2014�Q3月28日(金) 10:00〜16:35
御茶ノ水 ソラシティ
主��：株式会社セミコンダクタポータル
最�Z、ストレージメモリとメインメモリ（DRAM）との間に位��する�]度を�△┐襯瓮皀蝓△垢覆錣船好肇譟璽献�ラスメモリが�R�`を集めています。ReRAM、PCRAM、STT-MRAMなどがこれに相当します。いずれもNANDフラッシュよりも高�]で、不ｧ発性のためメモリ構成を�~単にします。
コンピュータのメモリシステムは、プロセッサの�Zくの高�]キャッシュメモリから、DRAMメインメモリ、そしてSSD/HDDなどのストレージメモリ、という階層構成を現在採っています。メモリ階層構成は、互いに�Zい�覦茲鮨�食しようとしています。IBMのようなコンピュータの先進企業は、embedded DRAMで高�]キャッシュの�覦茲鮨�食しようとしています。このメモリ構成を�k変させ、クラウドコンピュータシステムのメモリ構成を格段とシンプルにする可��性を秘めたメモリが、ストレージクラスメモリです。しかし実��化は�~単ではありません。今後、どのようなメモリが主役になるのか。メモリ、���]�\術の��点から、議�bしていきます。
��(j┤ng)来性のある内容を�Q分野の��(sh┫)々から直接聞き、ディスカッションすることができる�Q�_な機会です。
�S様のご参加を心よりお待ちしております。
■プログラム
テーマ：ストレージクラスメモリの現�Xと未来モデレータ：�氾跳�二 (セミコンポータル��集長)
| 10:00 | 開会の挨拶とセミナーの�貉� |
| 10:10 |
ストレージクラスメモリの課��とアプリケーション 中央�j学 理工学�霤典づ纏匸霾鹹命�工学科 教�b �臚癲〃��� ビッグデータと�}ばれるように、人に加えて、実世�cの�H様な情報がネットワーク�屬鮃圓�交うようになり、情報量は爆発的に�\�jする。リアルタイムのデータ処理を実現するためのボトルネックになっているのは、ストレージのアクセス時間である。今後は、フラッシュメモリやストレージ・クラス・メモリを積極的に����することでストレージのアクセスボトルネックを解消し、高�]でリアルタイム性に優れたビッグデータのサービスが実現する。本講演では、ビッグデータのサービスを狙った、データセンター向けのストレージクラスメモリとフラッシュメモリで構成するハイブリッドストレージ�\術を紹介する。 |
| 11:10 |
STT-MRAMの現�Xと��(j┤ng)来�t望 東���j学 省エネルギー・スピントロニクス集積システムセンター副センター長、 国際集積エレクトロニクス研�|開発センター センター長、教�b 遠藤哲�r�� 本講演では、STT-MRAMの基��(chu┐ng)�\術であるMTJ�\術の最�Zの�\術動向について述べる。その後、ワーキングメモリ向けのアプリケーションを中心に、STT-MRAMの現�Xを述べる。さらに、MTJ�\術に基づく不ｧ発性ロジック�\術についても、最�Zの�\術動向を��説する。最後に、これらを総括して、スピントロニクス�\術による待機電��ゼロシステムを中心に、STT-MRAMの��(j┤ng)来�t望を述べ、まとめとする。 |
| 12:00 | ランチ |
| 13:00 |
低電圧・高�]の相変化メモリTRAM ��低電圧デバイス�\術研�|組合 主任研�|�^ 田井 光春�� データセンタやサーバーでは�垉酘Dり扱ったことのない�j容量のデータ処理が要求され、高�]・低電��のストレージデバイスが��要になっている。我々は次世代ストレージデバイスとして、GeTe/Sb2Te3積層構�]を�~する��格子材料を��いたTRAM(Topological RAM)を開発している。本講演では、��格子膜の�h価�T果と、��格子膜を適��したTRAMデバイスの��性、および集積化に向けた検討内容について紹介する。 |
| 13:50 |
新材料のプロセス導入に威��を発ｧするコンビナトリアル インターモレキュラージャパン 社長 古�� 透�� メモリを始め�Z�Qの半導��デバイスにとって、新機��材料の開発と導入は、求められる高い性�Δ鮹�成するために��要不可�Lである。�k��(sh┫)で、新��材料や、そのプロセスの開発には、長い時間と�H�Yの研�|開発�Jを要する。本講演では、先端半導��に使��する新材料の開発の効率を飛躍的に向�屬気�、開発期間と�J��を圧縮する、弊社独�Oのコンビナトリアル�}法を紹介し、��せてその�}法を�~使した応��例についても述べる。 |
| 14:40 | Coffee Break |
| 14:55 |
DRAMの未来 マイクロンメモリジャパン ワイヤレスソリューショングループ テクニカルマーケティング エグゼクティブプロフェッショナル �P�� 靖�� DRAM���]�\術では、微細化の進�tにより顕在化してきているメモリセル関連の�\術課��がある。この課��と、これに�官�するための�\術動向を紹介する。 また、DRAM主要応��分野が携帯機�_などに広がりを見せている中で、��に要求されている高バンド幅、低消�J電��に�官�するための、仕様�Cおよび実���\術�Cに関する�\術動向を紹介する。 |
| 15:45 |
ワイヤレスセンサネットワークとIoTの新潮流 セミコンポータル ��集長 �氾跳�二 |
| 16:35 | 閉会 |
プログラムは変��される可��性があります。ご了�Rください。
��参加申込
参加�p��は終了しました。
＜定�^＞ 80�@
＜参加�J��＞
| 【早期割引】 〜3/24(月)まで |
【通常】 3/25（��）以�T |
|
| セミコンポータル会�^ | 5,000��(税込) | 10,000��(税込) |
| �k般 | 15,000��(税込) | 29,800��(税込) |
■場所
ソラシティカンファレンスセンター 1階 Room B
〒101-0062
東�B都�h代田区神田駿�Q��4-6
TEL: 03-6206-4855
FAX: 03-6206-4854
http://solacity.jp/cc/access/
■セミナー����局
株式会社セミコンダクタポータルTEL: 03-5733-4971
e-mail: spiforum@semiconportal.com