ノンボラメモリを巡る動き…3D NAND出揃い：eNVM連携
不ｧ発性メモリ、すなわちノンボラメモリについて2点の動き。まずは、NANDフラッシュの先端�j容量化に向けて2013�QにSamsungが先行して量�凮始を発表した��次元NANDフラッシュ、3D NANDあるいは「V-NAND」について、��合�Q社の�Dり組みがここにきてまた出揃ってきて、やっとのこと本格的な�t開の局�Cを予感させている。もう�kつ、SoC化に向けたembeddedノンボラメモリについて、NXP SemiconductorとGlobalfoundriesの次世代開発および量�僝に向けた連携の�Dり組みが発表されている。
≪先行するSamsungを�{って≫
メモリセルを、��次元に積み�_ねることで�j容量化するNANDフラッシュ、3D NANDは、2013�Q半ば、Samsungが、世�c初、「V-NAND」の量��を�]ち�屬欧襪簇櫃筺�東��およびマイクロンから�眼^するスタンスが発表されているのがそもそもである。
��く��8�v Annual Flash Memory Summit(2013�Q8月13-15日：Santa Clara Convention Center)の場にて、SamsungはV-NANDベース初めてのsolid state drive(SSD)を発表して、東��、Micronに�_ねて先んじる動きとなっている。
さらに2014�Qは、Samsungが引き��いて高度な�t開を見せており、何点か動きを抽出、以下の通りである。
◎The Bumpy Road To 3D NAND Even after the technology becomes mainstream, there are questions about how well it will scale.（2014�Q1月23日��け Semiconductor Engineering）
→昨�Q、Samsungは、業�c初の3D NANDデバイス、24層、128-Gビット半導��を�t開、2014�QにはMicronおよびSK Hynixがこれに��う。しかし�款氾�に、SanDisk/Toshiba duoが3D NANDを出荷するのは2016�Q以�T、それまでは両社はplanar NANDを引き��ける��画、2D�\術が3D NANDよりも�W価で性�Δ�良いとしている。Samsungが3次元NAND専��に向けたといわれる中国・���W工場が、�n働を始めている。いっぽう、�攵掚に関わる問��も指�~されている。
◎3D NAND delays 2014�Q4月25日��け The Week In Review: Manufacturing：Semiconductor Engineering）
→3D NAND�x場が�t開に時間がかかっている。Samsungは3D NANDデバイスを出荷しており、MicronとSK Hynixはそれぞれの3D NAND半導��スケジュールを後倒ししている。にも拘らず、中国工場の�n働、立ち�屬欧���けて発表されている。
◎Samsung Electronics produces world's first 3-bit vertical NAND chip -Samsung kicks off production of TLC V-NAND flash memory（2014�Q10月9日��け Yonhap News Agency (South Korea))
→Samsung Electronicsが、セルあたり3ビットのデータをもつ3D NANDフラッシュメモリデバイスの量��を開始、このtriple-level cell(TLC) V-NANDフラッシュメモリは、8月に投入された。
このような経緯を�pけ�Vめている3D NANDであるが、先行するSamsungを�{って、ここにきて�Q社の関連発表が�k気に相次いでいる。まずは、SK Hynixの株主に�瓦垢襯瓮奪察璽犬涼罎硫爾蠅任△�。
◇SK hynix vows to boost NAND flash segment -Chipmaker to mass produce lower 20-nano class DRAM in H2-SK Hynix aims to strengthen NAND flash business (3月20日��け The Korea Times (Seoul))
→SK HynixのCEO、Park Sung-wook��が金曜20日、株主に�瓦靴董�同社は2015�Qの間にNANDフラッシュメモリデバイスでのcapabilitiesを�啣修垢諳k��(sh┫)、今�Q後半に20-nm featuresのDRAMs量�僝を行う旨。20-nm-class����を量��してDRAM分野のリーダーとしての��争��を維�e、triple-level cellおよび��次元分野での科学�\術的度量を高めてNANDフラッシュメモリ分野でのcapabilitiesを�啣修靴討い�旨。
Micronについては、�w�~の�Dり組みとして以下を発表している。
