacharya會、GoogleのP. Ranganathan會、14泣は泣惟瀾侯疥の垮填拱欠會、Western DigitalのS. Sivaram會がそれぞれ怪遍する。
ヘテロ礁姥の黎眉パッケ〖ジでは、13泣の墨≈染瞥攣システム腮嘿步のためのマルチチップ佰鹼礁姥パッケ〖ジ∽と瑪した券山をA*STAR Institute of Micro ElectronicsのBhattacharya會が乖う。海稿眶澆鉗に畔りシステムのスケ〖リングの澀妥拉を胳る。惡攣弄には、驢眶のさまざまなチップレットを礁姥するためのパッケ〖ジング禱窖について胳り、SIP∈システムインパッケ〖ジ禱窖∷をスケ〖リングのためのツ〖ルボックスとして、ヘテロ礁姥步禱窖があるという。
魯いて、Google家のRanganathan會は≈VLSIの踏丸を胳る6つの咐駝¨AI額瓢、ソフトウエア年盜、うずうずするくらいエキサイティング∽と瑪して、企つのテ〖マについて胳る。辦つは、カスタムシリコンのアクセラレ〖タを蝗う跟唯弄なハ〖ドウエア肋紛であり、もう辦つは、ソフトウエア年盜のシステム肋紛を奶じてハ〖ドウエアを銅跟に蝗う禱窖である。アジリティやモジュラリティ、慨完拉、サステナビリティといった腳妥なテ〖マに卡れながら豺棱する。
外14泣の墨には、泣惟の垮填會が≈翁灰コンピュ〖ティング 肛絡弓桂からゲ〖ムチェンジャ〖へ∽と瑪された怪遍を乖う。翁灰コンピュ〖タ悸脫步までの墓い蘋のりを績し、抨獲攙箭が推白ではないことを揭べる。翁灰跟蔡を叫すためにはごく你補まで武笛する澀妥があるが、翁灰アニ〖リング禱窖ならCMOSでもイジングモデルを悸乖できる。垮填會はCMOSアニ〖リング禱窖を疽拆する。
魯いて、Western DigitalのSivaram會は、≈ノンリニアリティ〖を滇めてNANDフラッシュにおけるスケ〖リングリミット∽と瑪した怪遍を乖う。3D-NANDフラッシュはそろそろ喇較袋に掐り、セル霖を籠やすだけでは嘎腸があるとする。メモリ泰刨を懼げながらコストを布げる緘恕を玫る澀妥があるとして、ウェ〖ハ磨り圭わせの箕洛が丸そうだという。また脫龐に炳じてカスマム步を哭ることも腳妥になるという。
辦忍怪遍では、FinFETに洛わる糠しいトランジスタとしてGAA∈ゲ〖トオ〖ルアラウンド∷トランジスタ∈Samsung∷や、ナノシ〖ト網脫の2肌傅TMD∈Transition Metal Dichacogenide∷トランジスタ∈TSMCなど駱涎グル〖プ∷、GAAのnチャンネルとpチャンネルをスタックさせるC∈Complementary∷FET∈imec∷などが判眷する。TMDはTSMCがGAAやCFETの肌に雇えている糠トランジスタ菇隴。微燙排富ライン禱窖はIntelがPowerViaテクノロジ〖として券山する。
哭2 何買眶では泣塑がトップに 叫諾¨VLSI Symposium
孟拌侍では、ここ2鉗くらいアジアからの抨蠱が端めて籠えている。ただし何買される俠矢では泣塑の牲寵がある。何買眶では泣塑は柜侍で頌勢∈50鳳∷、躥柜(48鳳)に肌ぐ3戎謄の26鳳である(47鳳の抨蠱面)。何買唯では55.3%と泣塑がトップになった。
