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半導]deepノードを巡るDり組み・合・懸念

"微細化の絶え間のない進t"が、半導のこの屬覆ぬノであり、次々とそれこそ絶え間なく新しいx場を開する原動であることは、誰しも疑いのないところであり、それぞれの世代で違った内容、形で思いを共~しているところと思う。現時点では10-nmとなっているdeepノードの半導]について、連携はじめさまざまなDり組み、合をT識した優位性のプレゼンのk(sh┫)、来の外Uではなかなか収まらないという問T識が見られているということで、微細化限cへの挑戦の現Xをレビューしている。

≪限cへの挑戦≫

Moore's Lawがどうこう言われながら約半世紀、半導]の指針でありけているが、それをモバイル、ゲームなど次世代機_がその限cをテストしているという見(sh┫)がある。

◇How Apple, Intel And Motorola Are Pushing 'Moore's Law' To Its Limits-Analysis: Mobile devices push IC tech to its physical limits (10月6日け Business Insider)
→モバイル機_、ゲーム機など次世代electronicsは、Moore's Lawにより数10Q導かれてきている半導]の限cをテストしている旨。iPhone 5SではAppleは、該handsetに向けたmotionデータ収集をDり扱うのにco-processor使に頼っている旨。
  
そのMoore's Lawが、10-nmになってくるとゆがみを擇犬討るという以下の見(sh┫)である。

◇Moore's Law gets very warped in the sub 20nm era-IEF 2013 How the heck do we make a profit dot com?-Mentor CEO: Big cost squeeze is coming at 20nm and below (10月7日け TechEye)
→1.IEF2013 meeting(Dublin)にて、Mentor GraphicsのCEO、Wally Rhines。Moore's Lawは立ち去ろうとしているのかもしれないが、まだくというわけではない旨。それは不思議な法Г任△蝓¬50Qも信頼性があり、Oの法Аlearning curveに基づいており、IntelのGordon Mooreがこの法Г1Qから2Qへ、そしてそれから18ヶ月に変えてもそうである旨。post 20-nm時代の半導の今後についてHくの問を提、Big Squeezeと}ぶ旨。
 2.垉50Qにわたって見られたZ型的なコスト削が、IC dimensionsの20-nm以下縮小につれ中で脱落している様相の旨。ウェーハ価格が28-nm半導に比べて41%峺、450-mmウェーハへの切り換えはその\加をじるのにほとんど役立たない旨。

10-nmとか最小∨,良集宗Definitionも、いろいろで誇張があるのではないか、これもよく言われる以下の指~である。ITRSでは、メモリとロジックに分けて最小∨,猟蟇Iを表わしたのも1990Q代後半のことと思いこすところである。

◇IEF2013: Liars' contest on nodes, says Mentor CEO.-Mentor CEO: Process node measurements have long been exaggerated (10月7日け Electronics Weekly (U.K.))
→IEF2013 meeting(Dublin)にて、Mentor GraphicsのCEO、Wally Rhines。半導メーカーは何10Qの間、O分たちのの最小feature∨,鮓慊イ靴討ており、International Technology Roadmap for Semiconductors(ITRS)がベンダーの亠瓩鮓‐擇垢觧遒澆鯤棄させている旨。T果として半導メーカーは、拡販`的でお互いにk歩先んじようとしている旨。

最先端の実戦の最i線ではどうなっているか。TSMCの来るIEDMでの発表予定内容である。

◇TSMC to unveil 16nm FinFET platform at IEDM(10月4日け ELECTROIQ)
→12月のInternational Electron Devices Meeting(IEDM)にて、TSMCがj(lu┛)(sh┫)の尺度で世c最先端半導\術の1つである16-nm FinFETプロセスを披露する旨。

TSMCでは新設南工場で20-nm以Tの最先端のDり組みが以下の通り進められている。最高の売峭發魑{して、アップルビジネスの争奪がm高になるなかの16-nmプロセスの開発のようである。

◇TSMC Bets Big on High-Performance Chips-TSMC's Fab 14 is readied for 20nm, 16nm chips (10月7日け The Wall Street Journal /Digits blog)
→TSMCが、Tainan(南) Science ParkのFab 14 facilityにて、Appleなどファウンドリー顧客向けに20-nm半導を作る△鮃圓辰討い觧檗また、この湾南霍場で次世代16-nmプロセスの開発も行っている旨。