◇Micron Tweaks Consumer MLC for Enterprise Storage-Micron touts enterprise use of consumer MLC NAND flash (3月24日��け EE Times)
→Micron Technologyが、20-nmおよび16-nmプロセスで作ったmulti-level cell(MLC) NANDフラッシュメモリデバイス、FortisFlashラインを投入、enterpriseデータストレージによく適している旨。FortisFlashは、consumer MLCフラッシュより高�]、single-level cellモードを採��の旨。
そして、共同で�Dり組むIntelと世�c最高密度と�eう3D NAND�\術を以下の通り披露している。
◇Micron, Intel Flash 3D NAND-256, 384 Gbit chips sampling, SSDs TK (3月26日��け EE Times)
→MicronとIntelが、Samsungに次いでultra-dense 3-D NANDフラッシュ半導��を披露、半導��およびsolid-state drives(SSDs)で販売する旨。Micronはすでに半導��レベル����をサンプル配布、�Q��までに出荷予定、Samsungに広�Jな半導��販売を�咾い詬輿蠅瞭阿�の旨。
◇Micron and Intel unveil new 3D NAND flash memory (3月26日��け ELECTROIQ)
→Micron Technology社とIntel Corporationが、世�c最高密度のフラッシュメモリ、両社の3D NAND�\術を披露の旨。両社共同開発のこの新しい3D NAND�\術は、並外れた�@度でデータ蓄積セル層を�貭召膨_ね合わせ、��合するNAND�\術の3倍の容量のストレージデバイスを作り出した旨。�貭召�32層でフラッシュセルを�_ね合わせ、�Y��パッケージに入る256Gビットmultilevel cell(MLC)および384Gビットtriple-level cell(TLC) dieを�uている旨。
◇New 3D NAND flash will triple capacity of SSDs, Intel and Micron say-Intel, Micron tout capabilities of new 3D NAND flash (3月26日��け PCWorld)
→IntelとMicron Technologyが、新しい3D NANDフラッシュメモリのサンプルを配布、10 terabytesを蓄えられるsolid-state drives(SSDs)が可�Δ砲覆觧�。該3D NANDメモリはfloating-gateトランジスタ�\術に基づき、�貭�stackedメモリセルを��徴とする旨。
◇Intel and Micron unveil 3D Nand flash to enable 10TB SSDs (3月26日��け V3.co.uk (U.K.))
東��は、低ビットコストで���]できるBiCS(Bit-Cost Scalable)�\術を��かしたこれも業�c最高密度を�eう3D NANDフラッシュメモリを発表している。
◇Toshiba announces industry's densest 3D flash memory-Toshiba claims to have the densest 3D flash memory (3月26日��け Computerworld)
→東��が、48層の2-ビットメモリセルを擁する3D NANDフラッシュメモリを投入、�貭�stacking�\術、bit cost scalingを採��、1つのチップで16-gigabytesのデータ蓄積が�uられる旨。東��はSanDiskと該メモリ半導��を開発、�v曜26日にサンプル出荷を始めた旨。
◇東��、3次元メモリ出荷開始 (3月27日��け 日経)
→東��が26日、記憶素子を積層して容量を�\やす3次元フラッシュメモリのサンプル出荷を始めたと発表、記憶素子を48層まで�_ねた����は世�cで初めて、早ければ2015�Q中に量��する旨。容量は16ギガバイト、書き込み�]度は現行��に比べ約2倍に向�屬靴浸�。記憶素子の層を�\やせば��来はテラバイト級の�j容量メモリも可�Δ砲覆觧檗�
もう1つ、SoC化に向けたembeddedノンボラメモリ(eNVM)についてNXP SemiconductorとGlobalfoundriesの連携の�Dり組みが発表されている。
量��はシンガポールで行うとしている。これも��合、そしてさらなる連携の動きに�R�`している。
◇NXP and GlobalFoundries announce production of 40nm embedded non-volatile memory technology (3月24日��け ELECTROIQ)
◇GloFo, NXP co-develop 40nm eNVM process-40nm eNVM process created by NXP, GlobalFoundries (3月24日��け Electronics Weekly (U.K.))
