実際のところ東��は、主��となるフラッシュメモリーなどの半導���\�欫�@をほぼ凍�Tしている現�Xにあるが、省エネルギー����のパワー半導��については、例外とも言ってよいほどの積極�e勢を見せ始めた。IGBTを始めとするパワー半導��の拠点は、石川県�θ��xにある加賀東��エレクトロニクスであり、��べ2万3000平��mの新工場棟を立ち�屬欧討い襦�ここには、8インチウェーハを導入し、月��6万��〜7万��に引き�屬欧觴�画で、2010�Qまでに550億��を投入するとアナウンスしている。しかし、実際�屬亮�画は800億��以�屬鯏蠧�すると見られ、ウェーハ��数も月��10万���Zくまで�k気に�屬欧討い���画だ。8インチラインは、���_県四日�xのフラッシュメモリー�攵�ラインを転��して使う。

パワー半導��でトップをいく��菱電機を�]倒するのが東��の最終�`的であり、今後の��向としてはメモリーに�瓦垢訶蟀@よりもパワー半導��に�瓦垢訶蟀@が相�甘�に�\えてくると見ている。加賀東��は、敷地33万平��mもあり、広�jと言われてきたがもう1棟建てれば、ほぼ満�Jになる見通しだ。このため、中長期的には新工場立地もいよいよ��野に入ってきた。

世�c経済�e機の影�xで��調といわれたパワーデバイスも、この1�Q間はさすがに失�]した。しかし、省エネ半導��として環境配慮の時代にマッチングしているチップであるため、この����拡�jはすさまじいものがあるといわれている。ヨーロッパやアメリカを中心に���]に拡�jする風��発電は、現�Xで���\金などを加えればすでに石炭����や石������の料金を下�vっている。風��発電1基には50個以�屬虜農菽璽僖錙璽妊丱ぅ垢任△�IGBTが搭載されるわけだから�~���x場といえるだろう。英国などは、7000基の風��発電を2020�Qまでに建設するとアナウンスしており、これだけでもIGBT��要は爆発する。もちろん、環境�Zといわれる電気�O動�Zやプラグインハイブリッド�Zの�_要�雕爐魯螢船Ε爛ぅ�ン電池とIGBTであり、この��要もばかにならない（��集���R：電気�O動�Zが本格化する時代はSiCやGaNのFETも�_要�雕爐砲覆覯���性がある）。

CO2排出量がガソリン�O動�Zの9分の1と少ない鉄�Oへの関心も高まっている。�盜颪任蓮▲哀蝓璽鵐縫紂璽妊�ール��策の�k環として、10路線の高�]鉄�O�D�⊆�画を発表している。2012�Qに��工するサンフランシスコとサンディエゴをつなぐカリフォルニア高�]鉄�Oは、約1300Kmのスケールで、実に��業�Jは3兆��を��えるという。中国は、2020�Qまでに1万6000Km以�屬旅��]鉄�O��を�]る��画であり、ロシア、アルゼンチン、インド、ベトナム、ブラジルなどにおいても新��の高�]鉄�Oプロジェクトが進む。鉄�O関連�噞の�x場��模は現�Xで約16兆��であるが、この数�Qのうちには20兆��以�屬肪�する見通しだ。ここにも最先端のIGBTや�Hくのパワーデバイスが�j��躍するステージがある。

IGBT�攵�で世�cの2位をいく富士電機は、いよいよ期待のマレーシア新工場において本格的な�k楬名�に踏み切る。これまでは後工��のみが�n働していたが、この10月からは6インチウェーハで月��1万5000��の�i工��をいよいよ導入することを��めた。パワーデバイス再�峺�の�B音が聞こえてきたからにほかならない。

加えて、来�Qから半導���噞並みの巨�j投�@が始まると言われる�陵杆�発電についても、パワーコンディショナーのところにかなり�HくのIGBTなどパワーデバイスを採��する。環境／新エネルギーをキーワードにパワーデバイスの巨�j投�@��行の基本的な条�Pは�Dったと言えるだろう。