もし、染瞥攣の腮嘿步が賄まったら々(1)
候鉗、勢柜テキサスˇインスツルメンツや泣塑のソニ〖などが、陵肌いで45nm坤洛笆慣の腮嘿步を乖わないことを券山した。また、呵黎眉のArF閉炕リソグラフィ劉彌が惟ち懼がりつつあるが、肌坤洛の光二擂唯閉炕倡券は棲好し(廟1)、EUVLの翁緩努脫には、禱窖弄にも沸貉弄にも絡きな氦豈が徒鱗されている。さらに、32nm坤洛笆慣を翁緩するためには、Cu芹俐鳥鉤の籠絡や腮嘿トランジスタのばらつき啼瑪を豺瘋しなくてはならない。
蔡たして、染瞥攣の腮嘿步はどこまで魯くのだろうか々腮嘿步の嘎腸は、いつ、どのように爽れるのだろうか々もし、染瞥攣の腮嘿步が賄まったとしたら、どのようなインパクトがあるのだろうか々
塑蠱では、染瞥攣の腮嘿步が賄まった眷圭、(1)染瞥攣の墑鹼侍に斧たインパクト、∈2∷墑鹼侍の輝眷憚滔および喇墓徒盧から斧たインパクト、∈3∷アプリケ〖ションから斧たインパクト、∈4∷坤腸客庚徒盧などのマクロ沸貉から斧たインパクト、笆懼について雇弧する。
∈1∷染瞥攣の墑鹼侍に斧たインパクト
染瞥攣の墑鹼侍の腮嘿裁供俐升尸邵を斧ると腮嘿步の呵黎眉を仆っ瘤っているのは、MPUとメモリ〖、および辦嬸のASIC□ASSPである∈哭1∷。もし、腮嘿步が賄まった眷圭、MPUとメモリには、絡きなインパクトがあると徒鱗できる。すなわち、光廬步、光礁姥步、および、你コスト步を辦刁に悸附する緘檬がなくなってしまうからだ。
インテルがマルチコア步したプロセッサを倡券し、サムスン、澎記、エルピ〖ダなどが、TSVを脫いたメモリの姥霖步を緘がけ、ザイキュ〖ブが捏晶した話肌傅悸劉禱窖が驢數燙で浮皮されている。これは、附箕爬で貸に、腮嘿步の嘎腸が斧え保れし幌めたことに付傍があるといえるだろう。
辦數、辦嬸のASICやASSPを近けば、ロジック、アナログ、および、ディスクリ〖トには、腮嘿步が賄まったことによるインパクトは、ほとんどない。これらは、貸に、墑鹼蓋銅の妄統から、腮嘿步する罷蹋がなくなっているからだ。
このことは、哭2に績したウェ〖ハ久銳の俐升尸邵を斧ても湯らかである。腮嘿步が500nm、350nm、250nm、∧、65nmと凱鷗していっても、鏈ての染瞥攣が呵黎眉の腮嘿步禱窖を蝗って侯られるわけではない。65nmの腮嘿步禱窖が倡券されても、500nm笆懼のデバイス、350nmのデバイス、250nmのデバイス、∧、×90nmデバイスは、巴臉として瀾隴され魯けている。まるで、孟霖を腳ねるように、65nmデバイスが燒裁弄に瀾隴されるのである。ただし、150nmデバイスおよび110nmデバイスのように、部らかの妄統で、染瞥攣輝眷から鏈く謊を久してしまうものもある。
∈2∷輝眷憚滔から斧たインパクト
腮嘿步が賄まった眷圭、MPU、メモリ〖、辦嬸のロジックにインパクトがあることが尸かった。では、その輝眷憚滔はいかほどであろうか々2006鉗刨の墑鹼侍の卿懼光輝眷憚滔(廟2)を斧ると、腮嘿步が賄まったとしたら∈悸狠には賄まっていないが∷、DRAM $33.8B、NANDフラッシュメモリ〖 $11.5B、MPU $33.2Bに逼讀が叫る∈哭3∷。この另下は、染瞥攣輝眷鏈攣 $262.8Bの30%に陵碰する。これに呵黎眉のロジックを裁えて、染瞥攣輝眷の腆1/3に逼讀があるといえる。嫡の咐い數をすれば、2/3には逼讀がないといえる。
ここまで、∈痰妄甜妄∷腮嘿步が賄まったと簿年した眷圭の雇弧を乖った。悸狠には、2010鉗笆慣、Cu芹俐の啼瑪により腮嘿步のスロ〖ダウンが幌まり、2013鉗にトランジスタのばらつき啼瑪、およびEUVLの沸貉弄ˇ禱窖弄啼瑪により腮嘿步が賄まる材墻拉がある。
その箕、呵も絡きなインパクトを減けるのは、どの墑鹼か々墑鹼侍輝眷憚滔と喇墓唯∈2010鉗/2005鉗∷徒盧(廟3)から、インパクトを減ける墑鹼で、呵も絡きな輝眷憚滔を積つものはMPU、肌いでDRAMである∈哭4∷。
辦數、呵も喇墓唯の光い墑鹼はNANDフラッシュメモリ〖である。したがって、腮嘿步が賄まったことにより喇墓が呵も了巢されるのはNANDフラッシュメモリ〖であるといえるだろう。ただし、澎記などは、NANDフラッシュメモリ〖の話肌傅步やナノインプリント の瞥掐などを浮皮しており、これらのブレ〖クスル〖が喇根すれば、構なる光喇墓が袋略できるといえる。
肌蠱では、PC、啡掠排廈、デジタル踩排、クルマなど、染瞥攣を面乘嬸墑として脫いるアプリケ〖ションに、どんなインパクトがあるのかを雇弧する。
∈臭∷話排妓およびK square micro solution∈臭∷懼甸フェロ〖
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廟1¨5奉16泣、ニコンは、光二擂唯閉炕の倡券を面賄すると券山した。
http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20080516/151861/
廟2¨VLSI Report SPECIAL SURVEY 42 2007染瞥攣マ〖ケットˇ措度、プレスジャ〖ナル
廟3¨アイサプライの徒盧による。
廟4¨ナノインプリントは、1995鉗に勢柜プリンストン絡池∈碰箕はミネソタ絡池∷のChou兜鑒により倡券された。怠常プレスをナノパタ〖ン妨喇に脫いる禱窖であり、排灰ビ〖ム溪各とドライエッチング禱窖で侯瀾したシリコン煥步遂モ〖ルドを脫いてポリメチルメタクリレ〖ト光尸灰泅遂に10nmパタ〖ンの啪繼を悸附し、この禱窖がナノ菇隴デバイスのための翁緩禱窖となりうることを績したことで坤腸弄に廟謄を歪びた。
