キオクシアは��念場、巨�j(lu┛)投�@��行で突破口を切り開け!〜四日�xにY7棟建設
東��の半導����業はここに来て、��念場を迎えたと思えてならない。NANDフラッシュメモリで世�c��2位を誇る東��の�e分会社であるキオクシアは、10月に予定していた東�B証�w�D引所への新���崗譴鰈�期すると発表した。�k般的には、��(sh━)中��易戦争のあおりでファーウェイへの輸出が不透��になったことなどが挙げられている。
しかし、真相としては違うだろう。筆�vも外国人投�@家や国内の主な証�w会社のアナリスト筋にヒヤリングをかけたが、実際のところは「キオクシアには��く魅��がない。株を�Aう気にはなれない。NANDフラッシュ1本�gの会社は不?sh┤)W定であり、先行きが暗い。DRAMを�eっていないことが致命�aだ」。こうした�T見が��出したのだ。
キオクシアの2020�Q�嵌彰�の成績は、かなり良いものであった。確かにここに来て、NANDフラッシュメモリは価格下げと��(ji┐n)要バランスの崩れがあり、見通しが暗いという�X(ju└)況はあった。ところが、つい直�Zの�X(ju└)況で言えば、価格は下げ�Vまった。つまりは、在�Uはほとんどなくなった。来�Q�峇�に向けてメモリ半導��は�峺�(j━ng)機運に乗りつつある。それでもキオクシアの人気がない。
10月��になって、キオクシアは四日�x工場内にY7棟を建設する��画をぶち�屬欧�。なんと1兆��の投�@である。四日�x工場は現�X(ju└)で敷地80万m2であり、Y7棟建設に伴い、20万m2の土地を�\やすことになるのである。実に四日�xは100万m2の広�j(lu┛)な敷地を�eつ国内ぶっちぎりトップの半導���j(lu┛)型量�妌場にジャンプアップするのだ。
この��画を�]ち出したことには裏がある。�f国のSKハイニックスは、約1兆��の�@金でインテルのNANDフラッシュメモリを�A収することを��めている。�k��(sh┫)で、SKハイニックスはキオクシアの�j(lu┛)�}株主であるからして、あわよくばキオクシアも吸収したい、との狙いもチラホラと聞こえてきた。
こうした�X(ju└)況下にあって、東��としては根性を見せなければならない時を迎えた。Y7棟という�j(lu┛)型工場建設を�]ち出して、国内外に元気な�eをアピールする��要があるのだ。そしてまた、SKの野望も閉じ込めてしまう��要がある。
�k��(sh┫)で、東��は�u(p┴ng)�Tとするパワー半導��の分野においても、�j(lu┛)型投�@��行をほぼ内定した。東��デバイスが�eつ量�喤点である加賀東��エレクトロニクス（石川県�θ��x）の敷地内に、300mmウェーハ�官�のパワー半導��の量��ラインを�k気に�D�△垢襪里�。�u(p┴ng)�TとするパワーMOSFETの�ξ�を拡�j(lu┛)する�k��(sh┫)で、新たにIGBTの分野も��(d┛ng)化していく。
データセンターの�k気���\、さらにはハイブリッド�Z、EV、�\料電池�Zなどのエコカー加�]などにより、パワー半導��という分野は4兆〜5兆��という巨�j(lu┛)�x場が見込めるのだ。これは数�Q�iのNANDフラッシュメモリとほぼ同じ��模であり、この分野で�Mたなければ東��の��(j┤ng)来はない。��合する��菱電機はすでにシャープの福�儿�場を�}に入れた。当��のことながら、300mmのパワーIGBT量��で�M負をかけてくるだろう。これに�眼^する��要がある。
NANDフラッシュしか�eっていないことが、キオクシアのボトルネックであるならば、東��デバイスを傘下に加えてNANDとパワーデバイスの両�Cで�Z載やデータセンターを��めていくという作戦があるじゃないか、と筆�vには思えてならない。
