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新\術・新アップデート…ISSCC:折りQみスマホ:5G半導

かつての"デバイスのオリンピック"からますます佇まいを変えて、人工(AI)、5G、O動運転など新分野へのAが咾泙辰討いInternational Solid-State Circuits Conference(ISSCC) 2019(2月17-21日:サンフランシスコ)にて、最先端の\術へのDり組みがH様な切り口でアップデートされている。その最中に、Samsungが折りQみの、そして世c初、次世代5G\術コンパチのスマートフォンを]ち屬欧董Mobile World Congress(MWC)(2019Q2月25-28日:バルセロナ)を間ZにQ社の新]ち屬欧相次ぐこのタイミングにX気の拍Zがかかっている。

≪相次ぐQ社演≫

来最先端\術の指Yともなっていた高性Ε廛蹈札奪気b文はないといわれる今vのInternational Solid-State Circuits Conference 2019(2月17-21日:San Francisco)について、`に里泙辰腎J囲ながら以下のR`である。

人工(AI)について、FacebookのAIリサーチ靆腓魄っ張るYann LeCunの基調講演である。

◇Facebook's Yann LeCun says ‘internal activity’ proceeds on AI chips-Yann LeCun, the leader of Facebook's AI Research unit, said the company is proceeding with internal activity on machine learning chips, though he is confident industry will come up with many new solutions to push forward processing of deep learning in specialized silicon. (2月18日け ZDNet)

◇AI Pioneer Sees Chip Renaissance-AI researcher sees a bright future for the technology -Unsupervised neural nets move beyond MACs, tensors (2月19日け EE Times)
→International Solid-State Circuits Conference 2019(2月17-21日:San Francisco)にて、FacebookのLeCun基調講演。1988QにAT&T Bell Labsにてneural networksの設を始め、現在computer visionなどのシステムで広くいられているconvolutional neural nets(CNNs)のzと考えられている同は、artificial intelligence(AI)の今後について楽菘の旨。「O分の見解では、AIの今後はself-supervised learningである。」と同。

◇AI Revolution is Just Getting Started-Tomorrow's neural nets will be more dynamic and sparse, using new kinds of basic primitives such as dynamic, irregular graphs. (2月20日け EE Times India)

AI半導について、Samsungおよび東のアプローチである。

◇Samsung, Toshiba Detail AI Chips-Samsung, Toshiba describe AI devices at ISSCC -ISSCC papers target smartphones, cars (2月20日け EE Times)
→Samsung Electronicsが、International Solid-State Circuits Conference 2019(2月17-21日:San Francisco)にて、スマートフォンneural-network acceleratorの詳細をプレゼンのk機東はO動運転Zartificial intelligence(AI)半導について述べた旨。Samsungの新しいExynosプロセッサは、8-nmプロセスで作られている旨。

インテルは、Embedded MRAM(eMRAM)の攵官の△┐△蠅箸靴討い襦

◇Intel Says FinFET-Based Embedded MRAM is Production-Ready (2月20日け EE Times)
→Intelが、International Solid-State Circuits Conference 2019(2月17-21日:San Francisco)にて、22-nm FinFETプロセスをいてspin-transfer torque(STT)-MRAMをデバイス組み込みする\法のさらに詳細をプレゼン、該\術はhigh-volume]の△┐噺の旨。Intelは、同社22FFL FinFETプロセスで7-Mb perpendicular STT-MRAM arraysを作り出すために、“write-verify-write”擬阿よびtwo-stage current sensing\法をいている旨。

◇Intel Announces that Embedded MRAM is Production Ready (2月21日け EE Times India)

東メモリからは、最高容量NANDとして96-層, 1.33-Tb 3D NAND半導が発表されている。

◇Toshiba Claims Highest-Capacity NAND (2月20日け EE Times)
→東メモリが曜19日、International Solid-State Circuits Conference 2019(2月17-21日:San Francisco)にて、96-層, 1.33-Tb 3D NAND半導についてb文プレゼン、最高capacityフラッシュメモリデバイスとしている旨。該東デバイスは、4 bits/cellを蓄え、8.5 Gb/mm2のビット密度がuられて、今v同じ曜に東とそのNAND開発&]パートナー、Western Digitalにより述べられた512-Gb TLC 3D NANDデバイスより40%以vる旨。

