iPadやギャラクシータブなどのメディアタブレットをはじめ、iPhoneやアンドロイドベースのスマートフォン。表��内容の表現��を�lかにするのがストレージデバイスです。次世代の携帯機�_はオーディオやビデオ、それもフルHDビデオのコンテンツも蓄えられるほど�科�な容量がのります。�j本命のNANDフラッシュとHDD、さらにはReRAMやスピントロニクスMRAM、などの新型メモリーも気になります。ストレージデバイスの��貌をお伝えすることが本セミナーの�`的です。
本フォーラムでは、NANDフラッシュを国内で唯�k�攵�する東��のシニアエンジニア2�@の�気�プロセス、実�△領��Cから解説します。また、�x場動向、HDDの高密度化、スピントロニクスの�W��により高集積化が可�Δ�MRAM、さらに最�Z�R�`を集めているReRAM、そしてNEDOの�Wくロードマップについてお�Bをいただきます。�\術の可��性と、新たに開けてきたアプリケーションによって新たな半導��の�x場が見えてきます。��来性のあるお�Bしを�Q分野のエンジニアの�機垢�ら直接お聞きすることができる�Q�_な機会です。
�S様のご参加を心よりお待ちしております。
■プログラム
（プログラムは変��になる場合があります）2011�Q3月22日（��）
| 10:00 |
次世代携帯機�_をけん引するストレージデバイス 株式会社セミコンダクタポータル ��集長 �氾跳�二 |
| 10:15 |
「NANDストレージ形��の動向と実�◆� 株式会社東�� セミコンダクター社 メモリー��業�陬侫薀奪轡紂Ε�ード�\術�陝����� 周���� 講演��要： フラッシュメモリストレージはアプリケーションに分けると、カード、eMMC、SSDが�T在します。それぞれの高容量、薄型要求に答えるには��常に���zな実���\術が��要になります。�Qアプリケーションが今後どのような形��となっていくのかを顧客要求��項にあわせて解説し、�Mつための戦�Sポイントについて説��します。 |
| 11:00 |
「�j容量NANDフラッシュメモリの�\術開発�X況」 株式会社東�� セミコンダクター社 メモリー�\師長 ��冨 ���`�� 講演��要： ますます微細化および�j容量化がすすんでいるNANDフラッシュメモリについて、最新の20nm世代の�\術、��次元積層構�]メモリセルの開発�X況を中心に発表します。 |
| 11:45 |
「HDDを中心とした今後のストレージデバイス�x場の�t望」 株式会社テクノ・システム・リサーチ シニアディレクター �[籠 敏夫�� 講演��要： 1990�Q代から2010�Qまでのストレージ�x場を振り返りながら2011�Q以�Tの新たな時代でのストレージ�x場を�t望します。ここでのキーファクターは、"Networking"、"Digitalization"、"Imaging"及び"Mobility"の�膿覆反焚修砲△蠅泙后Ｅ���ながら、こうした時代ではクラウドコンピューティングは無��できません。 そこで、�Q々のストレージはどのような役割を演じて、かつすみわけが出来るのか？およそ25ヶ�Q間HDDなどの���\記憶����の�x場をみてきた立場から���茲靴泙�。 |
| 12:30 | ランチブレーク |
| 13:30 |
「HDD�j容量化�\術の最先端と��来�t望」 株式会社日立��作所 研�|開発本�陝ー膣標��|長 城石 ���F�� 講演��要： 情報のデジタル化の���]な進�tと共に、�收�されるデジタル情報は指数関数的に�\�jし、2011�Qには1.8×1021 Bに達すると見積もられています。このため、�j容量ストレージの主役であるHDDの��なる高密度化、�j容量化が喫�gの課��となっています。本講演では、フラッシュメモリー�\術などと�竿罎靴覆�ら、HDDにおける高密度化�\術の最先端の研�|開発�X況と��来�t望を��説します。 |
| 14:15 |
「STT RAMによる不ｧ発性メモリの低消�J電��システムへの新�t開」 東���j学 学際科学国際高等研�|センター 教�b / 省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター 副センター長 遠�� 哲�r�� 講演��要： 電子機�_の性�Δ鮑８紊箸盡��屬気擦討い�ためには、ロジックが要求するメモリバンド幅の達成と、�Qメモリ階層間のスピードギャップの解消と、消�J電��の抑�Uが�咾�求められています。 本講演では、�峙���点から、�Z�Qの不ｧ発性ワーキングメモリとして�R�`されているスピントロニクスメモリの代表であるSTTRAMの現�Xと本�\術のインパクトを�bじます。さらに、STTRAMを半導��CMOSロジックと高次に融合させる不ｧ発性ロジックを紹介し、��来の��低消�J電��システムの�菘世�ら不ｧ発性RAMのロジック�\術への�S及効果を�bじます。 |