◇Fab times: Taiwan's TSMC thinks big in micro chip race-TSMC invests $17B in new fab facilities (10月8日け Reuters)
→TSMCが、湾南陲任凌靴靴ぅΕА璽fab拠点の建設および△$17B出@しており、20-nm dimensions半導を作る旨。同社は、AppleのファウンドリービジネスのなにがしかをSamsung Electronicsからuている旨。
Samsungはじめ合圧が高まってくるが、k(sh┫)、TSMCの9月売屬欧$1.89B、iQ同月比28%\となっている旨。

TSMCを科T識しているところと思うが、Globalfoundriesからは、20-nmではそうでないものの10-nmでは来の外Uコストダウンがuられる、と先行き啜い離好織鵐垢任△襦

◇20nm cost penalty is a one node blip, says Globalfoundries. -Moore's Law cost savings will return at 10nm, GlobalFoundries exec says (10月8日け Electronics Weekly (U.K.))
→Globalfoundries EMEA(Europe, the Middle East and Africa) Technical Seminar(London)にて月曜7日、Globalfoundriesの先端\術アーキテクチャーvice president、Subi Kengeri。20-nmでは通常のMoore's Law 30%トランジスタコスト削がuられていないが、くノード、10-nmでは来のコスト曲線に戻ると見る旨。Globalfoundriesでは20-nmノードで、28-nmに瓦靴2倍のraw gate改および16%のロジック密度アップをuて、28-nmより7.5〜8.5%のコストIとなっている旨。ほかの誰よりも7-8%のdieコスト優位性があると思っている旨。

半導]業cでは、14-nm以下、450-mmウェーハに向けたコラボの動きが相次いでいる。

◇Increase in collaborations for deep node semiconductor manufacturing (10月8日け EE Herald)
→半導]ecosystem、主に半導メーカーが、14-nm以下のノードおよび450-mmウェーハでの半導]に向けたソリューション開発でコラボを高めている旨。
・ASMLとimecが連携を拡j(lu┛)、Advanced Patterning Centerを]ち屬押14-nm以下のノードでのlithography\術にDり組み
・SUSS MicroTecのphotomask靆腓SEMATECHと連携、extreme ultraviolet(EUV)試作]のプロセスavailabilityをi倒しするextreme ultraviolet lithography(EUVL)基およびblank cleaning\術の調h・開発を行う
・最Zのj(lu┛)きな動き、Applied MaterialsとTokyo Electronがdeepノード]の革新を早めるために合

EUV(extreme ultraviolet)リソを推進するIMECからは、実なBDりをすアップデートが以下の通り行われている。

◇EUV Still Promising on IMEC's Road Map-Delayed EUV tech could work at 9nm, Imec exec says (10月9日け EE Times)
→IMEC research instituteのQ次pressイベント(LEUVEN, Belgium)にて。
extreme ultraviolet lithography(EUV)が擇泙譴討い訶效亙舛任△蝓依~望な基調のロードマップ。EUV最新MOPA(master oscillator power amplifier)光源の開発が、長くれている該lithographyシステムの最も弱いコンポーネントをk層実なBDりに乗せている旨。Qまでに80W光源を動作システムでデモする予定、125W版が来Q、そして125 wafers/hourの商スループットを引っ張れる250W版を2015Qまでの旨。


≪x場実PickUp≫

週に発表されたSIAからの月次世c半導販売高、今vの8月分については、ivその内容をしている。週ということもあって、QLの反応が週けにかけて以下の通り見られている。6ヶ月連の\加となっているが、さらに4ヶ月は\加がくのではという見(sh┫)が表わされている。

【8月世c半導販売高発表への反応】

◇Global semiconductor sales increase for sixth straight month in August (10月4日け ELECTROIQ)

◇SIA: Global Semiconductor Sales Rise in August (10月4日け The Wall Street Journal)

◇Chip sales up for 6th month (10月4日け Investor's Business Daily)

◇News&Data、半導世c売峭癲8月6.4%\ (10月5日け 日経・D刊)

◇Where is the semiconductor market going?-Proprietary Leading Indicators (PLIs), suggest at least another four months (10月6日け CIOL)
→SIAの8月世c半導販売高をもとにした\加基調の見(sh┫)。

◇Global chip sales rise for sixth straight month in August 2013, says SIA-Report: August chip sales rose 6.4% year-over-year (10月7日け DIGITIMES)

