IoT時代に向けセンサやヘルスケアチップが\するVLSI Symposium
6月9〜12日、ハワイで開されるVLSI Symposium では、IoT(Internet of Things)時代に向けセンサやヘルスケア関係のb文が\した。デバイス・プロセス関係のTechnology靆腓任蓮応募総数224Pの内85Pが採Iされ、Circuits靆腓任脇420Pの内96P採Iされた。センサ・ヘルスケアはCircuitsにHい。
Technologyにおける初日の基調講演はARM社フェローのRobert Aitkenが「IoTのデバイスと\術実◆、ソニーの業執行役^SVPの田啓krは「情報爆発時代の顧客の価値創]」としてそれぞれ行う。やはり、IoTは時代のキーワードだ。投MP数に瓦靴萄隣Iの比較的Hい分野は、プロセスとノンSi、アナログ/RF/MEMS。
10nm、14nm時代ではFINFETFDSOI(fully-depleted silicon on insulator)のトランジスタの検討をIBMとSTMicroelectronicsが行っている。FINFETは、ドレイン空層を3妓から閉じるが、FDSOIは峅爾2妓から空層を閉じる。どちらもリーク電流を小さくできる点で同じであるが、作りやすさにおいてはh価が分かれる。基コストはSOIの気高いが、来のプレーナMOSFET\術を使える。FINFETはバルク主であるため基コストはWいものの3次元加工がMしい。総合的なコストのh価を待ちたい。今vは、10nmでもFINFET\術を使えることを、峙2社の他、Samsung、GlobalFoundries、UMCも共同です(図1)。またFDSOIは14nmまでは微細加工可Δ覆海箸IBM、STMicroelectronicsとCEA-LETIが共同で発表する。14nm時代まではFDSOIFINFETだが、10nm以TではおそらくSOIをWするFINFET時代になろう。リーク電流敢が完璧になるからだ。
図1 FINFET\術は10nmでバルクもSOIでも形成できる 出Z: 2014 Symposium on VLSI Technology b文番T2.2 Samsung, IBM, STMicroelectronics, GlobalFoundries and UMC
Technology靆腓亡悗靴討脇本の採I数は、21Pになり、ここ数Qjきな変化はない。半導メーカーの発表は少なく、複数の発表は東の4P、その次は東Bエレクトロンの2Pのみ。LEAP(低電圧デバイス\術研|組合)が3P、噞\術総合研|所が2Pあり、残りはj学というX況だ。これは1著vの所錣鬟戞璽垢某瑤┐据P数であり、で最もHいP数はIMECの10P。次がIBMの5Pとなり、1位との差がjきい。
Circuitsではセンサ・~線通信・PMICがPt
Circuits靆腓糧表分野では、デジタル、通信、メモリ、アナログに分けると、アナログが最もHく43P、次がデジタル27P、通信18P、メモリ8Pとなる。これらはバランスも考えながら採b文をめられるが、投Mb文で最もPびている分野はセンサ・バイオ・ヘルスであった。ここでは2012Qから毎Q39P、46P、62Pと\加してきた。投Mb文でのPびが顕著な分野は、ほかに~線通信とパワーマネジメントがある。~線通信は28P、37P、46Pと\え、パワーマネジメントも40P、42P、51Pと\加向にある。
R`されたb文では、セキュリティ\術を集積したICをIntelや、神戸j・東jの共同チームなどが発表する。プローブ接Z情報盗への敢や暗イ愁▲セラレータなどで棺茲垢。また、消J電を削するためにセンサをオンチップに集積し電をOU御するICや、ワイヤレスセンサの医への応がj学を中心に発表される。C白い試みでは、ボンディングパッドがくないチップがUC BerkeleyとStanfordj学から発表される(図2)。これはエネルギーハーベスティングの応で、マイクロSを照oして電変換し無線チップを動かしデジタル変調したミリSを出するというもの。タグへの応が可Δ砲覆。
図2 ボンディングパッドのないチップ 電Sをpけて電Sを出して動く 出Z: 2014 Symposium on VLSI Circuits b文番C7-1、UC Berkeley and Stanford University
Circuits靆腓任、採I数のHい機関はミシガンj学の7P、そしてオレゴンξj学の5Pがく。採I数3P以屬岼13社の中に日本の機関がkつも入っていない。ただし、国別の採I数は、盜51Pの次に日本と湾が共に14P、以下f国の6Pがく。2012Qまで日本の採I数は20P以屬鮨,靴討い燭、それ以Tは少向がく。