ところがここにきてスマートホンやタブレット端��向けの��要が好調であることから、�Q社とも�x況好転は確実なものと判��している。DRAM業�c����の2013�Qのビット成長率は20〜30％と予�Rされ、依��低水��に�里泙辰討い襦�しかしながら、スマホやタブレットなどのモバイル��DRAMに限れば50%以�屬��Pびが期待できる�X況となっている。

モバイルDRAMでは現�X3X nmが中心であるが、2013�Qは2X nm世代がより�jきなウエイトを��めると見られ、この微細化投�@も拡�jすることは確実であり、����メーカーには少しく�{い風が吹くだろう。

�k�気如▲僖愁灰鷂�けは不調が��きスマホやタブレット向けが好調であることから、�Q社とも�@��DRAMからモバイルDRAMへの転換投�@を加�]する。サムスン、SKハイニックス、マイクロン／エルピーダの3�jメーカーは、こぞってモバイル転換投�@に積極�e勢を見せているのだ。

NANDフラッシュメモリーも2012�Q後半から�j口価格、スポット価格ともに�峺�している。メモリーメーカーが�攵�と投�@を絞ってきたことで、��給バランスがよくなり始めたことが要因だろう。直�Zで32GビットMLC（�Hビット/セル）の�j口価格は2.6ドル�i後まで�v復している。さらにパソコン向けSSDの��要立ち�屬�りも�[定されており、微細化投�@がこちらでも加�]していく。

東��は四日�x工場で最先端の1Y nm世代の量�����△妨�け、���]����を導入中。サムスンも��16ラインで19nm世代の�ξ��\�咾望��}している。ただし微細化については、思ったほど、ビットコストが下がらないという根本的な問��がある。つまりは、ダブルパターニングの本格導入でプロセスコストが�峺�してしまうのだ。この代���\術として期待される3次元NANDもいまだ量�僝のメドはついていない。

2013�QのモバイルDRAM向けの設��投�@は微細化が中心となるが、2014�Q以�Tはウェーハ投入�ξ�そのものの�\�咾��jきく期待できる情勢だと言えるだろう。