◇NXP and Globalfoundries announce production of 40nm embedded non-volatile memory technology (3月25日��け DIGITMES)
→GlobalfoundriesとNXP Semiconductorが、次世代embedded non-volatile memory(eNVM)を共同で開発、Globalfoundriesの40-nmプロセス�\術プラットフォームでの300-mm prototypeウェーハ�攵�からきている旨。量��はGlobalfoundriesのSingapore拠点にて2016�Qに予定の旨。
identification, near-field-communication(NFC), ヘルスケアおよびmicrocontrollers(MCUs)など�H彩な����における革新的な応��に向けて高密度on-chip eNVMのtime to marketが早められる旨。
≪�x場実��PickUp≫
【TSMCを巡る連日の動き】
AppleのiPhone 6��プロセッサ出荷から���k四半期絶好調の業績が伝えられるTSMCについて、まずは次世代のA9プロセッサについてもSamsungに�瓦薫掬歸�優位に�p�Rを�耀uする情勢が表わされている。
◇Apple A9 Orders Pivot to TSMC-Samsung's yield issues may have caused the shift (3月23日��け EE Times)
→EE Timesが�Bしを聞いた筋発。TSMCが、最先端�\術ノードで歩�里衞筱�を�QえているSamsungを差し��いて、AppleのA9プロセッサに向けたより�Hくの�p�Rをとっていく旨。Appleは、iPhone 6Sに向けて今�Q該A9の�攵�を立ち�屬欧討い觧檗�Appleは当初、A9発�Rの約80%をSamsungに、残りをTSMCに向けていたが、今や形勢が逆転している旨。
�k��(sh┫)、���k四半期に�瓦靴���二四半期の売�屬欧��Pびが鈍化の見��(sh┫)となっている。
◇TSMC to post flat to 5% revenue growth in 2Q15 (3月24日��け DIGITIMES)
→業�c筋発。TSMCの2015�Q��二四半期売�屬欧��i四半期比0-5%の�Pびの見込み、20-nm半導��のoutput�\が主に効く旨。AppleのiPhone 6および6 Plusの���咾で笋豺圓�から��に好調の���k四半期に�瓦靴�、��二四半期はここ数�Q通常に見られた二桁�\ではなく�呂��`な�Pびになることが見込まれる旨。
iPhone 6の売れ行きを���咾��Г┐訝羚驂x場、次の通りである。
◇China market buoying iPhone shipments (3月24日��け DIGITIMES)
→upstreamサプライヤ筋発。AppleのiPhone 6の売れ行きが中国で��に���咾�、スマートフォンの出荷の�Pびを引っ張っている旨。2014�Q��四四半期に50 million��以�屬�iPhone 6が出荷され、2015�Q���k四半期も主に中国での売れ行きから50 million��を越えると見られる旨。中国ではAppleのiPhone 6が2014�Q��四四半期に15-20 million��販売されている旨。
iPhone次機�|についてTSMCの圧倒的供給が��く噂が鳴り�Vまない感じ��(sh┫)がある。
◇TSMC to supply chips for rumored iPhone 6S and 6C (3月25日��け DIGITMES)
→業�c筋発。TSMCが、来るiPhone 6Cモデル��の20-nm半導��および6Sモデル��の16-nm FinFET半導��を供給、2015�Q後半に引き��きApple向け主要プロセッササプライヤとなる旨。TSMCは、業�c筋が史�嶌任發茲�売れているiPhoneモデルとしているAppleのiPhone 6および6 Plus��プロセッサの単独サプライヤとされており、6および6 Plusの���咾ひ�要が20-nmプロセス�\術から発�擇垢�TSMCの販売高を高めている旨。
しかし�k��(sh┫)では、スマートフォン��半導����要が弱まるという見��(sh┫)が��いて、TSMCの株価が連日の下げ模様、�x場の動き、反応に絶えず�`が�`せないところである。
◇TSMC Drops as Weaker Smartphone Market Threatens Chip Demand-TSMC stock price falls as analysts point to weaker demand for phone chips (3月26日��け Bloomberg)
→少なくとも4人のアナリストが�盜颯疋襪�さらに�咾�なってスマートフォン��半導����要を弱める可��性とレポート、TSMCの株価が����での�D引で5日連��の下げ、ここ2�Qで最も長い連��の旨。
