躍進する日本の発��、フラッシュメモリー
「フラッシュメモリーはメモリー密度が高くしかも軽くその�屬膨祺然�、低消�J電��かつ高信頼である」（�r�K富士�d著「躍進するフラッシュメモリ」より）。このようなメモリーとしての優れた��徴から�x場は�j(lu┛)きくなったが、長期的にはさらに�j(lu┛)きく普及すると、発���vの�r�K富士�d�F士は述べている。
�F士によれば、半導��は���k�Sとしてトランジスタがあり��二�Sは DRAM で�����Sがフラッシュメモリーなのである。
「実は携帯電�Bを牽引したのはフラッシュメモリーである」と、�F士が述べている通り、フラッシュメモリーは�m運にも携帯電�Bという�x場を見出して拡�j(lu┛)してきた。電�B番��(gu┤)を記憶させるデバイスとして最適なのだ。フラッシュメモリーは記憶情報が消えない不ｧ発��性を�~しているので電源をオフにしても電�B番��(gu┤)が保�Tされていて�W心だ。フラッシュメモリーの�j(lu┛)容量化に伴い�hや万の番��(gu┤)記憶は実��的に可�Δ任△�。いまだに低い世�cの携帯電�B普及率を考えればフラッシュメモリーの�x場は��(j┤ng)来も��るい、と�F士は予言する。
�k��(sh┫)、現在地球を�戮Χ睛糸e(cu┛)機が半導���x場をも��(ji┌ng)って来ている。報�OではNANDフラッシュメモリーで16ギガビット��の�j(lu┛)口向け10月価格が2〜3ドルであり��常に厳しい局�Cだ。ただ、10数�Q�iのDRAMにおける経�xを�擇�せばこの局�Cで均衡縮小を図ることは��しくないと思う。�\術的に�Mる日本勢は、以下に��(j┤)す新しいパイを�x場に�e込む好機だ。
フラッシュメモリーの新しい�x場はPCにおけるハードディスク����（HDD）との��き換えである。機械的に動作するHDDは�j(lu┛)変に脆弱でクラッシュが��こり今まで�j(lu┛)勢のユーザーを�c(di┌n)かせた。だがこのようなIT作業の�c(di┌n)き所は昔�Bになる日は�Zい。
最�Zになって低価格化が進み小容量のものであればHDDとの��争で価格的な��争��も劣らなくなってきたことから、実際ハードディスクの��き換えが��野に入ってきた。ノートPCは、小型化および軽量化、省電��化、衝撃に�瓦垢���(d┛ng)さが要求される点を考えればハードディスクよりもこれらの要素で優れており、さらに機械的な動きがないので��音で、高信頼化が実現する。さらにアクセスは電子的であって高�]である。
11月27日の日本経済新聞は、東��の動きを報じた。これによると、東��はフラッシュメモリーを使うパソコン��の新型記憶����「ソリッド・ステート・ドライブ（SSD）」の�j(lu┛)量�攵�を始める。現在は月間4万個の�攵���模を2010�Q度下期に60万個に引き�屬欧�、としている。
フラッシュメモリーが世に出たのは1984�QのIEDM（国際電子デバイス会議）であり動作原理と共にそのネーミングも同時に発表された。��く1985�Qには国際�w���v路会議（ISSCC）で256Kビットのフラッシュメモリーが紹介された。その時の反応は低かった、と「躍進するフラッシュメモリ」の著�v、�r�Kは語っている。
高度な内容の発表で反応が少ない場合、�kつは価値を理解できない集団が無��するケースがある。当時世�c�k流の研�|�vが誰も扱わないテーマを日本人が発表しても同胞は無��してしまう。日本でフラッシュメモリーの発表が�R�`されなかったのはこのようなケースだった。同胞が�O分の頭�Nで真剣に考えればそんな�T�bが出るはずはなかったのだが。
その世�c�k流の研�|�vの�k�陲蓮⊆造��Hいに�R�`した。この発��の偉�j(lu┛)さに圧倒されたと言える。でも�r�Kには届けなかった。彼等は間髪を��かずに�{試をした。�{試の�T果発表の��しさはすぐにわかった。インテル社は直ちに戦�S的開発プロジェクトを極秘で立ち�屬欧�。
反応が少ない場合、その二のケースはインテル社だった。極秘プロジェクト故に�k切のコメントは抑圧された。�r�K��(hu━)によれば、「85�Qのビジネスウ��ーク誌の�D材で Pashley �F士は冷淡であったしフラッシュメモリーを低く�h価した。このコメントは本心ではなかった。極秘プロジェクトが禁じたことを述べる�lにはいかなかった」という。
�H数のエンジニアをつぎ込んだ開発プロジェクトは成功しオリジナルの東��を�j(lu┛)きく引き�`した89�Q、満を�eしてインテル社がフラッシュメモリーの成果を�o表した。インテル社が真に偉�j(lu┛)だと思うのは、�o表に際してフラッシュという�r�K�F士の与えたネーミングと発��の業績を��えた点にある。
実を採ったインテルのリードは他を圧倒している。最�Zのプレスリリースでは、34 nm プロセスを開発しその基盤の�屬�32Gビットのフラッシュ�}を咲かせた。�tち、マイクロンテクノロジー社と作った合弁企業IMフラッシュテクノロジー社（IMFT）で量��するこのフラッシュメモリーは48リードの�Y��TSOP（thin small-outline package）に格納している。同社のR. Wilhelm副社長は「IMFTのNANDフラッシュ�攵�におけるリーダーシップは他社を圧倒しわれわれの期待を�屬泙錣辰拭廚判劼戮�。����は個人��ビデオカメラや携帯音楽プレーヤーに使われる。
では、今後インテル等に負けない戦�Sはあるのか？�峙�のように東��はフラッシュメモリーを使うパソコン��の新型記憶����ソリッド・ステート・ドライブの�j(lu┛)量�攵�を他に先�~けて始める。HDDの代����として主にノート型に�j(lu┛)量に供給する��画だ。�j(lu┛)容量化やコスト低��(f┫)を進め、10�Q度には売�峭�1000億����(d┛ng)を�`指す、としている。しかしながら、ソリッド・ステート・ドライブにおいて今の所は発表がない��合のインテルや��星は��ずやこの同じマーケットに参入するに違いない。だから、東��はこの�x場でトップを譲ってはならない。この�x場で果敢に�i進し相当のシェアを確保すれば、今の�e(cu┛)機は乗切ることが可�Δ世隼廚�。金融�e(cu┛)機はいつか去るのでそのタイミングで果敢に�]って出るべきだろう。
