����(d┛ng)い口調でこう語るのは、半導��アナリストとしていまや著�@な�T在である和田�v哲哉��(hu━)（モルガン・スタンレーMUFG証�w）である。和田�v��(hu━)によれば、�i工��の微細化がかなり限�c値に�Zづきつつあるとの思いが�Qデバイスメーカーの間に拡がっており、チップレットさらにはパッケージングなどでこれをカバーしていくという��向が��(d┛ng)まっているともいうのだ。

こうした�X(ju└)況の中で、�Hくの半導��メーカーは2.5次元さらには3次元実�△覆匹寮菽璽僖奪院璽献鵐阿埜��|開発拠点を設立することを��めた。��湾TSMC、�f国Samsung、��(sh━)国Intelはいずれも半導��のパッケージングの研�|開発拠点を日本に設けている。このことで、日本の材料・����メーカーとの連携を��(d┛ng)化しているのだ。日本勢では、国家半導��戦�Sカンパニーともいうべきラピダスがセイコーエプソンの工場を借りて、先端パッケージングの研�|開発を加�]しているのだ。

����メーカーにもかなりの動きがある。�j(lu┛)�}の�k角である東�Bエレクトロン（TEL）は顧客からの先端パッケージングの要望が�\加していることから、ウェーハ同士を�aり合わせるウェーハボンディング����、ウェーハ端�Cをトリミングするウェーハエッジトリミング����を�x場に投入した。とりわけ、3DNANDフラッシュメモリ、HBM（High Bandwidth Memory）、先端ロジックなどにおいて引き合いが��(r┫n)常に�Hいというのだ。

�k��(sh┫)、キヤノンは後工��で使うi線露光����の開発と量��に�R��している。パッケージサイズが�j(lu┛)型化しているためにキヤノンの露光����は4�vの露光をつなげることで100mm×100mmの�j(lu┛)型パッケージに�官�できる。また、チップごとに位��合わせを行い、位��合わせの�@度を高めるシリコンブリッジにも�官�できるのだ。そしてまた、チップ同士を直接接��するハイブリッドボンディングにも��(ji┐n)要が見込まれるのである。

日立ハイテクは直接的にはアドバンストパッケージング向けの����があるわけではないが、ハイブリッドボンディングでの�t開をエッチング����で狙っている。

材料メーカーにおいても、後工����(d┛ng)化の��(sh┫)向性がはっきりと出てきているのだ。後工��材料の最�j(lu┛)�}であるレゾナックは、後工��の開発や�h価に�Dり組む日��(sh━)10社の企業連合を設立した。シリコンバレーに開発・�h価の拠点を��くことになり、日本からは東�B応化やTOWAなど6社、��(sh━)国からはKLAなど4社が参画している。

世�cはいまや半導��設��投�@の�k�j(lu┛)ブームに�{き返っているが�i工��だけではなく、後工��投�@の拡�j(lu┛)にも�j(lu┛)きく�R�Tを払う��要が出てきたのである。