墊端のデバイスFINFETの悸脫步がこの6奉に幌まった
肌坤洛のロジック廢LSIにおいて寵迢する墻瓢燎灰はやはり排腸跟蔡房トランジスタを脫いたCMOS攙烯になるだろう。薔に嗓濃する300帛トランジスタからなる1チップLSI(徊雇獲瘟1)は瓢侯廬刨が澆尸に廬く、かつリ〖ク排萎が井さく久銳排蝸が娃えられて介めて材墻だ。僧莢が雇えるにこの網(wǎng)爬を銅するデバイスに廟謄するとMOSFETの黎眉を瘤るのがF(xiàn)INFETだ、と雇えている。
稿揭するがF(xiàn)INFETは、その寐欄漣から廟謄を礁め剿省されて欄まれたデバイスだ。貸にインテルやTSMCはそれぞれ極家のFINFETの悸脫步に羹けた渴鷗を券山している。Tech-On 2012鉗6奉15泣の淡禍∈徊雇獲瘟2∷では、≈2012 Symposium on VLSI Technology∽のセッションにおいて、勢Intel家が22nm坤洛のCMOS禱窖を券山した、としている。1鉗稿には泣沸エレクトロニクス2013鉗7奉8泣規(guī)∈徊雇獲瘟3∷は、DRAM寒很SoCを2013 VLSIシンポジウムでインテルが疽拆したと鼠じている。この鼠桂では、寒很メモリ〖が礁姥泰刨において冊殿呵光猛の7.5Mビット/sq.mmを茫喇している。寒很メモリ〖ではFINFETの動さが券帶されている。この變墓俐で6奉にコ〖ドネ〖ムHaswell CPUが判眷し、マイクロア〖キテクチャが窗喇した。票家は屯」な臼排蝸禱窖を瞥掐して、Ultrabookやタブレット、呵糠のノ〖トパソコンにも攻努な肋紛だ、としている。
辦數(shù)、TSMCはTech-On 2012鉗12奉6泣 (徊雇獲瘟4)のセミコンジャパンの淡禍で16-10 nm坤洛のFINFETプロセスの捏丁箕袋を湯咐した、との鼠桂がある。票家 Vice PresidentのHou∈客嘆、すべて飛疚維∷が胳った。それによれば、SoC羹けのプロセス禱窖を蝗い2013鉗瑣には、惟攣トランジスタFINFETに答づく16nm坤洛プロセスの捏丁を幌めるとしている。辦數(shù)、澎記はそのホ〖ムペ〖ジで≈惟攣菇隴トランジスタの3肌傅ひずみエンジニアリング禱窖∽とのタイトルでその倡券の渴鷗を績している∈徊雇獲瘟5∷。澀妥に炳じて翁緩を鷗倡するとの謊廓だ。
FINFETのFinは、毖胳で≈蝶のひれ∽の罷蹋だが、sharks finス〖プでも蝗い、この嘆漣は絡(luò)恃に科しみやすい。Finは泅く肋紛掘鳳などにもよるが、毋えば10 nm鎳刨の更さだ。瀾隴プロセスはカリフォルニア絡(luò)池バ〖クレイ夠の兜鑒であるChenming Huが券山している哭(徊雇獲瘟6)がわかりやすい。この毋では、笆布の哭に績すようにUTBSOI(Ultra Thin Body SOI)菇隴で侯瀾されている。
哭1 Chenming Hu兜鑒が捏捌したFINFET 叫諾¨Chenming Hu、University of California, Berkeley
ゲ〖ト排端の布に冷憋遂懼にFinがありFinの尉眉はソ〖スSとドレインDが侯られ稱」排端につながる。哭でウェ〖ハはSOI∈Silicon On Insulator∷を蝗った毋を績している。ただ、悸脫步されているFINFETはバルク菇隴になっている。SOIはコスト光なので悸脫には羹かない燙がある。FINFET潑拉における呵絡(luò)の潑墓は、オフ箕のリ〖ク排萎が警ない爬にあるのだが、驕丸のMOSFETと孺べその菇隴懼オフ箕の鄂順霖がほぼ窗鏈に甲們されるのがその妄統(tǒng)だ。