| 15:00 | コーヒーブレーク |
| 15:15 |
「ReRAMチップの開発と見通し」 独立行��法人�噞�\術総合研�|所 ナノ電子デバイス研�|センター 副研�|センター長 主任研�|�^ 秋�P 広�m�� 講演��要： Resistance Random Access Memory (ReRAM あるいはRRAM) は、高�]かつ低消�J電��動作を実現する新しい���j容量不ｧ発性メモリとして�R�`を集め、極めて���]にその研�|開発が進められるようになってきました。単純なメモリセル構�]であるばかりでなく、�J�Tの半導��プロセスとの�D合性も高く、ビットコスト��争��においても優れたメモリになると考えられています。本講演では、ReRAM研�|開発の経緯、最新動向から現�Xにおける�\術課��などを説��して頂きます。 |
| 16:00 |
「HDDの高密度化へのロードマップと今後の見通し」 独立行��法人新エネルギー・�噞�\術総合開発機構 電子・材料・ナノテクノロジー�霙后｜��僉ゝ��� 講演��要： 情報通信�\術の向�屐�普及に伴い電子データ量は莫�jに�\え��けており、このデータを蓄積するための�j��模なストレージが��須になっています。フラッシュメモリは携帯端��の小型薄型化に伴い、���]に普及拡�jしています。しかし、今後予�[される莫�jなデータ蓄積をフラッシュメモリが担うことになるのでしょううか？NEDOでは、容量、コスト、使��環境からHDDが�j容量のデータ蓄積��ストレージの主流になり、携帯性、高�]性、低消�J電��性を求められるストレージはフラッシュや�Q�|個��素子がその役割を担うと予�Rしています。本講演ではフラッシュメモリの��頭からHDDの��来�気鰺襲Rし、HDDの開発ロードマップ及びNEDOのHDD開発プロジェクトについて紹介します。 |
| 16:45 | ����の��疑応答&�@刺交換会 |
■参加申込
＜参加�J��＞
| 【早期割引】 〜3/10(�v)まで |
【通常】 3/11（金）以�T |
|
| セミコンポータル会�^ | 23,000��(税込) | 25,000��(税込) |
| �k般 | 29,000��(税込) | 32,000��(税込) |
(�峙�価格にテキスト代を含みます)
※3月11日以�Tのキャンセルはお�pけできませんので、代理の�気里棺仞覆鬚�願いします。
それぞれセミコンポータルの�X口の�気砲干稜Г�ださい。
まだ会�^でない�気蓮∪���この機会にセミコンポータル会�^のご加入をご検討下さい。セミコンポータル会�^になられると、m.589173.comのコンテンツやニュースがすべて�O�yにご覧になることができ、また主たる���Zとして、SPIフォーラムへの�d待枠(無料）参加もしくは20%OFF参加、エグゼクティブサマリーレポート配布などがあります。
会�^の詳細・お申し込み�桔，�、下記Webサイトをご覧ください。
http://m.589173.com/about/service.html
＜募集人�^＞
80�@
＜お申込み�桔 �
参加�p��は終了しました。
＜オンライン登�{期間＞
2011�Q2月15日（��）〜3月21日（月）
満�^になり次��、締め切らせて頂きます。
■会場・アクセス
主婦会館プラザエフ スイセン(8F) *会議室が変��となりましたhttp://www.plaza-f.or.jp/room_index.html
〒102-0085 東�B都�h代田区六番町15番地
TEL 03-3265-8111
・JR四ツ谷駅 麹町口�i（�P歩1分）
・地下鉄南��線 / 丸の内線 四ツ谷駅（�P歩3分）
交通、地図の詳細は下記URLをご参照下さい。
http://www.plaza-f.or.jp/access_index.html
■セミナー����局
株式会社セミコンダクタポータル〒107-0052 東�B都港区�迎Z2-17-22 �迎Zツインタワー東館17F
TEL: 03-3560-3565
FAX: 03-3560-3566
e-mail: spiforum@semiconportal.com