≪3-D ICsの現時点≫

Wikipediaにて早�]引いてみると、�}�i�M�}な和�lで次の�要表現となっている。

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「Three-dimensional integrated circuit」 From Wikipedia
…エレクトロニクスにおいて、�ζ暗纏劵灰鵐檗璽優鵐箸�2層以�屬�貭召�茲喊緤燭領��(sh┫)で1個の�v路に統合されている半導��が、�次元IC(3D IC,3D-IC, あるいは3-D IC)である。半導��業�cはこの�~望な�\術を�Hくの異なる形で�{及しているが、まだ広くは使われてなく、�T果としてその定�Iはまだ幾分流動的である。
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詳細は以下を参照いただきたい。
⇒http://en.wikipedia.org/wiki/Three-dimensional_integrated_circuit

�次元IC関係の業�c記�をずっと�R�`してきているが、これも�}�i�M�}の定�Iづけながらその記��P数を2010�Q以�Tでカウントしてみたところ、次の推�，箸覆辰討い襦�　�

	2010�Q	2011�Q	2012�Q
1月	31	27	41�P
2月	14	15	32
3月	36	26	64
4月	25	32	47
5月	16	32	54
6月	39	40
7月	36	38
8月	19	29
9月	16	42
10月	29	58
11月	32	57
12月	33	69

�@度はともかく、昨�Q後半以�Tの記�の�Hさを肌身に感じてこの集�を行ってみたという経緯ではある。学会のみならず業�c関係の国際的な場で、3-D ICsがいずこでも�Dり�屬欧蕕譴誡X況になっており、以下がその例である。

◇Chip execs see 20 nm variants, 3-D ICs ahead (4月27日��� EE Times)
→GSA Silicon Summit(MOUNTAIN VIEW, Calif.)での�H岐にわたる議�bから要点のいくつか：
＊次世代20-nmプロセスは、低電�および高性�Δ砲弔い萄播�修靴織弌璽献腑鵑鬟汽檗璽伐��(IBM)
＊�Hくの課�にも拘らず、�H様な3-D ICsが2014�Qに�x場に出てくる
＊CMOS scalingは鈍化しているが、依�7-nmノードまでは実現可�Α　�

◇ECTC: Focus on 3D integration and TSVs (6月1日��� ELECTROIQ)
→今�QのElectronic Components and Technology Conference(ECTC)(��62�v：5月29日～6月1日：San Diego, CA)の�_点テーマは、3D integrationおよびthrough silicon vias(TSVs)の旨。「ここ数�Qの最も�j(lu┛)きな流れは3DおよびTSVであり、今後とも�いていく。業�cは、3D toolsがすべて揃うまでは3Dを行ない易い��(sh┫)法として2.5D、すなわちインターポーザが現れることを本当に望んでいる。�hいはインターポーザにかかるコストがどうなっていくかにある。」(ECTC conference chairを��瓩�GLOBALFOUNDRIESのDavid McCann��(hu━))

タイミングを合わせるかのように、���的な����あるいはそれに向けた�Dり組みが相次いで発表されている現時点である。まずは、3-D ICs��況の����洩鬚涙k翼になっているとも感じるXilinx社のheterogeneous 3D FPGAが、以下の通り発表され、慌ただしい推�，虜�陲鱸cけるよう����の流れを解説する記�も見られるほどである。

◇Xilinx: 3-D Chip a Route to More Complex Semiconductors-Xilinx sees the future of chips in its new 3D FPGAs (5月30日��� Barron's/Tech Trader Daily blog)
→Xilinxが、同社FPGAsのVirtex-7最新ラインを投入、28-nm featuresのSiベースロジック半導��を40-nm embedded silicon germanium(SiGe) dieと�k緒にした3DICパッケージである旨。3DIC�\術の最先端を進める点で、このXilinx 3D FPGAは"huge"と表される旨。

