��来�~望なGaN��業に�H数の企業が参入する中でTSMCのGaN��業����はなぜ?
��来のシリコンCMOS�\術が性�Ω堕cに�Zづく中、ワイドギャップ半導��の�k�|である窒化ガリウム（GaN）は、電��システムにおける高効率、高電��密度、小型化への高まる��要にこたえる次世代ソリューションとして��頭してきている。
Yole Groupによると、パワーGaNデバイス�x場は2020�Qから2025�Qにかけて10倍以�屬棒�長してきており、2024〜2030�Qに�Q平均成長率42%で��成長し、2030�Qには29億ドル��模に達する見込みである（参考�@料1、2）。
図1 2024�Qと2030�QのパワーGaNデバイス�x場の応��分野別内�l 出�Z：Yole Group
GaNの最�j����は家電の���]充電�_
2030�Qには、コンシューマ向けが、約20億�櫂疋襪函⊥x場����の�堡召鰒�める見込みである。��に最�j300Wの���]充電�_の他、�埆偲妬欷遏�OVP）および家電����など新��機会がけん引役となる。2番�`に�jきな分野になると見込まれるのが、�x場シェア約19%の�O動�Z分野である。同分野は2024�Qから2030�Qまで�Q平均成長率73%で成長し、2024�Qの2000万�櫂疋襪�ら2030�Qには約5億�櫂疋���模にまで成長するとYoleは予�Rしている。�Jに先進運転システム（ADAS）向けLiDARシステムで採��が広がっているほか、�Z載充電�_（OBC）や、DC-DCコンバーター、オーディオ、プレミアムeモビリティ分野での�t開が期待されている。
2030�Qに3番�`に�jきな分野になると見込まれるのが、テレコムと通信インフラである。2025�QはAI開発が�jきく加�]する�Qとなり、データセンターや通信インフラ����における高効率電源の��要が高まっている。この分野は、�Q平均53%で成長し、2024�Qの2900万�櫂疋襪�ら3億8000万�櫂疋襪砲泙燃判jし�x場����の13%を��める��模になる見込みである。次いで、エネルギーと�噞分野がパワーGaNの��4の�x場として浮�屬垢觚�込みである。
GaNデバイスの売�峭皀肇奪廚話羚餞覿�
2024�QのパワーGaNデバイスサプライヤの売�峭皀薀鵐�ングトップ5を見ると、トップは中Innoscienceでシェア30%。2位には��Navitas Semiconductor（17%）、3位に��Power Integrations（15.2%）、4位に��EPC（13.5%）と��く。�盜饑�はいずれもファブレスであり、ファウンドリに���]を委�mしている。5位にIDMのInfineon Technologies（11.2%）が入っている。日本勢はSiCデバイス同様に出��れ気味で、その他�j勢（13.1%）の中に�m没してしまっている。
2023�Q以�T、GaNパワーデバイス業�cは、InfineonによるGaN Systemsの�A収、ルネサス エレクトロニクスによるTransformの�A収など、�j��模な合��や�A収が進み、統合の段階に入ったと言える。STMicroelectronicsは8インチGaNファブを建設中、Nexperiaはプラットフォームを拡張し、ロームはEcoGaNデバイスを発表している。また、Samsungも2026�QにGaNパワーデバイスのリリースを予定している。
出��れたonsemiは、�e型GaNを開発し、�O動�Z向けに700Vと1200V����のサンプル出荷を始めた。�k��、ベルギーimecは、研�|パートナーとともに300mm GaN プログラムを開始した��信越化学がimecに300mm QST基��を供給している。
TSMCがSiC��業から����する理�y
そんな中、TSMCのGaNファウンドリ��業の最�jの顧客であるNavitas Semiconductor が、�盜饐敖w�D引委�^会（SEC）に提出した書類（�R1）（参考�@料3）で、TSMCがGaN��業からの����が��らかになった。TSMCも��湾の地元メディアに�瓦靴働���は��実と認めている。TSMCの6インチGaNウェーハの月間�攵盋は3000〜4000��で、その半分以�屬�Navitasが��めているという。
図2 Navitas Semiconductor のパワーGaNデバイス：TSMCが��湾にあるFab 5で�p�m�攵�している 出�Z：Navitas
TSMCは、�W益率の高い先端チップ�\術に�R��するという戦�Sに�pって、�W益率の低い成�^�\術セグメントから徐々に����している。TSMCは、中国の��合GaN メーカーからの価格圧��の高まりを理�yに、2027�Q7月31日までにGaNウェーハファウンドリサービスを終了し、現在GaN��に使��されている��湾・新�艚xのFab 5を、2027�Q7月1日から先端パッケージング��に転��する��画だという。去る7月に、C.C.Wei会長が最終����したという。猛��する中国勢の�W値��勢に�眼^するのは、TSMCにとっても至�Mの業ということである。
ローム社長の東�ｸ���は2025�Q11月6日に開��された同社の2025�Q度�嵌彰�（2025�Q4〜9月）���Q説��会において、TSMCの窒化ガリウム（GaN）ファウンドリ��業����の��定について「当社の�\術�vが��湾のTSMCに出向いて、TSMCの�\術と当社が今まで作ってきたノウハウを合わせ込んできたので、GaNビジネス����はものすごく�jきな痛�}だ」と述べ、新たな提携先を探していることを��らかにした。
TSMCがGaN�\術ライセンスをGFに供与
��GlobalFoundries（以下、GFと�S記）は11月10日、TSMCから650Vおよび80V窒化ガリウム（GaN）�\術に関する�\術ライセンスの供与を�pける契約を締�Tしたと発表した。この戦�S的提携により、GFはデータセンター、�噞機�_、�Z載電源アプリケーション向けの次世代GaN����の開発を加�]し、�盜餤鯏世�GaN�攵��ξ�を世�c中の顧客基盤に提供できるようになるという。 TSMCのGFへのGaN�\術ライセンス供与は、TSMCの顧客の困惑を解消する狙いもあるとみられる。
日本勢のGaNビジネスは、SiC同様に、立ち��れて�T在感に��しい。猛��中国勢の�W値��勢に�眼^するためには、��低コスト�\術か高��加価値�\術などの差異化戦�Sが��要だろう。
�R
1. �盜饐敖w�D引委�^会（SEC）Form 8-K文書：�崗豐覿箸粒�価に影�xを与える可��性のある�_�jな����が発�擇靴疹豺腓法�4営業日以内にSECに提出することを�I����けられている臨時報告書。Navitas Semiconductorは、TSMCからGaNファウンドリ��業����を通�瑤気譴燭燭瓠�Form 8-K書類をSECに提出した。
参考�@料
1. "Power GaN 2025", Yole Group, 2025.9.
2. �K����、「GaNパワーデバイス�x場は2024�Qの3億5000万ドルから2030�Qには29億ドル��模に」（参考�@料1の解説記��）、マイナビニュースTECH+、(2025/11/05)
3. Navitas Semiconductor の�盜饐敖w委�^会への提出文書、(2025/06/27)
