日本からのISSCC2013発表b文は30Pで2位に復
半導v路のオリンピックと言われるISSCC。2月に盜颪燃かれるIEEE主International Solid-State Circuits Conference 2013では、日本から発表されるb文数は盜颪73Pに瓦靴30Pと2位に返り咲いた(図1)。ISSCC 2012ではf国からのb文P数が2位だったため、今vは巻き返したことになる。

図1 ISSCC2013の発表P数は日本が2位に返り咲き 出Z:IEEE ISSCC
ISSCCは 2013Qに60周Qを迎える。当時の盜颪療纏凖典こ慍颪IEEEではなく、IREであった。最初のISSCCは、「Conference on Transistor Circuits」と}んでいたという。開地は東L岸のフィラデルフィアで、1980Q代までフィラデルフィアで開していた。シリコンバレーが発tすると共に、開の場所はサンフランシスコへ,辰拭
60Q間ずっと成長しけた噞は、半導以外にはないだろう。に半導トランジスタの誕擇ら1990Q代中ごろまではQ率平均20%という驚異的な高いPび率をした。それ以Tでも現在までにQ率平均6%で成長している。来ほどの極度に高い成長率ではないものの、実な成長分野といえそうだ。
ISSCCはどんどん変わっているが、変わらないものもある。今Q変わったものとして、日本のb文が2位に復したことの他に、f国・湾からの発表b文がメモリk辺倒ではなく、アナログやロジックなどへ広がっていること、ISSCCの参加vが2001QのITバブル期をピークに少向にあること、が挙げられる。
変わらないことは、常にイノベーションやエボリューション(進化)が発表されていることである。高性Α高機Α低消J電の妓はく変わらない。そのためのテクノロジーは変わってきているがjきな妓は変わらない。例えばアナログv路では、かつてはアンプやフィルタ、オシレータ、A-D/D-AコンバータなどがHかったが、最Zは、パワーマネジメントやエネルギーハーベスティング、ワイヤレス給電などパワー分野の発表が\えてきている。無線RFアンプのパワーv路に、包絡線(エンベロープ)をWするパワーアンプの発表が東からあるが、これも消J電を下げようという動きのk環だ。
ISSCC 2013では昨Qと比べ、通信\術がPびている。RF靆腓郎鱆Qの10%から12%へ、ワイヤレス通信靆腓9%から10%へ、ワイヤライン通信は10%から12%へと、いずれもPびている(図2)。無線\術では低消J電化とミリS\術が発だ。~線では携帯電Bの基地局向けの数Gbps〜100Gbpsという高]のトランシーバ\術がR`されている。シリコンフォトニクスの出番が来たといえる。
図2 通信分野のb文\える 出Z:IEEE ISSCC
こういった変化の中で、にR`されるのは、湾・f国の脱メモリートレンドだろう。サムスンは、今やDRAMにもフラッシュにもさほど投@をしなくなったが、アプリケーションプロセッサ向けのファウンドリビジネスにはアグレッシブに投@している。湾のTSMCはロジックのファウンドリでjきくW益を屬欧討い襦k機▲侫.屮譽垢離瓮妊アテックやリアルテック、ノバテック、Mスターなどトップ20社に入るロジック半導メーカーはHい。湾には200社以屬離侫.屮譽紅焼メーカーがあると言われている。
図3 アジア勢はメモリにを入れる 出Z:IEEE ISSCC
ISSCC 2013の発表b文の分野(図3)では、日本がPびているのはメモリで、に新しい不ァ発性メモリの発表がHい。しかし、高性Ε妊献織襦▲▲淵蹈亜RF、無線通信などは圧倒的に湾、f国、その他のアジア勢が咾ぁF本はこういった分野をしっかり抑えておかなければ、これからの無線\術、IOT(Internet of Things)をリードできなくなる。これらの\術を使うx場は、スマートホーム、スマートグリッド、ヘルスケア、O動Zエレクトロニクスなど、あらゆる成長分野にあるからだ。この分野で成長することが今後の成長につながるだろう。