FINFETが呵介に夢られる券眉になったのは1998鉗サンフランシスコで倡號されたIEDMでの券山だ。怪遍莢は底塑絡(luò)(Dai Hisamoto)である。底塑は泣惟面甫から勢カリフォルニア絡(luò)池バ〖クレイ夠(UC Berkley)に偽池していた呵面だった。UC Berkleyの婁から斧ると偽池欄が喇蔡を叫し、漢粕が阜しいIEDMにパスし、券山するのだから碰臉ながら純忿したのだ。だからFINFETを券湯したのはUC Berkleyであるとのスタンスを艱っている。それを容年することはできない。禍悸、UC Berkleyの棺弗は絡(luò)きい。勢蠟紹から甫墊獲垛を苞きだしたのだ。簍ち、煩の甫墊倡券プログラムに判峽しDARPA∈Defense Advanced Research Projects Agency¨柜松另臼光霹甫墊禍度渡∷AMEプログラムの防腆戎規(guī)N66001-97-1-8910を評て、お垛をもらっている。もちろん、この的俠には僧莢の夸俠が掐っているが、排灰排丹禱窖莢定柴の柴伙IEEE Trans. Electron Deviceにはこのことが湯績されている。ただ、IEDM俠矢の僧片莢は底塑であり、券山したのも底塑だから、面看になって甫墊に棺弗したのは粗般いなく底塑なのだ。
辦數(shù)、叉が柜の亨瘟彩池禱窖慷督衡媚は2011鉗に懷宏溺辦巨をFINFETの券湯莢に鑒涂した。1998鉗UC Berkleyが寐欄漣のアイデアの檬超でこのデバイスを光く刪擦しDARPAに拷懶しその毀辯を減けてIEDMで券山しFINFETの孟疤を稍瓢のものにしたのと孺べて、いかにも覓い。勢柜と泣塑との悸蝸の汗はこんな妨で附れた。
SRAMにおいては澎記、IBM、AMDは2008鉗とやや概い攫鼠だが、フィン妨覺の惟攣菇隴排腸跟蔡トランジスタを脫いた坤腸呵井のSRAMセルを倡券し、瓢侯を澄千したと券山している(徊雇獲瘟7)。この眷圭は、セルにおいてビットデ〖タ粕み今きのためのスイッチとしてFINFETが蝗われるケ〖スであり、FINFETは碰臉DRAMやフラッシュメモリ〖でも蝗えるのだと蛔われる。
黎の鼠桂でも湯らかになったが、FINFETの悸脫步には陵碰の箕粗が沸冊している。底塑が呵介に券山してから海まで15鉗の奉泣がたった。なぜだろうか々僧莢が雇えるに呵介はウェ〖ハがSOIであるため、コスト光にならざるを評なかった。それ肝にFINFET翁緩悸脫步はワンチップ懼に烹很するトランジスタ眶において、もう辦檬の若迢が澀妥だったが、SOIを蝗わないバルク菇隴でのプロセス倡券に構(gòu)に箕粗が澀妥だったのではないかと雇えている。
徊雇獲瘟
1ˉ300帛トランジスタからなる1チップLSIは薔に嗓濃∈2013/08/15∷
2. [VLSI] Intel家が22nm坤洛FinFET禱窖を券山、絡(luò)廓の陌怪莢が礁まる、Tech-On∈2012/06/15∷
3. Intelが22nm坤洛のDRAM寒很SoC禱窖を蠕溪、泣沸エレクトロニクス、2013鉗7奉8泣規(guī)、p.39
4. [セミコン2012] TSMCが16~10nm坤洛のFinFETプロセスや3肌傅禱窖の捏丁箕袋を湯咐、Tech-On∈2012/12/06∷
5. 惟攣菇隴トランジスタの3肌傅ひずみエンジニアリング禱窖
6. FinFET and other New Transistor Technologies
7. 澎記/IBM/AMD、坤腸呵井の惟攣菇隴トランジスタSRAMセルを倡券
