SDGs（�e��可�Δ�17項�`の開発�`�Y）の進�tと半導��は深い相関関係を�eっている。データセンターのハードディスクをNANDフラッシュメモリに変えるだけで、使��電��は飛躍的に引き下がる。ここではサムスンや東��などが鍵を�曚襦�ウェアラブル端��であるスマートウォッチについても、MRAMを搭載すれば消�J電��は二桁��桁の�J(r┬n)囲で少なくなる。新世代のMRAMについては、遠藤哲�r教�b率いる東���j(lu┛)学国際集積エレクトロニクス研�|開発センターが、世�cをリードしていると言ってもよいだろう。さらに加えてEVや�\料電池�Zなどのエコカーに��須であるのがパワー半導��である。

パワー半導��の世�c�x場は10�Q後には15兆��を��えてくるという予�[がある。中でも省エネ性に優れるSiCパワーは20〜30倍に�Pびてくるという予�[もあるのだ。

「ロームのSiC��業は25�Q度に売�峭�1100億��以�屐▲轡Д�30%以�屬��耀uを�`指す。25�Q以�Tも�}を緩めることなく、投�@を�M(f┬i)��していく。21〜25�Q度����で最�j(lu┛)2500億��をSiCデバイスの�\�咾謀蠅犬觴�画だ。マツダのEV戦�Sに参画もするし、日立のEV��インバータにもわが社の����が採��された」。こう語るのは今や国内の半導��企業ランキングで��4位に躍進したロームの松本功社長である。松本��はここ数�QのうちでSiCデバイス�x場は8000億��以�屬凡k気に膨れ�屬�ると判��している。

パワー半導��のもう1つの�_要ファクタは300mmウェーハにある。加賀東��は300mmウェーハ�官�のパワー半導�����]棟の��工式を先ごろ行った。同時に�了卍�の工場内に新たな���]棟を建設し、�攵��ξ�を2倍以�屬忙\�咾垢襦Ｅ贄�����としてパワーの�ξ�は数倍に膨れ�屬�ることになるだろう。

国内のパワー半導��の最�j(lu┛)�}である��菱電機も動き出した。�y本県泗水地区にSiCの8インチウェーハの新工場を建設することを��めたが、ここには1000億��を投入する。またパワー半導��の後工��工場を福�K県に新設し、これにも100億��を充当する。同社の21〜25�Q度のパワーデバイス��業の投�@は、2600億��に倍�\される。

こうした動きの中で材料メーカーの動きもかなり�咾い發里�出てきた。今や半導��材料の世�cランキングで��3位の地位にあるレゾナックの動きが��発だ。レゾナックホールディングスの森川�爇会長は、SiCエピウェーハを�啣修垢襪箸靴董�以下のように述べている。「レゾナックはSiCパワー半導��のエピウェーハの分野では世�cトップの�\術と量�����U(ku┛)を確立している。外販企業としてはトップシェアであろう。パワー半導��の�j(lu┛)�}であるドイツのInfineon Technologiesとの間では、SiCエピウェーハの長期�W定供給について約�Jを�Dり��けている。Infineonは27�QにはSiCパワー半導��の�ξ�を10倍にすると表��しており、当社もこれに合わせてきっちりと供給していかなければならないと思う」。