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Texas Instrumentsは、並�`接��により最�j6kWまでの電��を扱うことのできる電子フューズ(eFuse)IC、「TPS1685」を開発した。これによりますます電��を消�Jするデータセンターの電源を確保できるようになる。�k般のeFuseをただ単に並�`にしても、MOSFETのオン�B�^や配線パターンの�B�^やコンパレータのしきい電圧のバラつきなどによって、弱い�霾�に電流集中が��こりやすくなる。しかしこれを防いだ。 [→��きを読む]
高効率で消�J電��当たりのAI処理性�Δ�高いAIチップの中で、NvidiaのGPUと張り合えるチップはそう�Hくない。データフローコンピューティングアキテクチャであり、さらにダイナミックにエージェントがジョブを切り��えられる�擬阿�SambaNovaのチップはその�t��の�kつ。推�b性�Δ蚤昭劼魄掬櫃垢鞫T果をこのほど発表している。 [→��きを読む]
ルネサスエレクトロニクスは、�}ごろな価格で画�鞠Ъ�AIが使える新しいAIアクセラレータを集積したミッドレンジのプロセッサ「RZ/V2N」をドイツのニュルンベルグでのEmbedded World 2025で�t��した。2��のカメラ画�気鯑Dり込める�屬法▲�ルマのドライブレコーダーや�O動走行ロボットのカメラ、監��カメラなどコンピュータビジョンに�官�する。3月19日に発売する。 [→��きを読む]
![Arm、CPU+NPUを�kつのコアとしてビデオなど高�]IoT向けIPを開発](/assets_c/900px/250304-armiot.png "Arm、CPU+NPUを�kつのコアとしてビデオなど高�]IoT向けIPを開発")
高性�Δ�CPUとAI専��のNPU（ニューラルプロセッシングユニット）を集積したIP（��的財��）コアをArmが開発した。高性�Ε咼妊�伝送をはじめとする高�]IoT（Internet of Things）に�官�するIPコアである。高性�Δ紛\術であるArmv9をエッジAIのプラットフォームとして使う����が早くも�擇泙譴燭燭瓩法△海里茲Δ聞眄���IoT向けのIPを開発した。����的にはどのような����だろうか。 [→��きを読む]
Micron Technologyが1γnmノードのDDR5DRAMをサンプル出荷した。1γnmというサイズは10nmクラスのようで、EUV����の導入が��須になる。Micronの微細な�\術によって、スピードは現世代の1βnmノードのDRAMと比べ、8Gbpsから9.2Gbpsと高�]になり、消�J電��は20%削��され、集積度は30%�屬欧襪海箸�できる(図1)。 [→��きを読む]
STMicroelectronicsは、ゾーンアーキテクチャに向いたMCU（マイコン）「Stellar」のシリーズを��らかにした。先行して販売していたStellar Eシリーズに�瓦靴董�Armマルチコアによる仮�[化�\術を採り入れている。その高集積化のためNORフラッシュメモリに代わりPCM（相変化メモリ）を��い28nm、18nmへと微細化で�官�する。 [→��きを読む]
オートモーティブワールド2025では、半導��メーカーが単なるパワー半導��を�t��するのではなく、実際のEV（電気�O動�Z）に組み込む����の�ξ�を��すというブースが�`立った。これからのクルマのテクノロジーに使えるレベルの�ξ�を見せつけた。その中から��例としてSiCパワー半導��のスイスのSTMicroelectronics（図1）と、8Gbpsと高�]のSerDesを開発したイスラエルのValensを紹介しよう。 [→��きを読む]
Texas Instruments（TI）が��来のクルマに向け�Z内��のレーダーセンサチップ「AWRL6844」と、リッチなオーディオを聞くためのチップ「AM275x-Q1」、「AM62D-Q1」、をリリースした。�Z内��に��を入れるのは、子供の��き去りやシートベルトなどの検出にこれまでのように�H数のセンサを使わずに高集積の1チップで処理するなど�Z内環境を改��するためだ。 [→��きを読む]
CES 2025の基調講演において、Nvidia CEOのJensen Huang��（図1）は3�|類のチップをはじめ、「Cosmos」と�}ぶ、バーチャルではなく現実の世�cを�T識したデジタルツイン向けのAIモデル、ロボットとクルマのような�O��運転マシン向けのAI、さまざまなAIエージェントなどを紹介した。極めて�rりだくさんで�D理するのに時間がかかるようなプレゼンテーションであった。そのトピックスのいくつかをピックアップする。 [→��きを読む]
アドバンテストは、ダイシングフィルム�屬妊僖錙屡焼���をテストできるシステムを開発した。数��V、数��Aという高電圧・�j電流を扱うパワー半導��では、�W��性をしっかり確保することが何よりも最優先。このため、テスター����の経�x�lかなイタリアCREA（Collaudi Elettronici Automatizzati S.r.l.）社を2022�Q8月に�A収、SiCやGaNなどのワイドギャップ・パワー半導��のテスターに進出した。 [→��きを読む]