◇Toshiba Paper Announces Highest-Capacity NAND-Toshiba Memory laid claim to the highest-capacity flash memory device, describing a 96-layer, 1.33-Tb 3D NAND chip (2月22日け EE Times India)

SK Hynixは、JEDECのDDR5仕様に基づく最初となるSDRAM設の詳細をプレゼンしている。

◇Hynix Details First DDR5 Chip-Hynix describes a DDR5 SDRAM; Samsung details an LPDDR5 chip (2月21日け EE Times)
→International Solid-State Circuits Conference 2019(2月17-21日:San Francisco)にて、SK Hynixが、JEDECのDDR5仕様に基づくsynchronous DRAM設の詳細を披露の旨。Samsung Electronicsは同じセッションの場で、LPDDR5 SDRAMsに向けたプロセスのDり組み詳細をプレゼンの旨。

5G関連については、以下いてす2月20日のSamsungによる初の5G handset発表をpけて相並ぶ形でのQ社プレゼンと映る見え気任△襦

◇5G Chips, Phones Dial Up Power-Millimeter wave bands burn handset watts (2月21日け EE Times)
→International Solid-State Circuits Conference 2019(2月17-21日:San Francisco)にて、Intel, Mediatek, およびSamsungからのエンジニアが、5G関連の課、にミリS帯に向けた電消Jについてプレゼン、これらはSamsungが初の5G handsetを発表して出てきている旨。

次に、Samsungの折りQみ、そして世c初、次世代5G\術官のスマートフォンの]ち屬殴ぅ戰鵐箸任△襪、峙ISSCCの期間中の2月20日に行われ、以下の通りQLDり屬欧任△襦

◇Samsung and Huawei go different ways on foldable and 5G phones-New phones could be priced up to $2,300, say analysts (2月20日け Nikkei Asian Review)
→San Francisco時間、2月20日午i11時、Samsungがfoldableモバイルだけにとどまらず、別のhandsetで、世c初、次世代5G\術コンパチのスマートフォンを披露する予定の旨。Samsungの発表イベントは、該業c最_要イベント、Mobile World Congress(2019Q2月25-28日:スペイン・Barcelona)のi日にHuaweiがOiのfoldable phoneを披露する様相の4日iとなる旨。向こう何日か、ほかのたくさんのスマートフォンメーカーがfoldableあるいは5Gスマートフォンを発表する見込みの旨。

◇Samsung announces folding phone with 5G at nearly $2,000 (2月21日け Reuters)
→Samsung Electronics Co Ltdが水曜20日、約$2,000のfoldingスマートフォンを披露、Apple社および中国勢の\術をvって売屬可稾造塁中消Jvの興味を焚きつける狙いの旨。

◇サムスン、折りQみスマホを4月発売、約22万−Qめばスマホ、広げればタブレット (2月21日け 日経 電子版)
→f国サムスン電子は20日、画Cを2つに折りQめるスマートフォンを4月26日に櫃覆扶k陲涼楼茲波売すると発表、たためば4.6インチのスマホ、広げれば7.3インチのタブレットとしてWできる旨。スマホx場の停]が色濃くなるなか、携帯性とj画Cの見やすさをあわせeつ「12役」の新端で要のf屬欧鬚瓩兇校檗

この折りQみスマホ「ギャラクシーフォールド」は次世代スマホ「foldable」の本命と`されるk機5G官の新機|は4月以T、盜颪籘f国で投入される運びである。

折りQみ擬阿砲弔い討蓮▲▲奪廛襪を新するなかで{加した模様と以下の内容である。

◇折りたたみ式「iPhone」を唆する図C、アップルの文書に{加 (2月18日け CNET Japan)
→Appleは出願書類を新して、折りたたみ式のクラムシェル型スマートフォンの図Cを{加した旨。これは、元々2011Qに出願されたで、2016Qに新された際に、フレキシブルディスプレイを△┐拭iPhone」ともとれる図Cが{加された旨。に興味深いのは、AppleがフレキシブルなOLEDディスプレイの周囲にヒンジとハウジングを組み込んで、ディスプレイを曲げられるようにするさまざまな桔,鮨していること。

