これらによると2012�QにはReRAMが本格的に実��化される見込みになった。新たなマイコンはシングルチップにReRAMを搭載する。このためにパナソニックは通常のシリコンベースのマイコンにReRAMを混載するためReRAM�w�~のプロセスを��加する。量��は���S工場が担当するとのことである。

応������は���u報���_(d│)だ。�Q家庭は法��に��い報���_(d│)を�D��けなくてはならなくなった。筆�vも���u報���_(d│)を我が家に�Dり��けた。平成21�Q5月1日改�｡⊂男彬����k条にはその�`的が書かれており、「���uを予防し、警��し及び鎮圧し、国�cの�斂拭⊃���及び財��を���uから保護するとともに、���u又は地震等の�u害による被害を軽��(f┫)する…」等々の記載がある。そしてこの改�､隆穹`の�kつは、�Q家庭に���u報���_(d│)設��の�I��を課したことにある。日本の総世帯数は4000万�咾箸い錣譴襪�、法��ではその��てに���u報��機の設��を課している。したがって、少なくとも世帯数の4000万�咾厘�要があるが、�j(lu┛)きな家は複数��を設��するだろう。他にオフィス��要を加えれば国内だけで1億��に�Zい数が��要になるだろう。加えて輸出�x場を考えれば���u報���_(d│)�x場は相当に�j(lu┛)きい。

家庭��の���u報���_(d│)では電池�~動��(sh┫)式が普及してきた。���uは頻繁には発�擇靴覆い里����u報���_(d│)の出番はほとんどないはずだ。したがって電池は長�eちして欲しい。仮に5�Q経�圓靴禿澱咾�切れたらその時に、家庭で煙や�Xが出ても報���_(d│)は動作しない。報���_(d│)にはテストスイッチがありテストできる。電池が動作している時にはスイッチを押すなら警告の�j(lu┛)音�xが出てくれる。だから�話罎頬�が�k煙が出た時、�j(lu┛)音�xで家人が�`を覚まし寝室を出て��所などの��元に��けつけて消��できれば無��に役�`を果たすことになる。

ReRAMを搭載するのは電池��命を�Pばし、かつ低電圧�~動を狙ったものと筆�vは考える。さすがに家電メーカーらしい����だ。記��によると報���_(d│)のみならず、TVやブルーレイ�{画再�攀　�医��機�_(d│)に応��があるようだ。

ReRAMはフラッシュと同じく不ｧ発性メモリーだ。SRAMやDRAMは電源が切れると書込まれた情報が消えてしまうのでｧ発性メモリーだが、不ｧ発性メモリーならば電源がなくても情報は消えない。報���_(d│)のデザインエンジニァはこの��性を使って待機時には報���_(d│)のメモリー�霾�は電��オフとするだろう。そして煙や�Xのセンサー�霾�の電源を常時オンにしておき煙と�Xの�k��(sh┫)もしくは両��(sh┫)を感�瑤靴燭藹峪�にReRAM�陲皀�ンにしてチップを動作させるだろう、と考えられるが、もちろんこれは筆�vの推�Rだが。推�R通りなら電池��要をもっと�Pばすことができるだろう。

ReRAMはシャープでも開発が行なわれている。�盜�����番��(gu┤)6,531,371を見るとシャープの�盜饂匆饉劼�Sharp Laboratories America社の二人の研�|�^がReRAM発��を出願していて2003�Qに����化されている。

ReRAMの原理はおおよそ次のようなものである。まず、���zな素材CER（Colossal Electro-Resistance）膜を使う。CER効果を�W(w┌ng)��してしきい値以�屬療徹気魄�加すると�j(lu┛)きく�B�^が変化する。�tち、ほぼ絶縁膜であるCER膜の�k�陲貌劃矛佻�が形成される。このため膜は低�B�^��になる。�B�^値が�j(lu┛)きく変わるのがこのCER膜の��徴だ。この際、�B�^比は100を��えるようにできるのでメモリー�v路としては�科�に機�Δ垢襦�

CER膜の�k例は次のように複雑である。元素記��(gu┤)Prは希土類元素でプラセオジム (Praseodymium)といわれ原子番��(gu┤)59の元素だが、この元素を含みかつCaカルシュウムとMnマンガンの3金�錣�複雑に�T合した�┣祝譴脇�文�C(j┤)を採ってPCMO薄膜と�}ぶ。1ビットのReRAMはMOSFETのソース電極に直�`にPCMO薄膜の�B�^を接��している。

この素子をマトリックスに接��してゲートをワード線としソース電極に直�`につながるPCMO�B�^のもう�k��(sh┫)の電極を仮にアースとする。ドレインはビットデータ書込みのための信��(gu┤)線にする。この�v路はDRAMと�瑤討い襦�DRAMのセルはスイッチFETのソース電極に容量を直�`に接��しているが、その容量をPCMO�B�^に��き代えたのがReRAMになる。このメモリーマトリックスで�Q行に配��するドレインの信��(gu┤)線はセンスアンプに接��されアクセスされたセルの電位を読む。この電位はセルが低�B�^（"0"）ならアースになり高�B�^（"1"）なら比較的高い電位を�~する。

ReRAM搭載型マイコンチップは初期には高コストを免れないだろうが、量��されるにつれコストが下がると考えられる。量��がコストを下げるのは長い半導����業で�Hく学ばれた��実であり、今�vも同じ経�圓鬚燭匹螢灰好箸老俎xを�_ねることで下がるだろう。そうならば��しい��争のもと、好ましい応������を見出し開発し優れた����を先に�j(lu┛)量に売り出した企業が�Mつパターンに違いない。先行企業が�~�W(w┌ng)になる。実��化に際して�Hくの工業所�~権も��まれるはずだが、日本企業が果敢にトップを保ちつつこの�Oを歩むことを期待している。