ところがここにきて、日��(sh━)で同時�H発的に�R�`すべき出来��が��き始めた。��(sh━)国においては、世�c最�j(lu┛)の半導��メーカーであるインテル社がトライゲートトランジスタと�}ぶ3次元構�]の最新トランジスタ�\術を採��し、新たなプロセッサファミリを量��している。この�\術は電流を�U(ku┛)御するゲートの構�]を2次元から3次元にすることでリーク電流を抑�U(ku┛)するとともにトランジスタ密度の向�屬魏��Δ砲垢襪箸いΑ�

プレーナ型トランジスタはICの中心であり��けたが、個別トランジスタの�j(lu┛)きさは常に縮小し��けた。しかし、これ以�屬僚名�はリーク電流の問��で限�cがきているといわれている中で、インテル社はいわば3次元構�]のトランジスタを導入することで�k気の解��を図ろうとしているのだ。

22nmプロセスで���]される3次元トライゲートトランジスタは、現在の32ｎｍプロセスで���]されるプレーナートランジスタと比べて、最�j(lu┛)37％の性�Ω��屬�可�Δ箸い錣譟△發憩韻言��Δ鮗存修靴疹豺腓砲郎能j(lu┛)50％の省電��化が図れるともいわれる。インテル社はこの3次元トランジスタでムーアの法�Г魄欸eし、14nmプロセス�\術にも採��していく��(sh┫)向であるという。

�k��(sh┫)、日本においては先ごろ、��川�j(lu┛)学工学�陲例K本研��教�bがダイスターとよばれる新トランジスタの発表を�o式に行なった。これまでのバイポーラトランジスタはpnpかnpnの3層構�]をもち、スイッチング機�Δ鱆~するトランジスタであるサイリスタ(��集室�R2)はpnpnまたはnpnpの4層構�]を�~していた。�K本教�bが発��にこぎつけた新型トランジスタ（ダイスターと命�@）およびサイリスタ（ダイリスターと命�@）は驚くなかれ、発光ダイオード（LED）とシリコンフォトダイオードを密��させただけの構成で��来のものと比べても��色ない��性を��(j┤)し、実��に使えるというのだ。

ダイスターはベース電流を�\やすだけでサイリスタにもなるらしく、LEDとフォトダイオードをくっつけるだけで�\幅素子が実現できることは、これまで見たことも聞いたこともない新学説であると言ってよいだろう。

最�Zの研�|成果によれば、LEDとフォトダイオードを30cm以�巛`しても、トランジスタ作��（電圧�\幅作��）があることが判��し、いわば光空間の新トランジスタが誕�擇靴燭海箸砲覆襦�今後どのような応��?d─n)t開が見込まれるかは、さらなる開発に待つところであるが、��(r┫n)常に期待できるデバイスであるといって良いだろう。

ちなみに、トランジスタを発��したウィリアム・ショックレイ�F士の理�bは、接合型pnpトランジスタの動作理�bにおいてベース層は��(r┫n)常に薄く、不純�馭仕戮�小さいので��孔はベース層を拡�gにより突き�sけてコレクタ�覦茲肪�する、という電導説に基づくものだ。ところが、�K本教�bの出した仮説は実に興味深い。つまりは、トランジスタはそもそもエミッタ-ベース間の発光作��とコレクタ-ベース間の�p光作��により動作しているのではないか、という光動説を主張するのだ。はてさて、世�cの�Hくの学会がどのように反応するかは実にエキサイティングなところなのだ。

��集室�R）
1) プレーナICを発��したロバート・ノイス��(hu━)は当時フェアチャイルドセミコンダクターにおり、「裏切りの8人」の�k人ジャン・ホーニ��(hu━)が同じ会社でプレーナプロセスを開発した。インテルはシリコンゲートMOSトランジスタをいち早く開発した。このため厳密には、プレーナ型シリコンゲートMOSトランジスタと言った��(sh┫)がいいかもしれない。
2) トランジスタそのものもスイッチング機�Δ鬚發帖�トランジスタは、入��電圧を加えた時間だけ出��電流が流れるのに�瓦靴董▲汽ぅ螢好燭魯押璽箸縫僖襯垢魏辰┐襪肇�ンし��ける、いわゆるラッチ�X(ju└)��となって入��をゼロにしても出��電流が流れ��ける。サイリスタは電流を�Vめるために転流?d─ng)v路という出��端子の電圧を逆にするための�v路を導入しなければならず使いづらいため、入��ゲートを負にすればオフできるGTO（ゲートターンオフサイリスタ）につながった。GTOでさえ��負の二つの電源が��要なためやはり使いづらく、入��ゲートを��(極性が逆なら負)にした時だけ電流がオンになる(トランジスタと同じ)IGBTへとさらに発�tした。