5G関連半導のDり組みとして、Qualcommよりまとめて以下の通りである。

◇Qualcomm, Startup Roll 5G Silicon-Movandi offers alternative mmWave module (2月19日け EE Times)
→Qualcommおよびライバルのstartupから出てくる新しい半導は、5Gネットワークスを期待の高まりに応えるようにするにはまだたくさんの仕があるとしている旨。handsetsに向けて、Qualcommは、より統合された5G modem、ミリS帯に最適化されたRF front-end(RFFE)モジュールおよびいくつかのsupporting partsを発表、startup、Movandi(Newport Beach, CA)もまた、handsetsのミリSfront endにDり組んでいるとし、Hくのにわたって5G linksを最適化するデバイスを発表の旨。これら半導は、operatorsが5Gネットワークスのゆっくりした構築の初期段階と言っているときに出ている旨。ミリS信、瞭Dり組みは、最もξを要とするCの旨。

◇Qualcomm's Second-Gen Chip Takes 5G to 7 Gbit/s-Qualcomm unveils Snapdragon X55 5G modem (2月19日け Light Reading)
→Qualcommの2世代5G modem、Snapdragon X55は、sub-6GHzおよびミリS周S数の両気砲弔い7 Gbpsのdownload]度がuられる旨。同社はまた、QTM525 5GミリSアンテナモジュールを投入、26〜39 GHz帯コンパチ、8mm以下の薄さのスマートフォンに合う旨。

◇Qualcomm debuts Snapdragon X55 modem for slimmer, faster 5G smartphones (2月19日け VentureBeat)

MediaTekからもmodem半導についてである。

◇Anritisu verifies MediaTek's 5G modem-MediaTek's 5G modem chip is verified by Anritsu instrument (2月19日け New Electronics)
→MediaTekが、radio-frequency機_メーカー、AnritsuのRadio Communication Test Station MT8000Aで、Helio M70 5G modem半導の仕様を検証、該デバイスによりmaximum downlinkおよびuplinkスループットがuられることを確認の旨。

ISSCCの最中に行われたSamsungの折りQみおよび5G官のスマホ]ち屬欧pけて、間Zに迎えるMobile World Congress(MWC)(2019Q2月25-28日:バルセロナ)にて、Q社のXを帯びた]ち屬押∪菴愾茲いさらに本格化していく。

◇成^スマホ、5Gに路、サムスン、折りQみでj画C、データ収集へ「入り口」争奪 (2月22日け 日経)
→次世代の高]通信格「5G」をにらんだスマートフォンの販売争が本格化する旨。5Gは高@細な動画配信など新たなサービスの土壌となる旨。広げるとj画Cで動画を楽しめる折りQみ型など、スマホj}が要のDり込みをぐ旨。スマホx場は和がzになるk機▲如璽深集の「入り口」としての_要性がk段と\す旨。5G時代を見すえたスマホ戦線がしくなる旨。5Gの最j]度は毎秒20ギガビットと、現行の「4G」に比べ実効]度が100倍になる旨。25日にはスペインで世c最jの携帯見本x「モバイル・ワールド・コングレス(MWC)」が開幕。2019〜2020QにかけQ国で商化される5Gをにらんだやサービスを出tする旨。


≪x場実PickUp≫

【歟翆Co関係】

U裁関税崗茲擦隆限、3月1日を間Zに呂┐董歟譱気陵諭垢米阿、~け引きが飛び交う様相である。

咾O信そしてM、Huaweiのトップのコメントである。

◇The US cannot crush us, says Huawei founder-Huawei founder: "The world cannot leave us because we are more advanced" (2月18日け BBC)
→Huaweiのfounder、Ren Zhengfei(任 )、BBCとの独インタビュー。盜颪同社を押しつぶせる桔,呂覆せ檗Fの娘、同社のchief financial officer(CFO)、Meng Wanzhou(孟 晩舟)のj捕はS的とMされるものである旨。