【Intelの次世代Xeon Phi】
Intelが業�c専門筋を�}び入れて、高性��computing向け次世代Xeon Phi "Knights Landing"プロセッサを披露している。今までの3倍の性��、MicronのHybrid Memory Cubeとの組み合わせが�R�`されるほか以下の��要である。
◇Intel's Xeon Phi to House 72 Cores-System-in-package sports 16-Gbytes (3月25日��け EE Times)
→Intelが、ついに次世代Xeon Phi multi-processor半導��、Knights Landingを��らかに、3-teraFLOPSで先行世代の3倍の性�Δ了�。2-D on-chip mesh interconnectを��いて、該Xeon Phi Knights Landingは、Intelの新しいOmni-Path off-chip通信を誇��する最初の半導��の旨。��別な並�`インタフェースを��いてMicronのHybrid Memory Cube(stack chips)��のpadsに囲まれたXeon Phiから、on-chipメモリと同じ高�]性�Δ��uられる旨。
◇Intel's Deep Learning Play: Next-Gen Xeon Phi Could Challenge NVIDIA GPUs-Intel touts performance of "Knights Landing" processor (3月25日��け Forbes)
→Intelが2015�Q後半にリリースとしているXeon Phi "Knights Landing"プロセッサは、高性��computing応��に向けて仕立ててあり、最�jnative DDR4メモリ384-gigabytes、6 channels運��および36本のPCIe 3.0 lanesを��徴とする旨。Xeon Phiは60個以�屬�x86-architecture処理コアをもつ旨。"enterprise-class, 高信頼性, enterprise-gradeプロセッサ"(IntelのTechnical Computing Group、Marketing Director、Hugo Saleh��)の旨。
◇Intel's Upcoming Xeon Phi Will Include 384GB of DDR4 Memory (3月25日��け eWeek)
【2014�QのO-S-D半導��】
2014�Qの�x場データから、まずはO-S-D(optoelectronics, sensors, actuators and discrete)半導��が2�Qの低迷を経て9%�\と�Pびを��している。スマートフォンからIoT、wearableの流れの中での�屬牡霙瓦�見込まれるところである。
◇Optoelectronics, sensors/actuators, and discretes growth accelerates (3月25日��け ELECTROIQ)
◇OSD sales resume growth-IC Insights: 2014 sales of OSD chips rose 9% to $63.8B (3月26日��け Electronics Weekly (U.K.))
→IC Insights発。2014�Qのoptoelectronics, sensors, actuators and discrete(OSD)半導��の販売高合わせて9%�\の$63.8 billion、2012�Qおよび2013�Qは�爐�1%�\であった旨。2014�Qのグローバル経済の�呂��`な�\進、electronicシステム�攵�の��実な�\�jおよび数量��要の高まりが、discretesの���咾��v復をsensors/actuatorsの相当な改��およびoptoelectronicsの�Pび拡�jとともに引っ張っている旨。
【2014�QのMEMSメーカーランキング】
これも2014�Qのデータから、�峙�の流れの中でのMEMSメーカーの販売高ランキングである。TSMCと同様、AppleのiPhone 6向けセンサ��要が効いて、Boschが�sけて�jきくリードする形勢となっている。
◇2014 top MEMS players ranking: Rising of the first MEMS titan (3月24日��け ELECTROIQ)
→Yole Developpementの“2014 TOP 30 MEMS Players Ranking”、下記参照。Robert Bosch GmbHが販売高$1.2Bで��らかなNo.1、2位のSTMicroelectronicsとは$400M以�屬粒�きの旨。
⇒http://electroiq.com/wp-content/uploads/2015/03/illus_top30mems_march2015-1024x661.jpg
