こうした動きに�瓦�Samsungは�{撃の狼煙を�屬音呂瓩拭�2027�Qまでに1.4nmプロセスを立ち�屬押�2nmプロセスは2025�Qにも���]に�eち込む考えだ。GAA（Gate All Around）�\術を採��し、1.4nmの場合にはナノシートの数を3��から4��に�\やすと言う。これでスイッチング�ξ�と動作�]度が加�]し、リーク電流も��少するというのであるからして、ただ��ではない。当��のことながら、Intelのファンドリプロセスも2024�Qまでに2nmプロセスに�`��をつけるという考え�気鮨�している。

こうした�X況下で日本の国家戦�Sカンパニーであるラピダスは2nm以下をやってみせるとの��確なプランを�]ち出し、あらゆる作戦を講じている。最�Zになっては、フランスCEA-Letiと提携、1nm��に挑戦する�e勢も�]ち出し始めた。

ラピダスは�Q内にも�盜騅��L岸、さらにはインドに��業拠点を作る考えを�wめている。���L岸に拠点を��くことによって、GoogleやAppleなどに�官�するチップの�p�Rが見込めるのだ。合わせてNvidiaは�收�AI向けGPU（グラフィックスプロセッサ）の日本への供給に���C協��すると言い出した。

MicrosoftもAI向けで日本と連携する��画を�]ち出した。いわば日�欟���による2nmプロセス以下の半導��の世�cバトルに、なんとしても�M�Wしなければならないという気合が感じられる出来��なのである。

ベルギーの世�c的な半導��研�|所であるimecは、日本国内に研�|拠点を作るという��画を�]ち出した。場所は東�Bまたは�j阪と言われている（��集�R1）。これはASMLのEUV����をラピダスがフル����できる�X況を作ることにつながる。�駘�的限�cとしては、0.5nm以下は作れないとも言われているが（��集�R2）、 2nm以下の戦いにおいて、ラピダスおよび日本���Bは総��を挙げて戦うことを世�cに�x言した形となるのだ。

MicrosoftもAI向けで日本との連携を��めている。もちろんIBMも協��する。言ってみれば、ラピダスは日の丸半導��ではなく、日�櫺い力�合��が立ち�屬欧覽霆jなファンドリ工場と言えるだろう。

こうした�X況下で、AI開発に��要な���Q量が爆発的に�\えてくることが問��となり始めた。AIに関する���Qを行うのに要する消�J電��は、世�c����で2018�Qには15TWhであったが、2030�Qにはなんと1200TWhになってしまうと予�Rされている。さらに2050�Qには221,000 TWhまで行くと言われており、もうどうにもならない。要するに�收�AIはめちゃくちゃに半導��を使うのだ。

こうなれば、半導���O��の消�J電��を圧倒的に��らしていく��要がある。例えば東���j学が�R��するスピントロニクス半導��の量��を加�]することが�_要になってくる。これまでの�@��のDRAMに比べては1000分の1の消�J電��で動かすメモリであり、この運��が待たれるばかりだ。

また、�k�気如▲薀團瀬垢�主張している通り、�v路設��段階で低消�J電��になるような高�]ロジック半導��を開発しなければならない。

時代はカーボンゼロに向かっていると言うのに、AIによる半導��の���\がSDGsを阻害してしまうのであれば、洒落にもならないのである。

��集�R
1. ImecのCEOであるLuc van den Hove��に11月、伺ったところ、東�Bか�j阪に日本の拠点を��き、���L�Oにも�~単なオフィスを作る予定だが、実際にはまだ��まっていない、と述べている。
2. 2nmとか1nm、0.5nmは実�∨，任呂覆�、�kつのプロセスの�}び�@にすぎないため、�駘�限�cは別の�Bである。そもそもSi原子1個の�∨，�0.5nmに�Zいため、原子1個の�jきさではMOSトランジスタとして機�Δ靴覆ぁ��駘�限�cは実�∨，�10nmあたりだろう。Si中の電子は、1立��cmあたり10の24乗個のSi�T晶の中のドナー不純�颪�10の18乗/cm3��度なければ電流として湧き出さない。つまり��万分の1個のドナーで電流が�w��中に供給されている。MOSFETの限�c�∨，呂海両豺腓��∨，年�まるのではないだろうか。