英国がHuaweiスタンスで盜颪塙造擇犬討い襦

◇脱ファーウェイ、櫃塙臓英「リスク管理可Α廚畔麑O (2月18日け 日経 電子版)
→盜颪W保障屬侶念を理yに不使を求める中国の華為\術(ファーウェイ)の通信機_をめぐり、Q国との溝が浮き彫りになっている旨。英情報当局が「リスクは管理可Α廚箸糧をwめたと報じられた旨。ニュージーランドは18日、独Oにめるe勢を確にした旨。盜颪Wく世cでの包囲構築には不透感が漂う旨。

国連・UNCTADのレポート。歟肬易戦争で最も恩Lを被るのはインド、という見気任△襦

◇Will Sino-US Trade War Precipitate Manufacturing Spin-Off in India?-The trade war between the US and China seems to have set off a series of small manufacturing ripples across India. (2月18日け EE Times India)
→国連易開発会議(UN Conference on Trade and Development:UNCTAD)の最新レポート。インドが、盜颪斑羚颪隆屬麗易戦争について最jのW益p国の1つとしてあらわれており、輸出の\加が最j$10 billion、あるいは同国輸出の3.5%となる可性の旨。

◇U.S.-China Trade War Could Benefit India (2月19日け EE Times)

Bから所を変えてワシントンで再開している歟肬易協議関連について、以下の推,見られている。3月1日の期限の長、Huawei排除見直し、と]開に向けたアドバルーンがあがっているが、最終定に至る動きに依R`である。

◇トランプが歟肬易協議の長唆、次官級協議再開 (2月20日け 日経 電子版)
→トランプ歃j統襪19日、3月1日の歟肬易協議の交渉期限について長する可性を再び唆した旨。また歟耄章Bは19日、ワシントンで次官級の易協議を再開、21〜22日に開くV^級の会合に向けてレベルで地ならしを進める旨。中国の的財堍侵害などの構]問でどこまで歩み寄れるかが点。

◇トランプ、ファーウェイ排除見直しに含み−ポンペオは牽U (2月22日け 日経 電子版)
→トランプj統襪21日、ツイッターで「盜颪録覆鵑清\術を排除するのではなく、争を通じてMWしたい」と述べ、中国の通信機_j}、華為\術(ファーウェイ)の排除を見直す可性に含みをeたせた旨。中国との易交渉でD引材料にする思惑があるとの見気盻个討い觧檗k機▲櫂鵐撻盜長官はファーウェイの\術を使う国とは「情報共~ができなくなるだろう」と警告し、欧o国を牽Uした旨。

◇ファーウェイ巡り歟冐~け引き、|とNZに圧−トランプは排除見直し唆 (2月23日け 日経 電子版)
→中国の通信機_最j}、華為\術(ファーウェイ)を巡る歟罎霊~け引きがしくなっている旨。W保障屬龍式劼鰺yに排除の包囲を`指す盜颪瓦掘中国がB並みの乱れを誘おうと経済的な圧をオーストラリアなどにかけているとの見気広がる旨。トランプ歃j統襪眛閏劼稜喀疑砲慮直しに含みをeたせ、歟肬易協議でのD引材料になるとの見気盧\している旨。

◇歟罅3月にもN会i、関税屬苛期検討 (2月23日け 日経 電子版)
→トランプ歃j統襪22日、中国の{Z平国家主席と3月中にも会iし、易問で最終合Tをめざすと表した旨。同日までのV^級協議で、中国は盜の輸入を拡jして人c元W誘導をU限することなどで合T。トランプは3月2日に予定していた中国の関税引き屬欧髻崟蒄ばしも検討する」と述べた旨。

【インテルのインド・ファブレスA収】

インテルが、インドのファブレス半導start-up、Ineda Systems(Hyderabad)をA収している。AI、O動運転およびIoT応に向けたGPUs開発について、SoC設人材の耀uが主な狙いとなっている。

◇Tech giant Intel buys Hyderabad-based startup-Intel acquires Ineda Systems, engineers (2月18日け The Times of India)
→Intelが、ファブレス半導会社、Ineda Systems(Hyderabad, India)をA収、該cashD引は、"acquihire"(A収による人材の耀u)の性格であり、Intelは、artificial intelligence(AI), O動運転およびinternet of things(IoT)における応に向けたgraphics processing units(GPUs)開発の\けになる該startupの100人あたりのsystem-on-a-chip(SoC)設エンジニアに主な関心の旨。