◇Xilinx ships the world's first heterogeneous 3D FPGA (5月30日��� EE Times)
→混乱を�cけるよう、流れの解説：
Monolithic Device: VIRTEX-7
　↓
First 3D FPGA: Virtex-7 2000T　⇒(�R1)
　↓
First Heterogeneous 3D FPGA: Virtex-7 H580T　⇒(�R2)
(�R1)世�c最高capacity、トランジスタ6.8B個、Stacked Silicon Interconnect�\術(through-silicon vias[TSVs]接�の"silicon interposer")、同じパッケージに4つのFPGA die、homogeneous…4つのFPGA dieが同�k
(�R2)heterogeneous…同じパッケージに2つのFPGA dieおよび1つの8-channel 28Gbps transceiver die、Stacked Silicon Interconnect�\術による業�c最高バンド幅FPGAs

◇Xilinx relies on stacked silicon interconnect for 28Gbps FPGA (5月31日��� ELECTROIQ)
→Xilinx社が、3D heterogeneous all-programmable FPGA, Virtex-7 H580T FPGAの出荷を開始、同社のstacked silicon interconnect(SSI)�\術を�い、16 28Gbpsおよび72 13.1Gbpsトランシーババンド幅まで到達の旨。
・≪�^真≫ Xilinxのheterogeneous 3D FPGA, Virtex-7 H580Tデバイス
⇒http://www.electroiq.com/content/dam/eiq/online-articles/2012/05/xilinx-ssi-2.JPG
・≪�^真≫ Virtex-7 H580Tデバイスは、SSI�\術を�いてコアFPGA fabricから�`れたシリコン�屬�28 Gbpsトランシーバを届ける
⇒http://www.electroiq.com/content/dam/eiq/online-articles/2012/05/xilinx-ssi-1.JPG

�k��(sh┫)、メモリ関係でもJEDECあるいはMicronなどの�次元関係�Y��化が進められているが、次のように���的な個々の�Dり組みも見られている。

◇Etron designing DRAMs for through silicon vias (6月1日��� EE Times)
→Etron Technoogy社(新��[Hsinchu], Taiwan)が、through-hole vias(TSVs)を�いる3-D ICsに向けたbuffered DRAM設�への�Dり組みを開始、3-D ICsはDRAMsを再び元気づけ、設�コラボを牽引する(同社founder and chief executive、Nicky Lu��(hu━))旨。

≪�x場実�PickUp≫

動向が�R�`されているルネサスエレクトロニクスが、TSMCとのコラボを次の通り発表している。エルピーダメモリとともに、グローバルに発�t的な推�，鮓�蕕蠅燭�廚Α�

【ルネサスとTSMCのコラボ】

◇Renesas extends MCU work with TSMC to 40-nm (5月28日��� EE Times)
→予�[通り、Renesas Electronics社とTSMCが、Renesasがリードする�x場、microcontrollers(MCUs)についての両社間のコラボを高めることを発表の旨。

◇Renesas, TSMC tout licensable MCU platform using 40-nm eFlash (5月28日��� EE Times)
→Renesas ElectronicsとTSMCが、世�c中の他の半導��サプライヤにライセンス供与可�Δ�embedded flash(eFlash)-ベースMCUプラットフォームを開発する�画�要を説��了檗�

◇ルネサス、マイコン�攵仿�m発表、�湾TSMCに－協業関係広げ採�Q改�へ (5月28日��� 日経 電子版)
→ルネサスエレクトロニクスが28日、TSMCに�O動�Zや電子機�_(d│)の�U(ku┛)御に使うマイコンを�攵仿�mすると発表、これまでもシステムLSIの�攵�委�mしてきたが、主�のマイコンでも協業関係を広げ、採�Q改�を狙う旨。委�mするのはルネサスが昨�Q�に開発した40-nmの半導��など高性���が含まれる旨。ルネサスの主�である那�M工場(茨城県ひたちなか�x)と�湾のTSMCの工場の2ヶ所で�攵�きるようにすることで、����供給が�絶えないようにするのも狙いの旨。

新興経済圏の推�，發覆�覆�`が�`せない現�Xを、以下から感じている。グローバルに�k��的に経済の潮流を読んでいく�_みが�k層�\している。

【世�c経済の�f流】

◇新興国に試�a、インド7�Qぶり、中国3�Qぶり低成長－�W(w┌ng)下げやインフラ�業�i倒しでテコ入れ�ぐ (6月1日��� 日経 電子版)
→インドや中国など新興国経済が予�[を��?j┼n)vるペースで�(f┫)�]している旨。
　インド　 1～3月期GDP　 5.3%�\　 4四半期連�鈍化
　中国　 1～3月期実���肯─�8.1%　 �i�Q同期9.7%
　ブラジル　1～3月期GDP　 1～2%�\　�i�Q同期4.2%�\
欧��e(cu┛)機などで新興国の�要が�(f┫)�、先進国経済の�(f┫)�]につながる�K循環の恐れもある旨。

