40�v�`の国際�w��素子コンファレンス、ベル研から��湾へ戻ったSze教�bが講演
9月23日から26日の4日間、つくば�xの国際会議場で開��される国際�w��素子コンファレンスは40�Q�`を迎える。この会議は、半導��のデバイス、プロセス、材料に関する最先端の情報交換の場となっている。��1�vが1969�Qだから、MOSがようやく日の�`を見ようとしているころだ。今�v、20�Qぶりに参加、�D材しようと思う。
�櫂ぅ鵐謄觴劼�最初のマイクロプロセッサである4004を発��したのが1971�Qであり、MOS集積�v路ビジネスの�辰箸發い┐觝△世辰�。9月23日の�d待講演には��湾の交通�j学教�bのSimon M. Sze�F士がスピーチする。�MはSze教�bとは�k度も�C識はないが、�j学4�Qの時か入社1�Q�`か記憶がはっきりしないが最初に出会った半導��の教科書がSze教�bの書かれたPhysics of Semiconductor Devicesだった。このときの本はボロボロになり、10�Qほど後に改めて�P入したという経緯がある。�^真は2番�`に�P入した本である。
当時Sze教�bは、�盜颯縫紂璽献磧璽検��Ε泪譟璽劵襪砲△辰織戰訶��B研�|所に����されており、�\術スタッフとしての肩書でこの本を書いたようだ。この教科書の中ではMOSFETとはいわずIGFET（絶縁ゲート電�c効果トランジスタ）と書かれていたが、�]晶ディスプレイの�~動トランジスタである薄膜シリコンのTFTについても触れられておりその先見性は高いと思う。トランジスタ以外にもガンダイオードやインパットダイオード、レーザーダイオードといった最先端の�\術についても触れられており、半導��デバイスを���咾垢襪里砲發辰討海い龍飢塀颪世辰拭�Sze教�bが今日の半導���噞や�\術をどうみているのか��常に興味深く、講演は今から待ち遠しい。
�k般講演はレートニュースを除き、749�Pの投�Mに�瓦靴�500�Pが採�Iされた。�j会関係�vによると少し�iまで投�M�b文は��少��向にあったが、最�Zは再び�\加に転じているという。今�v、分野を13にも広げたため投�M数が�\えたとみている。13の分野は次の通り；
分野1 最新ゲートスタック/Siプロセス�\術のサイエンス、
分野2 配線の集積化に向けた��性�h価と材料�\術
分野3 CMOSデバイス/デバイス�駘�
分野4 最新メモリー�\術
分野5 最新�v路とシステム
分野6 化合�馮焼����v路、デバイスとデバイス�駘�
分野7 フォトニックデバイスとデバイス�駘�
分野8 最新材料合成と�T晶成長�\術
分野9 高機��材料とデバイスの�駘�と応��
分野10 �~機材料科学、デバイス�駘�および応��
分野11 マイクロ/ナノエレクトロニクスとバイオシステム
分野12 スピントロニクスの材料とデバイス
分野13 ナノチューブとナノワイヤーの応��
レギュラー�b文500�Pのうち、口頭発表は339�P、ポスター発表は161�Pである。採�I数を国内・�L外別でみると、日本からは投�M309�Pのうち263�P採�I、�L外は391�P投�Mのうち237�Pとなっており日本からの採�I率は高い。だからといって日本の�気�レベルは高いとは言えない。同様な��向が�盜颪任粒慍颯灰鵐侫．譽鵐垢任盡�られたからだ。�噞�cと学�cとでみれば投�M�P数は�j学研�|機関が590�Pに�瓦靴謄瓠璽�ー110�Pという関係だ。
最�Zの��向として、�L外からの投�Mや発表が�\えてきているという。��に、��湾、�f国、シンガポールからの発表が�Hい。インターナショナルアドバイザリスタッフはこれまで欧�歟羶瓦世辰燭�、��湾、�f国、シンガポールから今�vそれぞれ加わった。
High-k/メタルゲートのMOSFET��性からSiGeのナノワイヤー構�]を�W��するpチャンネルMOSFET、トレンチ構�]のSiCパワートランジスタ、�w��電解��を��いる�B�^変化メモリー、マウスの�Nに�mめ込むイメージセンサーなどの発表がある。