◇Intel Buys Indian SoC Designer Ineda Systems (2月19日け EE Times)

◇Intel Buys Hyderabad-based Ineda Systems-US-based chip maker Intel Corporation has acquired Hyderabad-based start-up Ineda Systems, a fabless semiconductor product company, for an undisclosed amount. (2月20日け EE Times India)

【下Tデータ】

盜SIAからの月次世c半導販売高でも2018Q12月がjきくってほぼiQ並みとそれまでのXい況に水が差されているが、本Qの当C先行きもDRAMそしてSSDについて以下の通り値下がりの見気あらわされている。

◇DRAM contract prices to fall another 15% in 2Q19, says DRAMeXchange-DRAMeXchange sees DRAM contract prices sliding 15% more in Q2 (2月20日け DIGITIMES)
→DRAMeXchange発。1月の主要応x場のすべてにわたってDRAMの契約価格が、すでにi月比15%以屬猟祺爾了檗3月まで値下がり向がいて、2019Qk四半期の間にi四半期比20%の低下、く二四半期ではさらに同15%低下する旨。DRAMx場における供給埔蠅いて、2019Qi半のメモリ半導は"jきな価格低下"となる旨。PCなどデバイスOEMsでの高い在U水とあいまって、端x場の要は依弱含みの旨。

◇SSD、値下がり加]、2割W、メモリ供給\、1〜3月j口 (2月20日け 日経)
→記憶であるソリッド・ステート・ドライブ(SSD)の値下がりが加]している旨。1〜3月期の指Yのj口要家向け価格は、i四半期に比べ2割ZくWい旨。この1Qは四半期ごとの下落率が3〜11%度。基のNAND型フラッシュメモリはだぶつきで値下がりがz。Wさがh価され、パソコンなどへの搭載がk段と進みそうな旨。

SEMIの殀焼メーカーの1月世cbillingsも、jきく落とすデータ内容である。

◇North American Semiconductor Equipment Industry Posts January 2019 Billings (2月21日け SEMI)
→SEMIのJanuary Equipment Market Data Subscription(EMDS) Billings Report。殀焼メーカーの2019Q1月世cbillingsが$1.89 billion(3ヶ月平均ベース)、2018Q12月の最終レベル、$2.10 billionより10.5%、2018Q1月の$2.37 billionより20.8%。

Billings
Year-Over-Year
(3ヶ月平均)
August 2018
$2,236.8
2.5%
September 2018
$2,078.6
1.2%
October 2018
$2,029.2
0.5%
November 2018
$1,943.6
-5.3%
December 2018 (final)
$2,104.0
-10.5%
January 2019 (prelim)
$1,896.4
-20.8%

             [Source: SEMI (www.semi.org), February 2019]

【8-インチ攵況】

8-インチウェーハ]capacitiesについて、Samsung、TSMCなど\咾鮨篆覆靴討い諳k機12-インチの気亙野によって冷えてきているX況が以下の通りである。x場分野別に今後の推,R`である。

◇Competition among 8-inch foundries heating up-Foundries are getting into the game for 8-inch wafer fabs (2月19日け DIGITIMES)
→業c筋発。専業ファウンドリーの間のfirst-tierおよびsecond-tierQ社が、現Xのfabラインを拡張するか新fabsを建設するかで、8-インチウェーハ]に向けた攵capacityを加えている旨。Samsung ElectronicsおよびTSMCなどがこの流れにっている旨。

◇Lead time for MOSFET chips shortens-Sources: MOSFET lead times are getting shorter (2月20日け DIGITIMES)
→業c筋発。8-インチウェーハ]capacitiesの拡jが、metal-oxide-semiconductor field-effect transistors(MOSFETs)のdeliveryリードタイム]縮をГ┐討い觧檗2017Q後半の間に始まった供給不BのX況がここにきて緩和されている、とに言及の旨。