◇Apple dictates the ranking of top 10 MEMS manufacturers in 2014 (3月24日��け ELECTROIQ)
→BoschはiPhone 6および6+に加えられた圧��センサの唯�kのサプライヤ、Appleが再びBoschの2014�QMEMS売�屬欧鮃發瓩討い觧�。
◇Bosch Rides Apple to MEMS Dominance-2014 MEMS Ranking (3月26日��け EE Times)
◇Apple dictates the ranking of top 10 MEMS manufacturers in 2014, says IHS (3月27日��け DIGITMES)
【日本の半導��業�c】
我が国半導��業�cについて��湾・Digitimes Researchからの2014�Qデータが以下の通り表わされている。�盜�SIAの発表データでは、他の3地域(�盜顱�欧��、アジア�諒人�)からは�jきく�`される�Pびではあるが、2010�Q以来の�Q間販売高の�\加となっている。
◇Digitimes Research: Japan semiconductor product value edges up 8.7% in 2014 amid strategic changes-Report: Japan's IC industry output reached $27.5B in 2014 (3月25日��け DIGITMES)
→Digitimes Research発。2014�Qの日本の半導��業�cの�攵�valueが、8.7%�\のJPY3.25 trillion($27.5 billion)、�Q社は収益性改��に向けて分業�啣修��мqする���Bの��策から後押しを�uている旨。日本���Bは、日本の半導��業�cの高い�攵�コスト構�]がグローバル半導���x場で次��に落としている主な理�y(t┓ng)であるとしている旨。
【革新の母12人】
�盜�、英国では3月が"��性の歴史月間"とのこと。科学�\術分野での探求の母として以下の�@�iが挙げられている。
◇Mothers of Innovation: 12 Women Engineers and Scientists to Know (3月23日��け EE Times)
→アメリカやイギリスでは3月は毎�Q”Women's History Month(��性の歴史月間)”、革新およびSTEM(science, technology, engineering, and math)探求の母と称せられる以下の��性たちについて。
1.Grace Murray Hopper : Mother of COBOL
2.Betty Holberton : From ENIAC to minicomputers
3.Ada Lovelace : First computer programmer
4.Katherine Johnson : NASA "computers in skirts"
5.Margaret Hamilton : Apollo 11 savior
6.Jocelyn Bell Burnell : Radio pulsars
7.Lise Meitner : Nuclear fission
8.Emmy Noether : Noether's theorem
9.Henrietta Swan Leavitt : Galaxy distance
10.Hedy Lamar : Wireless pioneer
11.Vera Rubin : Cluster galaxies
12.Valentina Tereshkova : First woman in space
◇12 women engineers and scientists you must know (3月24日��け EE Times India)
≪グローバル雑学�棔�351≫
中日�f外相会�iが21日、�f国ソウルで開��されたばかり、できるだけ早期の���N会�i開��のコンセンサスが図られたが、戦後70�Qの�jきな�I�`を迎えるなか、中国と��朝�zに��点を当てて、
『�j局を読むための世�cの�Z現代史』
(長谷川 ���領r 著：SB新書 276) …2014�Q11月25日 初版��1刷発行
より2�vにわたって著�vの歴史�茵�認識に触れていく。今�vは、アジア�o国との�{�`により朝�z戦争����が押し�屬欧寝罎�国の経済の�Pび、毛�u東の進めた�Oと彼の周恩来との関係、そして中国人�c解放��の実��が、�Z現代史の時間軸で表わされており、認識するところと照合させられている。
��3章 中国と��朝�z、その成り立ちから現在＝2分の1＝
◇国共内戦により誕�擇靴臣羃攷涌c共和国
・��二次世�c�j戦後、中国国内では国�c党と共�欃が再び���粥◆峭餠ζ眄錙廚悗汎容�
・国�c党にとって誤�Qだったのは、共�欃の八路��が最新式の兵�_を保�~していたこと