半導��の新たな芽そして開�}に向けて、我が国そして�f国で�学官協�の�Dり組みが�]ち�屬欧蕕譴討い襦�

【�学官協�】

◇パワー半導��で逆�(ji┌ng)、日本の�官学がつくばに集�T－�Z・家電の�j(lu┛)幅省エネを実現へ、人材育成にも�R� (5月28日��� 日経 電子版)
→日本のエレクトロニクス�業が、省エネ化のカギを�曚觴＼ぢ紊離僖錙屡焼��で反転�勢に、�業�\術総合研�|所(AIST)と富士電機、住友電気工業、アルバックなど16社、筑�S�j(lu┛)学がパワーエレクトロニクスの共同研�|��、「つくばパワーエレクトロニクスコンステレーションズ(Tsukuba Power-Electronics Constellations, TPEC)を設立、Si半導��に比べて電��失が少ないSiC半導��の開発を加�]する旨。

◇LED世�c最高�\術を3�Q内確保、�f国�学官協�へ (5月30日��� �f国・中央日報)
→�f国��鰻从�陲�30日、発光ダイオード(LED)照��猟蠑�に向け、�学官による相互協�覚書(MOU)の締�T式を開�(h┐o)、2015�Qまでに世�c最高水��のLED光素子�\術の開発を�`指す旨。�業推進の背景には、3�Q以内に世�c最高レベルのLED光素子�\術を確保できなければ、LEDを�f国の新成長�業に定�させることができないとの�e(cu┛)機感がある旨。今�Qから2014�Qにかけ、国�J120億ウォン(約8億900万�)と�c間�@本42億ウォンを投じる旨。

�(j┤ng)来に向けた新たな発�[が、�欧から2�P、ともに興味深く感じるとともに該新�\術の積み�_ね、実りを願うところである。

【�(j┤ng)来に向けて】

◇The first chemical circuit developed-Researcher develops first-ever chemical circuit (5月29日��� PhysOrg.com)
→スウェーデン・Linkoping Universityの�F士課�学�擇�∪つc初の化学?c│i)v路、例えばいつか筋肉の中の動きを刺��垢襪里肪�いられる可��④鰄wむ"イオントランジスタ"を開発、Si半導��がコンピュータで動作するのと同様に、��内の���分子の輸送をある機�Δ鮃圓錣擦襪茲�U(ku┛)御するよう該半導��が働く旨。

◇Single moving droplet can generate power! (5月31日��� EE Times India)
→ノルウェー・Vestfold University Collegeが、水の小さい�r(n┏ng)1個の動きを�W(w┌ng)�して電気を�こす、�~単で効率の良いenergy harvesting(環境発電)デバイスを作り出した旨。該新�\術は、低電�携帯機�_(d│)の電源として使える可��①�嚇点�r(n┏ng)(水銀あるいはイオンを含む�]��)が、薄いmicrofabricated材料、electret filmに�pって滑ると電�が発�擇垢觧檗�

≪グローバル雑学?f┫)棔?04≫

モスクワからドイツのデュッセルドルフへ、電子デバイス�業の拠点オフィスがあって小�擇發�弔堂�vか訪れたこの莂慮什澆龍�い髻�

『80時間世�c�k周　・・・格�W�豢�茲蠅泙�褥w絶ルポ』　(�Z兼 �史／著：�d桑社新書 112)　　
　…2012�Q 3月 1日 初版���k刷発行

より、いろいろ思い�こすなか味わっている。アルトシュタットで飲み�Jすアルトビールは、変わらず最高のようである。LCCとは思えないほど素晴らしいエアベルリンという下りがある�k��(sh┫)、著�vが日本で遭った不�mな顛�例が後半に�されている。