◇Mixed Outlook For Silicon Wafer Biz-Demand for 200mm wafers still strong; 300mm sales soften-300mm market softening, 200mm still strong. (2月21日け Semiconductor Engineering)
→200-mmシリコンウェーハの供給が2019QもU限されるk機△いつかの分野での300-mmウェーハの売屬欧冷めてきており、今Qはシリコン基価格が峺する様相の旨。「今Qの300-mmウェーハx場はiQ並みとなりそう」と、Macquarie Securitiesのアナリスト、Damian Thong。

【L陥材料インパクト】

TSMCが1月に、フォトレジスト材料に格外のものが見つかり、歩里泙蠅鳳惇xが出ているとしていたPであるが、k四半期売屬欧約$550 million低下するという見込みが出されている。

◇TSMC cuts forecast after manufacturing incident (2月16日け The Taipei Times (Taiwan))

◇TSMC lowers 1Q19 guidance after defective material impact-Defective photoresist to cost TSMC $550M in Q1 revenue (2月18日け DIGITIMES)
→TSMC発。同社において攵桵のウェーハ廃棄につながったL陥フォトレジスト材料の使で、k四半期売屬欧約$550 million低下の旨。顧客とのデリバリー再調Dを経て、二四半期の間に攵失をう見込みの旨。

◇Bad Photoresist Costs TSMC $550 Million (2月19日け EE Times)


≪グローバル雑学棔555≫

「芸術は爆発だ!」、そして1970QのXかったj阪万Fの「陵曚療磧廚瑤蕕譴諠K本領rについて、

『日本人だけが瑤蕕覆に榲は世cでいちばん人気の国・日本』
 (ケント・ギルバート 著:SB新書 443) …2018Q8月15日 初版1刷発行

よりその人據⊃佑箸覆蠅鮹っていく。H画家のz、小説家の母の間で奔放な環境での型破りな少Q時代、東B美術学鬚愎奮惴繃k家でパリに渡ることになりピカソの作との出会い。そして戦後、日本で積極的に絵画・立作をU作するかたわら、縄文土_bや沖縄文化bを発表するなど文筆動も行い、それから雑誌やテレビなどのメディアにも1950Q代から積極的に出演したのは小擇竜憶にも残るところである。日本の縄文時代について、「文化」という切り口で最初にったこと、そして世cを驚嘆させた「創]性」に至るいくつかの原点を瑤蕕気譴討い襦


四章 様式美
 ―――世cを驚嘆させた「創]性」 …その1

□縄文土_で世cを席捲した「革命児」
 ―――K本領r

〓日本美術cの異端児の「もうkつの顔」
・「芸術は爆発だ!」という言で瑤蕕譴諠K本領r
 →T外と瑤蕕譴討い覆い里任呂覆いというkCも
・日本の縄文時代について、「文化」という切り口でった最初の人颪任
 →@緻な文様が施された縄文土_、その芸術的価値を見い出す以iは、縄文土_は単なる「工芸」として扱われていた
・芸術家としての顔のほかに、ct学vとしての顔
 →1930Q代、パリj学でct学を学んだ
 →その後の創作動にjきな影x、中でも縄文土_との出会い
・フランスから帰国した領rは、文芸雑誌『みづゑ』に「四次元とのB――縄文土_b」を寄M
 →それまで、日本文化の源流は弥攣代とされていたものが、それより以iの縄文時代であると捉えなおされた
 →その後も領rは縄文文化の研|にX中、何冊も関連書籍を著した

〓型破りな少Q
・K本領rは1911Q、H画家のz・k平と⊃佑脳説家の母・かの子の間に擇泙譴
 →zは成功したH画家だったが、j変な浪J家
 →母は母で、@家出身のお様、世間を瑤蕕此家などもk切できず
 →領rの異端児気は、この両親の影xであることはたしか
・葼II普通(旧U中学)を卒業、東B藝術j学のi身、東B美術学鬚愎奮
 →z・k平がパリに派遣、領rは休学、K本k家はパリに渡った
 →両親の帰国後もパリに残った領rは、やがて、キュビスム時代のパブロ・ピカソの絵と出会い、「ピカソをえてやる」という野心をQくように
・かつて日本の学鬚慢Rめず、転入学を繰り返した領r
 →パリで、「O分はもっとOyに擇ていいんだ、Oyに表現していいんだ」と感じたのかも