これも週に発表されたSamsungの四半期業績であるが、2四半期連で最高益を(g┛u)新する内容となっている。k(sh┫)、現下の半導販売高をSamsungとともに引っ張ると言っても垳世任呂覆い隼廚錣譴TSMCも、四半期業績を発表、最高売屬欧魑{している。懸念の見(sh┫)がある四四半期そして来Qに入っての在U埔蠅任△襪、峙の世c半導販売高の先行きの見(sh┫)に通じるところであり、問はないと楽菘な見(sh┫)も出始めている。

【SamsungにつづきTSMCの最高業績】

◇Samsung takes aim at second straight year of record profit as memory chips rebound (10月4日け Reuters)

◇Samsung Electronics on course for record profit as memory chips rebound (10月4日け Tech2)

◇Samsung set for another record quarterly profit (10月7日け DIGITIMES)

◇Samsung's New Bright Spot: Memory Chips (10月7日け The Wall Street Journal)
→Samsung Electronics Co.のスマートフォン業のPびに鈍化懸念があるk(sh┫)、メモリ半導業がるい材料になる可性の旨。

◇TSMC 3Q13 sales in line with guidance (10月9日け DIGITIMES)
→TSMCの9月連T売屬欧NT$55.38B($1.88B)と最高を記{、i月比0.5%\、iQ同月比27.6%\。四半期の連T売屬欧NT$162.6B、i四半期比4.3%\、これも最高を記{の旨。TSMCの2013Q販売高がNT$451.22B、iQ同期比20.2%\。

SoCx場Sについて、IntelのQuark、そしてZ載SoCx場におけるプレーヤー合のそれぞれ以下現Xである。

【SoC勢2】

◇Intel Tackles SoC With Quark (10月7日け EE Times)
→Intelの新しいPentium-ベース・アーキテクチャー、Quarkは、Atomよりも小さく、消J電を抑えたプロセッサを実現、さまざまな企業がSoCを開発するベースとなる旨。スマートフォンなどよりも小さなInternet of the Things(IoT)向けの該コアが最初に入ったのがX1000 SoC、そのスペックが先週にリリースの旨。

◇Mobile IC Vendors to Alter Automotive SoC Market (10月8日け EE Times)
→新顔となるBroadcom, Qualcomm, およびNvidiaからRenesas, STMicroelectronics, Infineon, およびFreescaleなど来プレーヤーまでZ載ICメーカーのHくが、成長するin-vehicle infotainment SoCs分野席巻に凌ぎを削っている旨。

◇Automotive market sees influx of mobile SoC companies (10月10日け EE Times India)


≪グローバル雑学棔275≫

E時代に入って、EBに瓦垢詒人陝CoはNHKの「八_の桜」で表わされているところであるが、Z代化の壻をいくつかの切り口から、

『学鬚任篭気┐討れなかった! 世cのなかのニッポンZ現代史』  
  (菅野 祐孝 著:歴史新書 洋泉社) …2013Q3月21日 初版発行

  より{って確認していく。E時代の外交、Oy(t┓ng)c権運動から議会開設、そ
  して@本主Iの確立と、それぞれのいばらのOの進t、S乱を、Q毎辿って
  いくと、鎖国から開国へk気に野が開けてきた興奮、そしてT気込みが
  く伺えるものが随所にある。


1章 開国と日本のZ代化 −−−幕からE後期まで   ≪後≫

4 E時代の外交 −−他国とのおき合いはうまくいったのか?

◇東アジアZuo国との交渉 −EBの外交}腕は?
・1871Q、Bは最初の甘条約として日{T好条を締T
 →日本を{より下位にみていた朝zへの官
・1871Q、サ綉c害P…宮古の漁cが湾原住cによって害
 →1874Q、搨Oの指ァのもと、湾出兵
  →日本は賠償金などの@`、銀50万両をuる
・サ紊蓮江戸時代初期以来、日{両錣隆愀
 →1879Q、Bはサ紊稜剄g県を唸圈沖縄県を設
 →沖縄でのZ代化は、本土に比べてはるかにれることに
・1873Q、拯rら征f派の参議はk斉に下野
 →内省の長官(内G)、j(lu┛)久保W(w┌ng)通が権を掌
 →E6Qの変
・1875Q、朝zと江華Pに発t
 →1876Q、日朝T好条を締T、N僂粒港など
 →日本が幕にo外国とTんだ不平等条約をそのまま朝zに瓦靴堂,靴弔韻襪茲Δ奮聞
・日本には国境の画定も_要な外交課
 →1875Q、樺痢h交換条約が成立
  …ロシアは樺痢日本は守(ロシア@はシュムシュ)以南のhを諠~
・1875Q、小笠原oの諠~をx言
 →1880Q、東BBの管轄下に

