��かな口調ではあるが、眼光は炯々として鋭くこう語ったのは東��の副社長であり、ストレージ&デバイスソリューション社社長の成毛康�d��(hu━)である。これは2016�Q12月22日に�噞タイムズ社とセミコンダクタポータルの共同主��(h┐o)で開��(h┐o)された「�效�70周�Qを迎えるトランジスタの未来カンファレンス」の講�Tにおける発言である。

実のところ筆�vはこれを聞いて何とサプライズなことを言っておられるのか、という思いでいっぱいであった。NANDフラッシュメモリーの3Dタイプは、現時点で東��とサムスンが発表している64層が最高レベルであり、この�屬鬚呂襪�に行く200層というのは考えられない数�C(j┤)であったからだ。

筆�vはこのカンファレンス開��(h┐o)の2日�iには東��四日�x工場を�D材しており、工場長の松下智�E��(hu━)からも3D NANDに賭ける並々ならぬ���Tを伺っていた。周��(m┬ng)のように東��/ウエスタンデジタル連合は1.5兆��を投じてY 6棟を2月にも��工することとなり、サーバー向けの主戦場となる3D NANDを徹�f��(d┛ng)化する作戦に出てきたのだ。

3D NAND�x場は、ギガバイトベースでいえば2015�Qから2020�Qまで何と�Q率40%で�Pびていくと予�[されている。とりわけIoT時代に�官�しデータセンターの新�\設ラッシュが��くことから、立��構�]の��次元NANDは爆発的に成長するといわれている。

NANDの世�cにおいては、現�Xで�f国のサムスン電子（世�cシェア32.6%）と東��/ウエスタンデジタル連合（世�cシェア36.4%）がいわばガチンコ�M負の様相を呈している。東��としては64層タイプのサンプル量��で�x場を先行し、�攵�キャパ拡�j(lu┛)を実行することでこの��烈な戦いに�M�W(w┌ng)していく考えだ。3D NANDの世�cは今や高層ビル建築ともいってもよく、このカンファレンスが行われている最中に�f国のSKハイニックスが2017�Q後半から72層のNAND型フラッシュメモリーを量��すると発表した。

ところで筆�vは成毛副社長からアナウンスされる�iにすでに東��は96層の開発にほぼ成功しており、128層開発にも踏み込んでいると聞いていた。ところが、である。成毛��(hu━)はあっさりと社内的なクリア�`�Yとして200層以�屬縫船礇譽鵐犬靴討い襪判劼戮燭里澄�

2025�Q段階では、この3D NANDは価格�Cにおいてもハードディスクに�{いつくといわれている。これを達成するためにはまずは、�Q社とも3D NANDの�H層化戦争を�Mち�sく以外にないだろう。東��の場合はナノインプリント�\術（キヤノンと�j(lu┛)日本印刷と共同開発）を�eつため、微細化、コスト削��(f┫)に�~�W(w┌ng)といわれている。加えて今�v��工のY6棟は�攵�システムにAI（人工��(m┬ng)�Α砲鮴儷貌各�し、ほぼパーフェクトのIoT�攵�システムを確立することになる。Y6の後の��画として�R�`されるY7棟についても四日�xで建設することはほぼ間違いないと筆�vはみている。巨�j(lu┛)投�@の�Zしさに耐え�sいて、東��が�k躍フラッシュメモリ世�c�j(lu┛)戦争の真っただ中に突入し、�Mち�@乗りを信じての�dたけびの�mを�屬音呂瓩燭里澄