〓「陵曚療磧廚瓦鬚覆構j作の秘めたる
・パリも、1940Q、ナチス・ドイツのパリ侵によって、突の終V符
 →日本に帰国した領rは、画家として順調なスタート
 →しかし、30代と比較的高齢ながら中国戦線へと送られ、厳しい兵役を送った
・終戦後、領rは再び芸術動を本格化
 →領rの@mは次に高まっていき、そしてついにあの代表作へ
・j阪万F会場に設された巨jモニュメント「陵曚療磧
 →てっぺんの「黄金の顔」    …「未来」を徴
  中央iCの「陵曚隆蕁廖    帖峺什漾廚徴
  背Cに施された「い陵曄廖  帖垉遏廚徴
 →塔の内陲砲蓮斂燭麟`」
 →垉遒ら現在、未来へと連綿といていく「斂拭廚箸いΔ發里領咾気髻塔で表現
・「陵曚療磧廚汎瓜U作され、瓦鬚覆垢箸い錣譴觸j作、壁画「日の神B」
 →長Q、行吃になっていたが、メキシコの郊外の町で発見されたのは、2003Qのこと
 →今では東B・q谷駅構内でj勢の来を見下ろしている
 →モチーフは、1954Q、アメリカによる水爆実xの被害に遭った五福竜丸
 →jきな悲Sや混乱にあってもなお、人々はそれを乗り越えて擇ていくんだ、そして果てしない命の連鎖で「日の神B」をつくっていくんだ、という咾ぅ瓮奪察璽

〓領rはピカソをえたのか
・領rは、戦i、戦中、戦後という動の時代を、芸術やct学に瓦垢諷Xい思いをeって~けsけ、Hくの芸術作と文化的功績を残した
 →ピカソとはまた別のT味合いで、稀代のj芸術家と}んでも、おそらく誰も異bはない

ごT見・ご感[
麼嫋岌幃学庁医 忽恢娼瞳胆溺匯曝屈曝| 昆忽握秤窮唹第第議涛嗔| 涙繁壓濆杰簡啼妓瀁緤啼8| 冉巖岱鷹涙2021但惚| 蒙雫谷頭訪www窒継井| 亜赱亜赱艶唯亜赱喘薦| av窒継音触忽恢鉱心| 委胆溺晩竃易習| 冉巖天胆爺銘利| 拍麓窒継匯雫谷頭| 忽恢匯曝屈曝眉曝胆溺| 忽恢v頭撹繁唹垪壓濆杰| 溺伏嫖蝕揚公槻伏猶| 消消消消匯曝屈曝眉曝| 天胆嶷笥総窃壓濂シ填曝| 忽恢冉巖天胆晩昆鯵肇阻| 楳楳荷壓瀛啼| 壓瀉盞竸監a| 消消消消忽恢娼瞳| 天胆仔弼頭窒継鉱心| 窒継心議匯雫谷頭| 胆溺胆溺互賠谷頭篇撞| 忽恢窒継彿坿互賠弌篇撞壓濆杰| 冉巖天胆晩昆娼瞳嶄猟岱鷹| 富絃滋進XXHD醍狭XXHD台葉| 消消消消消忽恢娼瞳篇撞| 恷除2019窒継嶄猟忖鳥篇撞眉| 冉巖天胆晩昆娼瞳消消冉巖曝 | 撹繁嶄猟忖鳥壓| 冉巖忽恢匯曝屈曝眉曝壓濆杰| 釘釘云娼瞳99消消娼瞳| 窒継互賠av匯曝屈曝眉曝| 忽恢続続篇撞壓濂シ| 忽恢娼瞳晩昆天胆匯曝屈曝眉曝 | 蒸弊兆匂np狹狹填填間| 忽恢娼瞳消消消消窒継a‥| 匯曝壓濆杰簡啼| 恷除嶄猟忖鳥篇撞互賠| 冉巖翆翆及匯際繁忝栽娼瞳| 屎壓殴慧菜繁賞寄篇撞| 冉巖娼瞳徭恢田壓濆杰|