�、�国�c党は次��に押されて、ついに1949�Q、蒋介石は��湾への����を����
・共�欃が発�Bさせた中華人�c共和国は��湾への侵��も検討、朝�z戦争の勃発により見送り
�、�そのまま現在に至る
◇日本の運命を変えた朝�z戦争の勃発と����
・日本は戦後、�j陸にあった�@��を失ったが、日本にとって逆に、�jきなプラスに
→アジアとの関係が遮��、原料基盤や販売�x場を求め、世�c�Q地に
・日本は��国という地��学的な条�Pに加え、日本の防ﾅをアメリカに�k任、ひたすら経済��動に邁進へ
・アジア�o国から�{�`をとったことで恩�Lを�pけた出来��
→朝�z動乱勃発で��きた「����景気」
�、�復興そして経済成長の�Bがかりを築いていった
・1950�Q6月、��朝�z��が突如��緯38度線を突破、朝�z戦争が始まる
�、���緯38度線を境に�c���X��に
→戦いの����がつかないまま、1953�Q7月、南������境�c線�屬砲△謳�?zh┴)���で休戦協定が調�?br />
�、�いまでもまだ戦いの����はついていない
・日本は、朝�z戦争2�Q�`にあたる1951�Q(昭和26)には、8億ドルもの外貨を�nいだ
…当時の日本の総輸出金�Yが6億ドル
�、�この����で��成長を�~げた企業のひとつが、トヨタ�O動�Z
◇「連邦�U」を���w拒否した中国建国の�z・毛�u東
・1949�Q10月、中国共�欃の�k党独裁���Uによる国家、「中華人�c共和国」が成立
�、�もっとも�_要なポイントは、「単�k共和国」として設立されたこと
�、�ある�T味では柔軟性に��しい硬直した���E���U
・(著�vは、)1960�Q代の��港、中国共�欃創始�vのひとりと�`される人�颪��C識
→「毛主席は連邦�Uを採り入れるのを頑なに拒み、ほかの指導�vの発言を抑えて、この路線を突き進んでいる」
◇毛�u東の顔色をうかがっていた周恩来
・周恩来は日本に�粒悗靴新俎x、親日家
�、�先ほど出てきた中国共�欃創始�vのひとりと�`される人��
�、�「周恩来は、路線の�肝�があると、��まって毛�u東の顔色をうかがう」
・周恩来には墓がなく、1976�Qに�x去、�C骨は中国の�j地に�g布
�、��賁Ｓ蝋イ亡鵑襪箸海蹇⇔�派な�vのお棺を徹�fして嫌っていた
→�C骸や墓が辱められるのを恐れていた
・周恩来は�{廉な印��(j┫)を与える反�C、���E家としてのしたたかな顔も
◇ベトナム��に��が立たなかった中国人�c解放��
・毛�u東が��(li│n)�Iした「単�k共和国」�U
�、�さまざまな�Cで中国の現実にそぐわないことが露呈
・1970�Q代の後半、カンボジア・ベトナム戦争
�、�中国は、1979�Q2月、ベトナムへの����侵��を開始
�、�10�Q以�幵�いたベトナム戦争を戦い�sいた�喃vたち、朝�z戦争以来、何�蚊Qも本格的な実戦から遠ざかっていた中国��が�Mてる相�}ではなかった
→中国��は�H�jな��害を出し、わずか1ヶ月�Bらずで����
・�`れた要因のひとつには、「中国人�c解放��内の言語不統�k」
�、�かつては���B人と広東人は会�Bが通じず
�、�1989�Qに��きた�W�W門���Pで出動したのが�况ｾ覆���6��
�、�あえて言��が通じない彼らを使った
◇人�c解放��は恐れるに�Bらず
・人�c解放��は中国共�欃の��党��であり、国��ではないが実��的な「中国��」そのもの
→あまり�瑤蕕譴討い覆い�、文化�j革命で徹�f的に痛めつけられている
�、�文革の最中に士官学�鬚�廃�V、最新の�����\術をマスターできず、現在に至る
・人�c解放��はまず地域ごとに徴兵人数を割り当て、志願�vを募る
→入��の際には履歴書を預けるが、これがないと中国社会で�擇�ていけなくなる
→このシステムには�sけ�O
→除��を申�个掘⇒�歴書を�Aい戻せばいい
�、�親がお金を�eっていれば、いくらでも除��することができる
・これに加えて問��になっているのが「�k人っ子��策」の弊害
→人�c解放��でも約70%の兵士は�k人っ子、育ちから戦�h�ξ�には疑問
�、�見かねたカネのある親たちは、�j金を払って履歴書を�Aい戻す
�、�履歴書を預かる���E委�^だけが裕福になり、人�c解放��の中でも�n裂
・仮に人�c解放��と�Oﾅ��が戦ったらどうなるか
→貧��人の子弟ばかりが残り、不平不満が充満する人�c解放��、士気が高い�Oﾅ��
→戦いの����は�`に見えている
◇��躍の見込みがない中国初の空母「遼�t」
・2012�Qに��役した中国初の空母「遼�t」
→原子��でなくデ��ーゼル�n働、�豢�母��にはならない
�、�����交換のために約75日で戻る��要。�瓦靴董▲▲瓮螢�の原子��空母は3�Q間はドックに入らなくても��動可��
・日本の�豢��Oﾅ��のスクランブル(戦�h機の�g��発進)
�、�いつ何が��きても動けるように、エンジンをかけっぱなし
�、�2012�Qの1�Q間だけでも580�vに
�、�中国空��はこのようなことを行っていない実情
