かつて�j(lu┛)�}企業はみんな、中央研�|所を作り、��発な研�|��動を�t開していた。学会が開くコンファレンスやワークショップなどにおいては�Q社の中央研�|所の���k線の研�|�vが�Xいディスカッションをたたかわせていた。だから発表�b文�P数も今よりもずっと�Hかった。シリコン、化合�馮焼���を問わず、研�|所は理�[の半導��を�{い求めた。

企業が5〜10�Q先の研�|をしなくなったが、では誰がその肩代わりをしているか。�j(lu┛)学か？国立の研�|機関か？�j(lu┛)学が肩代わりしているとするなら、企業が�j(lu┛)学に依頼してそのようにしているのだろうか。�j(lu┛)学や研�|機関が研�|�vの興味だけでやっていないだろうか。いずれにせよ、�j(lu┛)学からの投�M・採�Iが���\していることは、昨今の半導��研�|の�j(lu┛)きな��徴といえる。

��別プレナリーの基調講演は2�Pある。�kつは1973�Qにノーベル�駘�学賞を�p賞した江崎玲�P奈�F士が�O身の半世紀を語り、もう�kつはレーザー研�|の草分けの�k人である��田光�k�F士がレーザーの発�tの歴史を語る。初日9月22日の17:00から東�Bドームホテルで開��(h┐o)される。共に量子��学をベースにしたデバイスであり、半導���駘�をけん引してきたことが共通している。今は�\術の変革期に来ているため、このテーマが適していると�b文委�^会で��めたという。

レーザーはガスレーザー、�w��レーザー、そして半導��レーザーへと発�tしてきた。半導��レーザーでも��(l┬)外レーザーから可��レーザー、さらには��外光レーザーまで発�tし、�S長を変えられるチューナブルレーザー、チップ表�Cから発光する�C発光レーザーなどバラエティに富んだレーザーが出てきた。

p型とn型の不純�馭仕戮魘妨造泙��屬欧�pn接合の空��層を薄くすることにより、トンネル効果を実現させたエサキダイオードは、残念ながら工業的には主流になれなかった。入出��分�`が��要な2端子素子だからこそ使いにくいという�U命のため、GaAsトランジスタに��き換えられた。しかし、江崎�F士は、トンネル構�]をもっと�H数段に渡って作り周期性を�eたせると人工的な半導��ができると考え、��格子（Super-lattice）という�@の半導��を発��した。この発�t形がHEMTになったり、MQWレーザーになったりした。最�ZではGaNのHEMTもある。また��格子を作��する�O�困箸靴�MBE（分子線エピタキシャル）����が�擇泙譴拭��E色LED���]に使われるMOCVDはMBEの発�t形��でもある。

こういった歴史を見るとエサキダイオード�O身は工業的なインパクトは少なかったが、派�攜�果は膨�j(lu┛)にあったといえる。MOCVDがなかったら、�E色LEDは�擇泙譴覆�っただろうし、HEMTのような2次元電子ガスデバイスはできなかったかもしれない。今はこの2次元電子ガスの��念はグラフェン半導��デバイスへと発�tしてきている。

もちろん、江崎�F士�k人がこういった派�攜�果をもたらした�lではない。さまざまな研�|�vや工場のエンジニアが関わってくることで、工業的に�T味のあるものへと発�tしてきた。国際�w��素子コンファレンスから未来に向けてどのような新しいデバイスやプロセスが発表されるか、楽しみだ。