◇条約改の進t −なぜ]期間に解したか?
・1871Q、Bは岩倉を命権j(lu┛)使とする欧飮I団を派遣
 →Z代的なEU度をDえ、工業国・易国として発tしている先進国のeをまざまざと
 →信のOy(t┓ng)を求めるmがQ国から噴出
  →1873Q、Bはキリスト教禁Vの高札を廃
 →内E優先を痛感して、1873Qに帰国
・1894Q、外相、陸奥宗光の時、日{戦争の直iに日英通商跚L条約に調印
・1911Q、外相、小領rが改日歡名跚L条約に調印
 →岩倉遣外使I団から40Q`にして条約改を達成、欧櫃甘関係を築きuた
 →国充実、日{・日露戦MなどГ┐箸覆辰診愀

5 Oy(t┓ng)c権運動と立憲国家の成立 −−議会開設までの経緯は?

◇Oy(t┓ng)c権運動のr衰 −運動の進tに、Bはどう棺茲靴燭?
・1874Q、垣\・江藤新平・後藤(j┫)二rら、国会の開設を要求するcY議院設立の建白書をBに提出
 →Oy(t┓ng)c権運動
 →Q地にT成された社と}ばれるE団を拠点に発化
 →Bとc権派とのK烈な防
・1877Q、拯rらがニ鄒鐐茲こす
 →Bに`れ、戮O刃
 →士による最後の反B反乱
・1880Q、c権運動は国会開設亟蟇親阿箸靴謎国的に広まる
・1881Q、すでに下野していた垣\がOy(t┓ng)党、
 1882Q、j(lu┛)隈_信が立憲改進党を組E、
 1882Q、B笋立憲帝党をT成して眼^
・T局、j(lu┛)隈_信はk次伊藤F文内Vの外相、後藤(j┫)二rは田{隆内Vのチ蠅
 →c権運動はしだいに衰

◇立憲国家はどのようにして確立したか?
・c権運動が最高潮に達した1880Q代初頭
 →1885Q、伊藤F文は力官Uを廃V、新たに内VU度を創設、宮内省や内j(lu┛)臣Bを新設
・1889Q、紀元Iにあたる2月11日、j(lu┛)日本帝国憲法(E憲法)発布
・日本は、議会をもつアジアで最初の立憲国家に
 →教育のCでГ┐振軌蘢叱

◇議会Eはどのようにt開したか?
・1890Q、1v議院議^総(li│n)挙が実施
 →圧倒的にc党(瓦垢誅B寄りの党は吏党)が優勢
・Bと党はしだいに歩み寄り、肝の争点も予Q問から条約改問に
・1900Q、EW警察法をU定、Dり締まりを啣
 →下には厳しいE
・「情T投合」によって権がたらいvしされたE最後の10Q間
 →桂サ代
  …儻Uの陸j(lu┛)(j┤ng)、桂領r
  …立憲友会のセサo望

6 @本主I国家の成立 −−@本主Iはどのようにして確立したか?

◇Z代@本主I成立の要因とは?
・1880Q代後半、「企業勃興」と}ばれる会社設立のブームが到来
 →鉄O業、紡績などの軽工業
 →噞革命の時期を迎える
・1881Q、最初のM鉄会社、日本鉄O会社が設立
 →東線や高崎線を建設
・1883Q、^気動と電iを△靴申j(lu┛)阪紡績会社が操業を開始
 →日本Z代綿d紡績業が確立
 →1909Q、綿E颪陵⊇假Yが輸入Yを凌
 →1909Q、世c最j(lu┛)の旁d輸出国に成長
・1901Q、官営八(qu│n)鉄所が操業開始
・日本でも噞革命が進t、1900Qi後に日本Z代@本主Iが確立
・Bの「屬ら」の保護のもとに進められた@本主Iの育成
 →Bは「下から」の動きをEW警察法などでDり締まっていった

ごT見・ご感[
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