IEDM 2021、1nmノード�\術ではバルクの電源レールを検討
2021�Q12月11日（土）のチュートリアルから始まるIEEE主��IEDM（International Electron Device Meeting）の講演��要が�wまった。基調講演は12月13日（月）午�i中の3�Pで、�QSamsung、Facebook、IBMから発表される。開��はいつものサンフランシスコのヒルトンホテルだが、オンラインとのハイブリッドである。
図1 IEDM 2021が開��されるサンフランシスコの荽〇１読��v
今�vの基調講演は3�P。SamsungのK. Kim��による「The Smallest Engine Transforming Humanity: The Past, Present, and Future（人類を変える最小のエンジン：�垉遏Ω什漾μね茵法廚�、FacebookのM. Abash��の「Creating the Future: Augmented Reality, the next Human-Machine Interface（未来を創�]する：AR、次世代のHMI）」、そしてIBMチューリッヒ研�|所のH. Riel��による「Quantum Computing Technology（量子コンピュータ�\術）」である。バラエティに富んだトピックスが並んでいる。もっともわかりにくいのがSamsungの講演タイトルで、イメージしにくい。しかも��要は�o表されていない。
IEDMで定��したフォーカスセッションは、最�Z��に�R�`されている�\術（Emerging Technologies）について�d待講演が設けられているセッションである。次のセッションが今�Qのフォーカスセッション；
・セッション3：先端ロジック�\術；デバイス、�v路、チップのスタック�\術−設��、���]、メトロロジーの問��と機会
・セッション14：エマージングデバイスとコンピュータ�\術；量子コンピュータのデバイス�\術
・セッション25：メモリ�\術/先進ロジック�\術；メモリ中心コンピュータ�\術のSTCOと3D集積
・セッション35：センサ、MEMS、バイオ/光エレクトロニクス、ディスプレイ、イメージング；VR�\術とスマートセンサ
・セッション38：エマージングデバイスとコンピュータ�\術/光エレクトロニクス、ディスプレイ、イメージング；トポロジカル材料、デバイス、システム
�k般講演では、1nm〜2nm�\術として、バルクに電源レールを配��し、信�ﾀ�とレイヤーを別にするBPR（�mめ込み電源ライン：Buried Power Rail）に関して、ベルギーimecやASMが、ビア-BPRメタル間、W（タングステン）のBPRスタックによる配線�B�^の低��、WコンタクトとFETのソース/ドレインコンタクト�B�^の調�Dと平行なW-BPR配線、Mo（モリブデン）BPRの導入など、BPRのさまざまな検討について講演する（22.5）。さらに、imecチームはCadenceやブリュッセル�j学と組み、2nmノードにおける裏�C配線を�W��するLSIを提案し、その配線を使ったSRAMマクロとロジックの設��についても述べる（22.4）。
5nm未満のノードでは3D-ICやチップレットが��躍するようになり、ファブレスのQualcommも深く関わってくる(22.3)。同社はモノリシック2次元（M2D）チップの設��に関してヘテロプロセッサチップやチップレットの集積や、パーティショニングに関して今後��須になるとアブストラクトに記述している。これからはM2Dと3D-ICの集積などシステム性�Δ虜播�化が�_要になるとしている。
量子アニーリングに使われるIsingモデルは、半導��メモリの形で表現できるが、ITRIと��湾国立�j学が開発したインメモリアニーリングユニット（IMAU）チップは、巡�vセールスマン問��を2000 TOPS/Wという高い電��効率の性�Δ納��Qしたという発表を行う（21.3）。
�k般講演は、��来のメモリやロジックに関する発表も�Hく、例えばメモリは�f国勢が�Hい。変わったところでは、IntelがGaNとSi CMOS�v路との集積において、GaN FinFETを試作、最�j動作周�S数fTが300GHz、fmax400GHzという高周�S性�Δ魴eつことを��す（11.1）。
IEDMの�k般講演は�rりだくさんだ。RAMベースのAIチップなどインメモリコンピューティング�\術のチップやデバイスも�\えている。