��4章　ドイツでご先祖様に会う！

◆デュッセルドルフ空港は『ドラえもん』でいえば出�v�hくん!?
・フランクフルト、ミュンヘンに次ぐドイツ��3の空港
　→ドイツらしい適�サイズの機�ε�淵妊絅奪札襯疋襯婉��
・何よりまず、人々が�かにまっすぐ�D�と歩いている
　→ここで暮らしてる人は相当ストレスがたまりそう
　→ドイツに入った�端、男性のハゲ率が高くなった
・オペル��のミニバンタクシーでデュッセルドルフ駅へ

◆ボクがネアンデルタールに行きたい理�y(t┓ng)
・デュッセルドルフの�Z�uにある最古の人類が発見された場所、ネアンデルタールに行ってみたい
・ドイツに来ていつも思う：「この国の人々は互いの��実さを信じ合っている」
　→電�Zに乗る時も、到�駅にも改札がない
　→日本人である�O分が、のび�療�兵臘イ里覆た李|であるかを感じずには
・流線型の�Q駅停�Zの電�Zで約20分、ネアンデルタール駅に到�
・気に入っているネアンデルタール人再現�Y本の独��の風貌

◆ネアンデルタール人はドイツのアイドル！
・発�E現場を、そのまま�F�餞曚�
・のどかな�儡屬涼�砲△襯優▲鵐妊襯拭璽覬悄⊂�擦量mに包まれた何もない場所
　→入場料8ユーロ(約930�)
　→いきなりネアンデルタール人の等身�j(lu┛)再現人形がお出迎え
・いつでも会える等身�j(lu┛)の原人、ズラリと並ぶネアンデルタール(NDT)人グッズの�l富さと人気ぶりの凄まじさ

◆"世�c�k長いバーカウンター"で人間も携帯も充電
・デュッセルドルフ駅まで戻り、地下鉄に乗り換え、�飲み�W国、アルトシュタットの莂�
・パソコン、iPhone充電のためのコンセント探し
　→ブンデスリーガの�@プレー��集のビデオを流している��
　→ドイツのサッカーファンは日本人に友好的
　→キッチン内から電源を�Dってくれた
・お待ちかねのデュッセルドルフ�O慢のアルトビール(��C発酵ビール)、「Schloesser Das Alt」
・4時間30分のドイツの旅は、実に心身ともに充実した時間に

◆LCCを�えたLCC、エアベルリンに感動！
・エアベルリンのエアバスA319、チューリッヒに向け定刻通り出発
　→1時間30分のフライト、�{(l│n)潔でサービス満点、感動のクオリティ！
・2012�Q中に�j(lu┛)�}�豢��隋▲錺鵐錙璽襯匹慍談舛垢詬縦蠅箸里海�
・LCCのあり��(sh┫)について�j(lu┛)きく2点の問�
　→���k「LCCだからローサービスは仕��(sh┫)がない」　→�科�者u
　　��二「LCCだからハイリスクでも仕��(sh┫)がない」　→あってはいけない

◆スカイマークで�こった驚きの��Pとは？
・2007�Q、神戸空港発スカイマーク108便で�きた��P例
　→バッグの盗�M��P、被害�vがボク(著�v)達夫婦
　→�畤佑�茲辰燭泙泙糧�垉，鯣瑤个修Δ箸靴討い襦�椒�Ｉ徂悗肋}�きが間に合わず同便に搭乗できなくなってしまっている。
　→本当に優先されたのは乗客の�W�なのか、会社の経済性なのか？

◆まさかの�T�に吉本並みにズッコケ
・ボクらのカバンから�O分のカバンに�，��┐討い誦eをビデオで�k緒に見て確認、被害届まで提出
　→なのに、"�Dり違え"はないとのやりとりでチョン！

◆�豢�饉劼�錣辰椴匹�霾�蛤錣辰討呂い韻覆�霾�
・数ヶ月後、神戸水�峽抻，砲茲辰�畤佑琳�(j┼n)性は�j捕
　→乗客や周囲に�瓦垢�W�への責任感と配慮をあまりに�L(f┘ng)き�圓�訶尻�に
・現場はアルバイトや派遣だけで�e(cu┛)機管理�ξ�ゼロの���U(ku┛)、その後スカイマークには乗らなくなった
　→先日、国内LCCのエア・ドゥ、機長が男性の�N�iを�さず機内から�Tろす�定をした�例
　→この便は約1時間5分�れて出発
　⇒�豢�饉劼砲郎錣辰椴匹�霾�筏Kい�霾