呵介の睛墑SiC JFETを蝗ったEasy1Bパワ〖モジュ〖ル≥漣試
SiCトランジスタの介めての睛墑を疽拆する。ドイツのインフィニオンが倡券したこのJFET∈儡圭房排腸跟蔡トランジスタ∷はMOSFETに黎額け、坤に叫ることになる。この淡禍はドイツの毖矢花伙Bodo∏s Power Systemsに非很されたものである。セミコンポ〖タルはBodo Arlt試礁券乖客とインフィニオン家から溯條非很の釣材を評た。墓矢のため2攙に尸けて息很する。海攙は媽1攙謄である。(セミコンポ〖タル)
螟莢¨ドイツ インフィニオンテクノロジ〖ズ∈Infineon Technologies∷家 Marc Buschkuhle、Daniel Domes
パワ〖エレクトロニクスでは、祿己を負らすことが呵絡の草瑪の辦つである。SiCのようなワイドバンドギャップ染瞥攣スイッチは、鳥鉤が你く、スイッチング祿己が警ないという爬で呵光の拉墻を捏丁できることが夢られている。10鉗漣、インフィニオン家はSiCショットキバリヤダイオ〖ドを瀾墑步した。海、SiCのJFETを你ロスのパワ〖デバイスとして塔を積して潔灑している。
インフィニオンのEasy1B PressFIT悸劉コンセプトのメリットを寥み圭わせ、光跟唯で光慨完、輻洗で蝗いやすいソリュ〖ションを捏丁する。
SiCパワ〖デバイス
SiCパワ〖デバイスを辦つのパワ〖モジュ〖ルに寥み哈むこと極攣は糠しい禱窖ではない。眶鉗漣、SiCショットキバリヤダイオ〖ドの積つ、祿己の警ない材墻拉を網脫し、IGBTのタ〖ンオンエネルギ〖を負らし、ダイオ〖ドのリカバリ祿己を負らせることを績してきた。SiC JFETが瀾墑として粗もなく掐緘材墻になるため、フルSiCのデバイスで祿己をさらに負らせる材墻拉が叫てきた。IGBTのテ〖ル排萎による祿己をなくせるようになるからだ。糠しいSiC JFETモジュ〖ルが晾う炳脫尸填は、浩欄材墻エネルギ〖やUPS∈痰匿排排富∷など跟唯腳渾の尸填である。
木儡額瓢JFETの詞帽な攙烯
糠瀾墑の1200V/30AのSiC JFETモジュ〖ルでは、杠狄ニ〖ズに呵もよく圭うとしてハ〖フブリッジ菇喇を聯買した。これによって、輝眷抨掐までの倡券袋粗を沒教し、鏈く糠しいレベルの跟唯に苞き懼げられるようになる。
哭1に、モジュ〖ル菇喇、Easy1Bモジュ〖ル、チップ烹很繼靠を績す。1改のスイッチは3つのSiC JFETからなる。25☆の儡圭補刨での呵絡オン鳥鉤はいずれも100mΩである。
哭1 木儡額瓢のJFET
(a) モジュ〖ル攙烯、(b) 1200V/30AのEasy1Bモジュ〖ルFF30R12W1J1_B11、(c) チップ烹很毋
2改の你排暗pチャンネルMOSFETをJFETに木誤に儡魯している。この答塑弄なアプロ〖チがいわゆる、≈木儡額瓢JFET∽である。
この秦肥にあるアイデアは、你排暗のMOSFETを奶撅の瓢侯のままオンさせ魯けることである。そうすると、JFETはゲ〖トドライブ檬によって擴告できる。ゲ〖ト攙烯はロジックレベルの慨規で攻きなようにスイッチングさせることで擴告する。驕丸のカスコ〖ド儡魯攙烯と孺べ、木儡額瓢JFET禱窖を蝗えば、JFETのスイッチング瓢侯を擴告しながらダイナミック祿己も負らすことができる。
pチャンネルMOSFETを聯んだのは、JFETのゲ〖ト額瓢パスの面で大欄インダクタンスが呵も你く布げられるからである。これにより、額瓢攙烯鏈攣を1改のゲ〖ト額瓢ICとして礁姥し詞維步できる。
このことに簇していえば、インフィニオンは附哼ゲ〖ト額瓢ICソリュ〖ションを倡券面である。これを蝗えば、ユ〖ザ〖はこの木儡額瓢JFETをまるで舍奶のノ〖マリオフ房のスイッチングデバイスとして瓢侯させることができるようになる。さらに、奧鏈拉の斧孟からいえば、ユ〖ザ〖婁はなにも丹にせずIC柒で鏈ての奧鏈拉禱窖が擴告されているようにみえる。
モジュ〖ル肋紛を呵努步する
SiCダイオ〖ドファミリはEasyモジュ〖ル(哭2)に翁緩されて蝗われている。その馮蔡として、インフィニオンのSiC JFETは悸烙のあるEasy1Bパッケ〖ジに掐れて輝眷に抨掐されることになる。
哭2 呵絡165ピンまで灑えたフレキシブルなEasyモジュ〖ルファミリ
インフィニオンEasyモジュ〖ルのコンセプトは、眶鉗漣に瀾墑步された。悸烙のあるフレキシビリティや墑劑、慨完拉を積ち、いろいろな供度脫龐で絡翁に蝗われてきた。さらに、EasyBモジュ〖ルは極瓢賈脫龐でも蝗われ喇根してきた∈www.infineon.com/autoeasy∷。艱り胺いを詞帽にして儡魯の墑劑を懼げるため、モジュ〖ルにはPressFITコンタクト數及を脫いた。驕丸のハンダ儡魯と孺べ、悸劉の侯度が絡升に猴負され、欄緩コストを布げることができる。
89ピン芹誤のフレキシブルモジュ〖ルピングリッドによって、大欄インダクタンスの你い呵努なレイアウトがSiC JFETのEasy1Bモジュ〖ルに卉されている。
この答塑弄な悸劉禱窖が、SiC JFETのような光廬スイッチングデバイスを艱り胺うのに羹いている。甫墊疥で乖ったシミュレ〖ションとテストでは、レイアウトを呵努步すれば大欄インダクタンスを10~15nHに負らすことができた。∈魯く∷
試礁技廟∷
The article is permitted to translate from "1st SiC JFET Easy1B Module" in Bodo's Power Systems published by A Media, along with a permission of Infineon.
