5番�}企業SK Hynixの4次元NANDフラッシュメモリ猛��戦�S
7月1日に、経済�噞省が�f国に�瓦垢�3�|類の半導��材料の輸出���Uを発表した。同省は、単なる「輸出管理の運��の見直し」と言うが、世耕�j臣は、「徴��工問��で信頼が��なわれたことも理�yのひとつ」とSNSで述べている。�k�気如∠f国�笋狼�実�屬陵⊇亢慵Vととらえ、国家��常����だとしている。
�f国の2�j半導��メモリメーカーは、���]をストップさせないように、フッ化水素を日本以外から調達しようと奔走している。実際、7月4日より今日に至るまで日本��フッ化水素の�f国への輸出はストップしている。�k�機▲譽献好箸�、EUVリソグラフィ��とナノインプリント��に限定されており、フッ化ポリイミドは半導�����]には使われていないので、メモリ���]には影�xするのはフッ化水素だけのようだ。
��Wall Street Journal�Lは、7月2日��け�L�Cで、「�W倍��相はライバル国の中核�噞を経済的に罰するトランプ�j統�襪鮠}本にした」と指�~し、そのうえで、「日本は�Oら墓穴を�Eっている。日本企業は�f国での仕��を失うからだ」との分析を紹介した。�f国での反日��動はますます����となっている。8月2日には、日本���Bは�f国をホワイト国から外す�V議��定を行った。SEMI�盜駛��陲�、グローバルなサプライチェーンに影�xが出ないように日�f両���Bに�瓦靴瞳�念を表��している。今後の日�f関係の行�気籠�本の材料����メーカーへの影�xが心配される（参考�@料1）。そんな�@ぎの中にSK Hynixからの画期的なニュースがうずもれてしまった��
SK Hynixが128層 4D NANDを量�凮始、176層����も開発中
SK Hynixは、DRAM業�cで、トップのSamsungに次いで�x場シェア約3割で2位に位��している。この�f国勢2社だけで世�c�x場でシェア75%�Zくを確保している。�k��、NANDフラッシュメモリ業�cでは、SK Hynixは、Samsung、東��メモリ、Western Digital, Micronに次いで、5位に甘んじており、世�c�x場のシェアは10%弱に�圓�ない。そんなSK HynixがNANDでも��勢に出た。
同社は、今�Q6月��に業�c初となる128層1テラビット TLC (Triple-Level Cell) 「4D NAND フラッシュメモリ」を開発し、すでに量��を始めたと発表した（参考�@料2）。今�Q後半の発売を予定しているという。同社は、8カ月�iに96層4D NANDフラッシュメモリを発表したばかりであり、現在、176層 ����も開発中であることも��らかにしている。
図1 128層1Tb TLC 4D NANDフラッシュメモリチップ 出�Z：SK Hynix
聞きなれない4次元NANDとは？
SK Hynixがいう「4D（4次元）NAND」とは同社独�Oの�}称で、周辺(ペリフェラル)�v路の直�屬縫札襯▲譽い鮴兪悗垢襪海箸妊轡螢灰鵐瀬��C積を削��したNAND構�]を指す。この�\術を同社は「PUC (Periphery Under Cell、メモリセルアレイの下の周辺�v路)」と�}び、周辺�v路とセルアレイの積層によって「次元 (Dimension)」が1つ�\えたと見なし、「3D NAND」から「4D NAND」へ�}称変��していた(図2)（参考�@料3）。人�`を引くことを狙ったSK Hynix独�Oの�}び�気任△襦Ｆ閏劼�、PuC構�]については2015�Qに、4D NANDについては2018�Qにそれぞれ学会発表していた。
![図2 Periphery under Cell構�]（左）を採��したSK Hynixの4D NAND(中央)。周辺�v路の�屬縫札襯▲譽い魴狙�している。セルアレイの�屬房�辺�v路を張り合わせる中国YMTCの構�]（��）と�竿罎気譴�。 出�Z：YMTC （参考�@料1）<br />](/archive/blog/insiders/hattori/img/INS190806-01b.jpg)
図2 Periphery under Cell構�]（左）を採��したSK Hynixの4D NAND(中央)。周辺�v路の�屬縫札襯▲譽い魴狙�している。セルアレイの�屬房�辺�v路を張り合わせる中国YMTCの構�]（��）と�竿罎気譴��� 出�Z：YMTC （参考�@料1）
128層1Tb NANDチップは、業�cで最高の�貭樟兪愎瑤任△�、チップ内に3600億個のNAND セルを搭載し、�Qセルは3ビットの情報を保�eできる。これを実現するため、同社は「��均���貭哨┘奪船鵐斡\術」「高信頼性�H層薄膜セル形成�\術」「��高�]低消�J電���v路設���\術」などの革新的な�\術を適��したことを��らかにしている。
SK Hynix は、3D CTF (Charge Trap Flash) アーキテクチャとPUC (Periphery Under Cell) �\術をあわせて採��した4D NAND�\術の最�jの��徴である微小セルサイズによって、他社に先�~けて��集積NANDフラッシュメモリを実現できたという。
モバイル向け����とエンタープライズSSDを提供へ
この����は、1.2Vで1,400Mbps（メガビット/秒）のデータ転送�]度を達成し、高性�Δ把稘杜�のモバイル向け����とエンタープライズSSDを提供することにしているという。SK Hynixは、来�Q�嵌彰�には、�O社��コントローラとソフトウェアを搭載した2TBクライアントSSDの量��も開始する予定で、クラウドデータセンター向け16TBおよび32TBのNVMeインタフェースSSDも来�Qリリースするとしている。
SK Hynixは、すでに次世代の176層4D NANDフラッシュの開発を進めており、�\術的優位性を通じてNANDビジネスの��争��をさらに�啣修靴討い�としている。同社は、�ZくNAND�x場参入するとうわさされている中国YMTCの参入障壁を高めようとしているようにも見える。YMTCは、昨�Q��に東�Bで開��された半導�����]に関する国際会議ISSMで、図2に��すように、SK HynixのPuC, 4D NANDを紹介したうえで、�O社独�OのXtacking構�]を紹介しており、YMTCも相当SK Hynixを�T識していることが窺える。�f国と中国のメモリ戦争はすでに始まっている。
参考�@料
1. Huaweiへの禁輸解除や�{加関税先送りの陰に半導��業�cの圧�� (2019/07/02)
2. SK Hynix Starts Mass-Producing World’s First 128-Layer 4D NAND SK Hynix �o式発表 (2019/06/26)
3. YMTCの3D NAND�x場���Sに向けた奇策「Xtacking」 マイナビニュース（2019/01/31）
4. �f国でなかなか育たない��メモリビジネス��情(3)−巨�Y投�@��画��らかに (2019/05/15)
