機械関係�vは、金�錣里發蹐気鮗造呂茲��瑤辰討い�。�O動�Zは�Z検を�I����けることで金�錣��C耗する�iに�C耗し始めた����を�Dり換えたり、�T理したりすることで商����命を長くしようとしている。しかし、これでも実は金�鑒莽�や�`に見えない金�鐫C耗、内�陲離�ラックなどの�邵濺�な故障要因を�Qえたままになっている。�O動�Zメーカーにとって�O動�Zの�W��性は絶�甘�なものである。だからこそ、金�錣鴦H��した機械����を気遣う。いっそのこと、金�錣砲茲覽ヽ�����をできるだけ�Dり除き、電子的に動かす��(sh┫)がよほど信頼性は�屬�り、軽量化＝低�\�J化ができるだろうと�O動�Zエンジニアは考えている。カーエレクトロニクス化への���Aの原点はここにある(カーエレに関しては次�vに考察する)。

半導��デバイスは60�Q�i、真空管よりも信頼性が低かった。本来は�w���\幅�_(d│)として、真空管よりも信頼性が高いはずなのにもかかわらず。だから開発当初から信頼性向�屬論��缶尻�であった。このため誕�擇�ら今まで、アレニウスプロットだの、ワイブル分布だの、何FITだの、半導��デバイスと信頼性は切っても切れない関係にあった。たとえばp型半導��の中にn型の不純�颪鯒�く拡�gしたデバイスは、時間と共にn型半導��がp型半導��中に拡�gしていってp型と混じってしまい、デバイス��命は尽きてしまうのではないかという懸念は50�Q�iからあった。

しかし、半導��シリコン�O身の信頼性が崩れるという�Bは�k度も聞いたことがない。シリコンデバイスの信頼性は半導���霾�ではなく、配線金���霾�や、�┣祝戝罎離ぅ�ンなどと��まっていた。エレクトロマイグレーション、ストレスマイグレーション、TDDB（�堙徹気塙睹a(b┳)下で時間と共に�┣祝譴�じわじわ破�sしていく現��(j┫)）、アルミ�愎�、ウィスカーなども半導��バルクの故障ではない。もちろん、電圧サージなどの�k瞬の�堙徹気農楾腓�破�sするとか、ラッチアップやホットスポットによる電流集中などでショートしてしまうことはある。しかし、通常の動作条�Pで長時間使っていて半導��バルクが破�sするという現��(j┫)はまずない。

シリコンは実は機械的な信頼性が極めて高い。1984�QにMEMS�\術の最初の����になったシリコン圧��センサーの動向を探るため、�噞���U(ku┛)御機�_(d│)メーカーを��数社�D材した。このとき機械式のベロース（��腹）やロードセルなど、シリコンではない金�鏈猯舛鮖箸辰討い織┘鵐献縫△法△覆璽轡螢灰鵑鮹羔�にくり�sく圧��センサーを作るのかをうかがうと、金�鏈猯舛茲蠅盖ヽＥ�に信頼性が高いからだという答えが返ってきた。シリコンは機械的な金�鑒莽�がなく、カンチレバーや中空構�]でのたわみに�咾い里世箸い�。

このMEMS�\術を使うシリコン圧��センサーは、���_��や�p圧��、電子秤で10数�Qの実績があり、カンチレバーにした加�]度センサーなどはエアバッグに搭載されてやはり10数�Q経つ。最�Zの応��では任�W堂のWiiやアップル社のiPhone、ハードディスク����にも搭載されている。シリコンの��柱を形成する�櫂謄�サスインスツルメンツ社のDMD（デジタルミラーデバイス）ディスプレイも10�Q以�屬亮太咾�ある。まだ�C耗やクリープなどの故障が見つかったという�Bは聞いたことがない。もし実例があったらぜひ教えていただきたい。

ただし、半導��はすべてシリコンのように�咾い錣韻任呂覆�。ガリウム砒素のようなIII-V化合�馮焼���やII-VI化合�馮焼���は機械的に弱い��人工的に例えばガリウムとヒ素を1��1で混ぜ合わせて作る化合�馮焼���は、転位という�T晶のズレ(�L(f┘ng)陥)が�擇�、レーザー発光�單戮�落ちるという問��がかつてあった��人工的に作った�T晶は転位密度がシリコンと比べて比較にならないほど�j(lu┛)きく、�L(f┘ng)陥だらけである。そのデバイスを動作させても�L(f┘ng)陥が成長していかなければ実���屬鰐筱�ないため、使��に耐えているのが現�Xだ。すべての化合�馮焼���には常にこの�e険性が伴っている。

人工的な半導��材料と比べるとシリコンは神様が人類にくれた�nり�颪里茲Δ砲盪廚┐�。実���屬賄典づ�に素晴らしい��性を提供してくれるし、機械的にも金�錣茲蠅眇�頼性が高い。MEMSが最�Z�R�`されている�kつの理�y(t┓ng)は機械的な信頼性が高いことである。